-
48层堆叠V-NAND存储器,将提升三星成本竞争契机
三星电子(Samsung Electronics)对半导体攻击性投资,最快第3季内将可推出三代48层堆叠的V-NAND存储器。这将成为大幅提升成本竞争力的契机。三星半导体部门第2季睽违5年,打平营业利
-
三星推出容量达1Tb的V-NAND单晶粒
在旧金山的闪存峰会上,三星宣布推出新一代V-NAND单晶粒,容量高达1Tb,用于消费级产品。三星表示,今后的2TB 3D闪存SSD产品将使用上这一新品,即一整颗芯片封装16Tb Die,继续减小体积。
-
新一代存储器?十年后再说吧!
很少人会想到 NAND快闪记忆体已经快要消失在地平线上、即将被某种新技术取代,笔者最近参加了一场IBMTexas Memory Systems关于快闪记忆体储存系统的电话会议,听到不少储存系统专家试