（1）热敏性半导体材料的电阻率与温度有密切的关系。温度升高，半导体的电阻率会明显变小。例如纯锗（ge），温度每升高10度，其电阻率就会减少到原来的一半。（2）光电特性很多半导体材料对光十分敏感，无光照时，不易导电；受到光照时，就变的容易导电

①热处理温度要求：650±5℃；②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；1、热处理后电阻率会有什么变化由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂

三百八十度。根据查询半导体加热管消息显示，最高温度三百八十度。半导体加热管是一种电阻加热方式，它的内部搭载半导体陶瓷材料，利用半导体空穴原理，实现电子氧空位，它加热的温度最高能达到三百八十度。三百八十度以下是高阻质特征，电阻越大它发热功能越

半导体rtp是快速热处理的意思。快速热处理，是一种升温速度非常快保温时间很短的热处理方式。升温速率能达到10~100摄氏度每秒。一般采用红外卤素灯或者电阻棒加热，加热时电流很大，功率很大。半导体的制备1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素

三星半导体的八大工艺包括：1、热处理；2、光刻；3、金属化学气相沉积（MOCVD）；4、电镀电子束蒸镀(EBL) ；5、表面处理封装 ；6、测试可靠性测试 ；7 、切割打样 ；8 、回收。半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优

一、名词解释：wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。chip：芯片；是半导体元件产品的统称。die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!半导体工艺技术有很多，

大小块之别。第四代半导体材料主要是以金刚石、氧化镓、氮化铝为代表的超宽禁带（UWBG）半导体材料，禁带宽度超过4eV，以及以锑化物（GaSb、InSb）为代表的超窄禁带（UNBG）半导体材料。在应用方面，超宽禁带材料会与第三代材料有交叠，主

半导体rtp是快速热处理的意思。快速热处理，是一种升温速度非常快保温时间很短的热处理方式。升温速率能达到10~100摄氏度每秒。一般采用红外卤素灯或者电阻棒加热，加热时电流很大，功率很大。半导体的制备1、沙子：硅是地壳内第二丰富的元素

半导体工艺技术有很多，每种工艺都有其特定的优势和劣势，没有一种工艺能够满足所有的应用需求，因此，选择哪种工艺是根据应用的具体要求而定的。常见的半导体工艺有：晶圆切割、晶圆研磨、光刻、掩膜、熔融清洗、热处理、化学镀、接极等。其中，晶圆切割、光

①热处理温度要求：650±5℃；②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；1、热处理后电阻率会有什么变化由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!半导体工艺技术有很多，

离子注入后退火：加热注入硅片，修复晶格损伤，使杂质原子移动到晶格点，将其激活。 高温退火和快速热处理相比，快速热处理更优越。因为快速热处理可以避免长时间的高温导致杂质扩散，以及减小瞬间增强扩散。简单的说就是芯片，就是集成电路。在硅片上做集成

这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!半导体工艺技术有很多，

中文习惯念做铝镓氮镓氮HEMT英文的话美国人喜欢念：艾欧干干 海姆特原谅我的中文注音2333，不会打国际音标欧洲人可能会把化合物全称念出来：Aluminium Gallium NitrideGallium Nitride HEMT现在

1.以通氢气或氢、氮混合气体（含氢量&gt5%）作为保护气氛的加热设备。有立式和卧式两种。2.发热体通常采用钼丝（钼的熔点为2630℃），外壳为金属，保持气密性良好。窑具常用钼舟，可连续生产、效率高。立式氢气炉与卧式相类似，占地面积

硼在氧化硅层的固溶度为5×1020cm度。半导体器件开管扩散工艺显示，硼离子在硅中的固溶度是5×1020cm度。硼是非金属元素，符号B，分别有结晶与非结晶两种形态，一般用于制合金、燃料等，在医药、农业和玻璃等工业中也应用广泛。①热处理温度要

半导体激光退火原理漏氧气会形小，升华或分解发生。根据查询相关信息得知，是氧元素形成的一种单质，化学式O，化学性质比较活泼，与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼，与许多物质不易作用。高温下很活泼，能与多种元素直接化合，氧原子的电负性仅次

激光退火技术开始主要用于修复离子注入损伤的半导体材料,特别是硅.传统的加热退火技术是把整个工件放在真空炉中,在一定的温度(300°～1200℃)保温退火10～60min。可控硅又叫晶闸管，是晶体闸流管(Thyristor)的简称，俗称可控硅