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GaN FET与硅FET的比较
功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花时间执行数个供货商所使用的成本缩减策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及更低成本的塑料封装。对于电源设计人员来说,理解GaN有可能带来的性能提升,以
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Nexperia将首次亮相第三届中国国际进口博览会
展览面积在200平方米以上的Nexperia展台位于4.1馆,展位号为4.1A4-002奈梅亨,2020年10月29日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年1