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UnitedSiC SiC FET用户指南
【导读】本SiC FET用户指南介绍了使用含快速开关SiC器件的RC缓冲电路的实用解决方案和指南。该解决方案经过实验性双脉冲测试(DPT)结果验证。缓冲电路损耗得到精确测量,可协助用户计算缓冲电路电阻
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性能出众的1200V第四代SiC FET为高压市场提供了优秀的SiC功率解决方案
【导读】UnitedSiC(现名Qorvo)扩充了其1200V产品系列,将其突破性的第四代SiC FET技术推广到电压更高的应用中。新UF4CSC系列中的六款新产品的规格从23毫欧到70毫欧,现以T
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SiC FET的起源及其向着完美开关发展的历程
【导读】使用宽带隙半导体作为高频开关为实现更高的功率转换效率提供了有力支持。一个示例是,碳化硅开关可以实施为SiC MOSFET或以共源共栅结构实施为SiC FET。本白皮书追溯了SiC FET的起源