ddr3内存第二时序设置

ddr3内存第二时序设置的方法如下：

1、SDRAM行刷新周期时间，该数值对内存带宽影响较大，通常设置为60，放宽该参数可适当提升内存超频频率，如当DDR3内存超频到2000MHz以上频率是，建议该数值放宽到88或以上。

2、写恢复延时，该数值轻微影响内存带宽，通常该参数设置8-12左右即可。

3、内存预充电时间，通常设置8-12之间。

4、该选项通常设置为Auto即可，对性能以及稳定性影响不大。

内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：

1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”。

2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable）。

3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS。

4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址。

首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址。期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的。

扩展资料：

内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来。下面是几种参数的设置方式：

1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率。因此只要能够稳定运行 *** 作系统，应当尽量把CAS参数调低。

2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好。

3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快。

4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1。调整这个参数最好设在5－11之间。

华硕B650M-PLUS主板可以通过BIOS界面来调整内存时序。具体步骤如下：

1. 在开机时按下DEL键进入BIOS设置界面。

2. 进入“Advanced”选项卡，找到“AI Tweaker”选项。

3. 在“AI Tweaker”选项中，找到“DRAM Timing Control”选项。

4. 在“DRAM Timing Control”中，可以调整DRAM频率、CAS延迟、RAS到CAS延迟、RAS预充值延迟等参数。

5. 调整完成后，按下F10保存设置并退出BIOS界面。

需要注意的是，调整内存时序需要谨慎 *** 作，不当的设置可能会导致系统不稳定或无法正常启动。建议在调整之前先了解各个参数的含义和作用，或者参考主板的使用手册。

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