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SiC MOSFET驱动电压测试结果离谱的六大原因
【导读】开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一,由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试,而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器件波形,为了
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为什么我的处理器漏电?
问:为什么我的处理器功耗大于数据手册给出的值?答:在我的上一篇文章中,我谈到了一个功耗过小的器件——是的,的确有这种情况——带来麻烦的事情。但这种情况很罕见。我处理的更常见情况是客户抱怨器件功耗大于数
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桥式可逆pwm变换器电路分析
桥式可逆pwm变换器电路分析可逆PWM变换器主电路有多种形式,最常用的是桥式(亦称H型)电路双极式控制可逆PEM变换器的4个驱动电压波形它们之间的关系是: Ug1≠Ug4=_Ug2=-Ug3。 在个开
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针对一字型悬臂梁RF MEMS开关的两种降低驱动电压RF MEMS开关方法
作者:欧书俊,张国俊,王姝娅,戴丽萍,钟志亲(电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 611731)本文针对一字型悬臂梁RF MEMS开关,提出了两种降低驱动电压RF MEMS开关