镀铜工艺_内存溢出

技术

光亮镀铜工艺研究

通过对复配光亮剂酸性光亮镀铜工艺研究,得到该体系适宜的工艺条件为:H_2SO_4为160～200gL、CuSO_4·5H_2O为80～100gL、N为0.0010～0.0014gL、M为0.00

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2022-8-5
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