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不同 IGBT 架构的高效电机驱动应用
在选择 IGBT 时,设计人员面临许多架构选择,这些选择可能会偏向于一种形式的 IGBT,例如对称阻断与非对称阻断。本文将回顾不同 IGBT 架构提供的设计选项。与具有类似额定电压的功率 MOSFET
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华润微可提供全套功率器件解决方案 满足细分应用的需求
随着国家“双碳”目标政策(即“2030 碳达峰,2060 碳中和”)的出台以及碳中和政策正在从全球共识向全球行动推进,新能源行业(如新能源汽车,光伏及储能领域)迎来景气度高涨。“双碳”目标促使IGBT
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伺服系统破局点:如何实现工业机器人的小型化
引言伺服系统影响工业机器人的运动精度、控制速度和稳定性。伺服系统的硬件包括伺服电机及伺服驱动器,伺服驱动器用来控制伺服电机,伺服电机实现精确控制机械部件的位置、方位、状态等。伺服驱动器的的核心元件IG
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浅谈IGBT产业链中的几个玩家
IGBT 分类功率器件在大方向的工控和电源领域必不可少的器件,功率器件分成功率二极管、MOS 管、IGBT、碳化硅、氮化镓,几大类型当中 IGBT 的角色是最重要的,分类可以分成低压、中压、高压。1、
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IGBT等效电路及符号解析
绝缘栅双极晶体管,简称IGBT,是双极结型晶体管(BJT)和金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)的组合,一种用于开关相关应用的半导体器件。由于IGBT是MOSFET和BJT晶体管的组合,它具有BJT
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IGBT的短路保护和过流保护
IGBT保护的问题现在只总结IGBT驱动电路和驱动芯片能保护到的IGBT的项。1.Vce过压2.Vge过压3.短路保护4.过高的didt主要是看一下短路保护和过流保护短路的定义1.桥臂内短路(直通)
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IGBT与SiC的性能对比
近几年来,电动汽车、电化学储能、以及光伏和风电等新能源市场的快速发展,市场对功率器件的需求量大增,特别是电动汽车的兴起,让IGBT常年处于供应紧张状态,且未来几年都没有缓解的迹象。此时,SiC器件也乘
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三极管、MOSFET和IGBT的区别
PN结:从PN结说起PN结是半导体的基础,掺杂是半导体的灵魂,先明确几点:1、P型和N型半导体:本征半导体掺杂三价元素,根据高中学的化学键稳定性原理,会有“空穴”容易导电,因此,这里空穴是“多子”即多
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西门子变频器常见故障现象分析及处理方法
1、 西门子通用型变频器的特点西门子变频器主要分为通用型、工程型和专用型三类,不断推出新产品,其产品能够满足不同用户的特殊要求。2、 常见故障现象分析及处理方法在我们遇到一台有故障的变频器,再上电之前
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上海陆芯汽车级IGBT产品获得AEC-Q101验证报告
9月20日,广州广电计量检测股份有限公司(简称:广电计量)联袂上海陆芯电子科技有限公司(简称:上海陆芯),于广州顺利举行“广电计量与上海陆芯合作交流会暨上海陆芯IGBT汽车级AEC-Q101验证报告颁
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IGBT适用于ZVS 还是 ZCS?
【导读】提到软开关技术,大家耳熟能详的有零电压开通ZVS(Zero voltage switching) 和零电流关断ZCS(Zero current switching),同时,尤其是在现在的电源产
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国家政策支持,中国功率半导体将迎来黄金发展期
据中国半导体行业协会的相关人士透露,有关促进集成电路发展的纲要性文件已草拟完毕,目前正在进行部际协调。上证报资讯获悉,政策扶持的重点将主要集中于集成电路的设计和制造方面,尤其是本土自主核心产业龙头企业
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耐用型650V沟道IGBT在逆变器中的应用
绝缘栅极双极性晶体管(IGBT)是具有高输入阻抗和大双极性电流能力的少数载流子功率器件。由于这些特性,IGBT非常适合电力电子中的许多应用,尤其是电机驱动器、不间断电源(UPS)、可再生能源、电焊机、
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干货分享!青铜剑高集成度、高性价比新型车用门极驱动
一、引言电机控制器作为电动汽车的核心部件之一,是衡量电动汽车技术研发能力的重要指标,关系到未来中国新能源汽车技术的发展。电动汽车电机控制器集成了主控模块、IGBT模块、IGBT门极驱动器以及冷却系统。
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高功率半导体的未来 前方道路通往何处?
电力电子系统技术之所以快速发展,功率模组乃是公认的主要推动力,尤其在节约能源、功率控制动态范围、减少杂讯、减轻重量和缩减体积方面,表现更是出色。功率半导体主要用来控制发电与耗电之间的能量流,其过程需要
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SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要,为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化,一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过,如低损耗、高速开关、高温工作等,显而易见这些优势是非常有用的。
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SiC MOSFET提高工业驱动效率
工业领域的电力应用通常基于强大的电动机,用于连续运行的风扇、泵、伺服驱动器、压缩机、缝纫机和冰箱。工业领域最常见的配置是三相电动机,由适当的基于逆变器的驱动器驱动。这些电机可以吸收高达 60% 的工业
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碳化硅 MOSFET 取代电动汽车双向充电器中的 IGBT
电动汽车 (EV) 以及更普遍的电动汽车的成功在很大程度上取决于为电池充电所需的时间。长期以来,电动汽车一直被认为是弱点之一,充电时间逐渐缩短,采用快速充电等先进解决方案,只需几分钟。直接连接到交流电
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混合IGBT支持电子应用中的更高效率
传统的 IGBT 在历史上一直受到开关损耗的影响。为了高效运行,IGBT 需要像硅 FRD 一样的续流二极管 (FRD),如图 1 所示。随着 Rohm Semiconductor 最近发布的一种混合