存储器是现代信息系统最关键的组件之一，已经形成主要由DRAM与NAND Flash构成的超千亿美元的市场。随着万物智联时代的到来，人工智能、智能汽车等新兴应用场景对存储提出了更高的性能要求，促使新型存

在第 64 届国际电子器件会议 （IEDM） 上，全球两大半导体龙头英特尔及三星展示嵌入式MRAM 在逻辑芯片制造工艺中的新技术。MRAM （MagneTIc Random Access Memory

磁阻随机存取存储器 (MRAM) 是一种非易失性存储器技术，它依靠两个铁磁层的（相对）磁化状态来存储二进制信息。多年来，出现了不同风格的 MRAM 存储器，这使得 MRAM 对缓存应用程序和内存计算越

包括三星、东芝、海力士等公司的研究团队将在IEDM发表有关MRAM的最新发展。在今年即将于美国加州举行的国际电子组件会议（IEDM）上，来自三星（Samsung）、东芝（Toshiba）、海力士（SK

晶圆代工大厂台积电和三星的竞争，现由逻辑芯片扩及内存市场。 台积电这次重返内存市场，瞄准是诉求更高速及低耗电的MRAM和RRAM等次世代内存，因传输速度比一般闪存快上万倍，是否引爆内存产业的新潮流，值

存储产业中的每一家厂商都想打造一种兼具静态随机存取存储（SRAM）的快速、快闪存储的高密度以及如同唯读存储（ROM）般低成本等各种优势的非挥发性存储。如今，透过磁阻随机存取存储（MRAM），可望解决开

全球两大半导体公司上周在第64届国际电子器件会议（IEDM）上展示了嵌入式MRAM在逻辑芯片制造工艺中的新技术。英特尔在其22FFL工艺中描述了基于自旋转移力矩（STT）-MRAM的非易失性存储器的关

（文章来源：天极网）在最近的一年，固态硬盘和内存的涨势却是让很多厂商都挣得盆满钵满的，就连美光也一反颓势，取得了相当不错的成绩。不过现在三星、海力士、美光都没有明显要扩大产能的想法，主要有两方面的考虑

泛林集团首席技术官Rick Gottscho博士接受了行业媒体Semiconductor Engineering （SE）的专访，分享他对于存储和设备微缩，新市场需求，以及由成本、新技术和机器学习应用

近十年来，在高速成长的非易失性存储器（NVM）市场的推动下，业界一直在试图利用新材料和新概念发明一种更好的存储器技术，以替代闪存技术，更有效地缩小存储器，提高存储性能。目前具有突破性的存储技术有铁电R

MRAM是一种磁性多层膜的堆栈结构，在这当中最为关键的三层，上下两层为磁性层（一为参考层，一为自由层），中间则为绝缘层。早前的MRAM的磁性层的磁化方向是水平排列，并可由电流来控制旋转方向。方向相同时

在工研院即将进入欢庆40周年院庆之际，工研院电光所的研究团队所开发出来的“垂直式自旋磁性内存技术”荣获杰出研究金牌奖，此技术乍看之下并不显眼，但该内存技术的背后，却也牵动了未来全球半导体大厂的势力布局

MR20H40CDF概述MR20H40CDF是一款SPI接口MRAM系列，其存储器阵列在逻辑上组织为512Kx8，使用芯片选择（CS）、串行输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK）的四引脚

Everspin公司生产的MRAM用于数据持久性和应用的市场和应用。Everspin MRAM应用在数据中心和云存储、汽车和运输市场。MRAM是一种利用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通

长久以来，我们这些缺乏耐性的人，一直期待着所有消费电子产品的开机时间能尽量缩短，愈快愈好。刚刚才打入消费市场的固态硬盘（SSD），已经能大幅缩减用户等待开机或将机器从睡眠中唤醒的时间，事实上，SSD已

计算机和智能手机采用不同类型的内存，根据在系统中的使用位置，内存的速度和能效会有所不同。通常情况下，大型计算机，尤其是数据中心的计算机，会使用大量的磁性硬盘，而这些硬盘目前在消费类系统中并不常见。这些