有谁知道JFET的IDSS电流是怎么测试的吗？

没有看过datasheet 但是从你描述来看 “VGS = 0V, ID = 0是电阻是25欧姆”当ID=0 时候 电阻才是25欧姆当你吧25欧姆电阻代进去计算时候就已经承认Id=0 了 ，所以你的计算是错误的 查看更多答案>>

型号: SMBT3904 描述: NPN Silicon Switching Transistor 封装: SOT-23 印记: s1A3904 三极管很普通的, 印记不同, 有 1A ; 1AM; 7A ; 等等 都可以替换
扩展知识：
A09T是一颗N沟道的低内阻场效应MOS管。
A09T具有比PW2302A更高的ID电流值，和更高的VDS耐压
A09T基本参数：VDS = 30V， ID =58A，RDS(ON) < 28mΩ @ VGS=10V
A09T采用SOT23-3L环保材质的封装形式。
A09T
A09T
A09T
通过利用 MOS 管的开关特性，利用基础设备。测试 MOS 三大参数。来判断mos关的性能。
VTH 测试方法：
V2 电压从 0 慢慢往上调，直到万用表响，此时 V2 显示的电压为该 mos 的 VTH。
RDSON 测试方法：
V1 电源设为 10V， V2 电源设为 5V 以内，限流设为 200mA，
V4 通电， V1 通电，使 MOS 管导通，用万用表测 MOS 管 DS 之间压降△VDS。（万用表调至 mV 档）
根据公式计算： RDSON(VGS=45V)=△VDS÷200mA
测 RDSON(VGS=45V),把 V1 设 45V 即可。
VDS 测试方法：
把 V3 电源电流限流在 250uA， 把 V3 电压从 0 慢慢往上调，直到电源显示有负载电流，此时 V3 显示的电压为该 mos 的 VDS 最大值。

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。

一、先确定MOS管的引脚：

1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；

1、首先找出场效应管的D极（漏极）。对于TO-252、TO-220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。

2、找到D极后，将万用表调至二极管档；

3、用黑表笔接触管子的D极，用红表笔分别接触管子的另外两个引脚。若接触到某个引脚时，万用表显示的读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极（源极），剩下的那个引脚即为G极（栅极）。

二、MOS管好坏的测量：

1、当把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个导通压降，一般在05V左右为正常；

2、G脚测量，需要先对G极充下电，把红表笔放在G极，黑表笔放在S极；

3、再次把红表笔放在S极上，黑表笔放在D极上，可以测出来这个放大压降，一般在03V左右为正常；

扩展资料

MOS管的主要参数

1、开启电压VT

开启电压（又称阈值电压）：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压；

标准的N沟道MOS管，VT约为3～6V；通过工艺上的改进，可以使MOS管的VT值降到2～3V。

2、直流输入电阻RGS

即在栅源极之间加的电压与栅极电流之比

这一特性有时以流过栅极的栅流表示

MOS管的RGS可以很容易地超过1010Ω。

3、漏源击穿电压BVDS

在VGS=0（增强型）的条件下，在增加漏源电压过程中使ID开始剧增时的VDS称为漏源击穿电压BVDS

ID剧增的原因有下列两个方面：

（1）漏极附近耗尽层的雪崩击穿；

（2）漏源极间的穿通击穿；

有些MOS管中，其沟道长度较短，不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区，使沟道长度为零，即产生漏源间的穿通，穿通后，源区中的多数载流子，将直接受耗尽层电场的吸引，到达漏区，产生大的ID。

4、栅源击穿电压BVGS

在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS，称为栅源击穿电压BVGS。

5、低频跨导gm

在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比称为跨导；

gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征MOS管放大能力的一个重要参数

一般在十分之几至几mA/V的范围内

6、导通电阻RON

导通电阻RON说明了VDS对ID的影响，是漏极特性某一点切线的斜率的倒数

在饱和区，ID几乎不随VDS改变，RON的数值很大，一般在几十千欧到几百千欧之间

由于在数字电路中，MOS管导通时经常工作在VDS=0的状态下，所以这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似

·对一般的MOS管而言，RON的数值在几百欧以内

7、极间电容

三个电极之间都存在着极间电容：栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS

CGS和CGD约为1～3pF，CDS约在01～1pF之间

8、低频噪声系数NF

噪声是由管子内部载流子运动的不规则性所引起的。·由于它的存在，就使一个放大器即便在没有信号输人时，在输出端也出现不规则的电压或电流变化

噪声性能的大小通常用噪声系数NF来表示，它的单位为分贝（dB）。这个数值越小，代表管子所产生的噪声越小

低频噪声系数是在低频范围内测出的噪声系数

场效应管的噪声系数约为几个分贝，它比双极性三极管的要小

VDS是Virus Detection System的缩写，是一种基于旁路接入方式，能够对网络传输中的数据进行计算机病毒相关检测的设备型产品形态的总称。VDS类网络安全设备为传统的主机协同防病毒机制增加了一条全网警戒线，能够增强大规模网络病毒防范的及时性和准确性，为大规模网络提供网络病毒现状的全局监控视图。另一个是VDS独立代理系统，简而言之就是在Easyweb20虚拟主机管理平台基础上增加了代理商/大型企业直接管理其域名、用户、站点的管理界面一种低成本、高可靠性、功能强大、使用简单、维护方便的虚拟独立服务器管理系统。
VDS是Virus DetectionSystem的缩写，是一种基于旁路接入方式，能够对网络传输中的数据进行计算机病毒相关检测的设备型产品形态的总称。此类产品其必备的能力包括，基于旁路接入条件获取数据包并进行协议解析和部分还原、对基于主流明文协议病毒传输的检测和对可疑对象的捕获、对病毒源头的定位、对病毒相关行为的检测、以及对相关数据的汇总、分析与呈现等等。
在VDS类产品产生之前，传统的病毒防护环节，基本都部署在主机节点上。VDS类网络安全设备为传统的主机协同防病毒机制增加了一条全网警戒线，能够增强大规模网络病毒防范的及时性和准确性，为大规模网络提供网络病毒现状的全局监控视图，因此成为当今网络安全管理的重要组成部分。
VDS尽管出现了SOC、自判定环节等外部配套系统，但其核心和基础还是作为流量获取检测探针设备。
VDS的基本组成分为六个部分：
捕包层，从网络中获得流量数据；
解码层，对网络数据进行协议分析并进行解码 *** 作，对数据进行协议层还原。
数据汇聚层，完成协议数据的汇聚，将协议解析层解析出来的网络数据，进行重新组合汇聚，以便于后续分析扫描；
检测扫描层，对汇聚的网络流量数据进行病毒分析和扫描，获取事件和病毒样本等信息；
数据层，存储和处理检测后的事件和样本等数据；
数据表现层，对检测数据进行统计处理，进行关联分析处理，并在界面实现人机交互。
亦可分为网络病毒监控端和管理端两个部分组成。监控端负责侦听网络信息流，检测进出网络的所有数据包，并进行实时分析；管理端负责系统的配置、管理和维护，提供病毒情况分类统计数据，报表输出，病毒精确定位等。

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