没有掺杂的半导体称为本征半导体，掺有杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体：一种是掺有施主杂质的n型半导体，一种是掺有受主杂质的p型半导体，还有一种是既掺有施主杂质、又掺有受主杂质的补偿型半导体——这种半导体虽然掺入了大量杂质，但是它的电导

重要的半导体材料硅、锗等元素的原子最外层都具有四个价电子。大量的硅、锗原子组合成晶体靠的是共价键结合。这种结构的特点是：每个原子周围有四个最近邻的原子组成一个正四面体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任意顶角上的原子和中心原子各贡献

1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等2. 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以

当温度升高或者会受光照时，由于半导体的共价键中的价电子并不像绝缘体那样束缚的很紧，所以，价电子从外界获得能量，少说价电子会挣脱共价键的束缚，成为自由电子，同时在原来共价键相应的位子上多出了带正电的空穴。而上面我们提到的自由电子和空穴就是半导

本征半导体温度升高后两种载流子浓度相等。两种载流子的乘积与费米能级无关,对于一定的半导体材料,乘积只决定于温度T.在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同,乘积也将不同。所以,本征半导体温度升高后,两种载流子浓度都会发生变化

芯片分析仪器有：1 C-SAM（超声波扫描显微镜)，无损检查:１.材料内部的晶格结构，杂质颗粒．夹杂物．沉淀物．2. 内部裂纹. 3.分层缺陷.4.空洞,气泡,空隙等. 德国2 X－Ray（这两者是芯片发生失效后首先使用的非破坏性分析手段）

半导体材料分为空穴和电子两种不同类型霍尔片的区别为：1、形成的不同原因：在外加电场中，p型半导体中的电子依次以电场的相反方向填充空穴，空穴沿电场的方向运动。空穴可以被认为是带正电荷的粒子，它的运动通过取代电子的运动来解释p型半导体中电流的形

半导体不导电时,内部有自由电荷。即所谓“静态材料特性”。半导体材料不导电时的内部自由电荷，是由环境温度造成的。半导体材料的基本结构是：PN结。PN结的温度稳定性，关键就是温度系数，即在静态状态下，经扩散形成的PN结，残存的空穴或自由电子的数

半导体在我们的生活中有着至关重要的地位，我们现在所享受到智能科技带来的生活和便捷都离不开半导体，下面一起了解一下什么是半导体吧。半导体，顾名思义就是导电性介于导体和绝缘体之间的一类物体。通过杂质的掺入而改变材料的导电性能，这便是半导体技术的

1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等2. 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以

本征半导体中的电子在正常情况下是被共价键束缚的，不会定向运动。但是在外加足够电压（注意必须是足够电压！）的情况下，电子获得的电场力大于共价键的引力之后，就会有电子脱离共价键向电场反方向运动；于此同时电子原来所在的位置就留下了一个“空穴”，这

空穴：电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子后留下的空位。我做一个比喻：你可以把共价键想象成一个教室的桌椅和学生（每个位置都有学生），此时是一个稳定状态（没有运动的学生，也没有空桌椅，相当于不导电）。突然有一个学生离开了位置（把学生看做自由电子

空穴是一种等效,当价带中的电子被激发到导带以后,价带中的电流可以用空穴载流子的运动来等效,所以不存在空穴跳出半导体的情形.简单来说,当存在电流时,负电极一定会向半导体注入电子,移动到负极的空穴能够被从电极进入半导体的电子复合.空穴是一种

正确。本征半导体就是非常纯净的半导体晶体。在常温下它会产生少量的本征载流子，这些载流子是由本征激发形成的。当温度升高时，本征激发加强，本征载流子浓度增加，从而使导电能力增强，所以电阻会减小。也就是说，随着温度变化，本征半导体的电阻会明显改

1. 导体：容易导电的物体。如：铁、铜等2. 绝缘体：几乎不导电的物体。如：橡胶等3. 半导体：半导体是导电性能介于导体和半导体之间的物体。在一定条件下可导电。 半导体的电阻率为10-3～109 Ω·cm。典型的半导体有硅Si和锗Ge以

本征半导体温度升高后两种载流子浓度相等。两种载流子的乘积与费米能级无关,对于一定的半导体材料,乘积只决定于温度T.在一定温度下,对不同的半导体材料,因禁带宽度Eg不同,乘积也将不同。所以,本征半导体温度升高后,两种载流子浓度都会发生变化

（1）IC=（Ucc-UCE）RC=5mAIB=(Ucc=UBE)RB=48uAβ=IcIB(2) Ic=（Ucc-UCE）RC=12mAIB=IcβRB=(Ucc=UBE)IB空穴：电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子后留

晶体管中加入了微量元素，会破坏原晶体内的电位平衡，在晶体内部产生空穴和电子的对流，但是记住，这是在半导体内部产生这种对流，进而产生内电场，生成电位差。但对于整个的晶体来说，中和一个电子必占用一个空穴 ，因此在晶体的内部电子和空穴的数目始终是

一、半导体基本概念 1、半导体及其导电性能 根据物体的导电能力的不同，电工材料可分为三类：导体、半导体和绝缘体。 半导体可以定义为导电性能介于导体和绝缘体之间的电工材料，半导体的电阻率为10-3～10-9 cm。典型的半导体有硅Si和锗