IC寄存器怎么在程序中加dummy

IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外，还要增加一些与LVS（电路匹配）无关的图形，以减小中间过程中的偏差，我们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer　是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的，比如metal　density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal　密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射，关键图形四周情况大致相当，避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子，其中还夹杂一些其他内容：

1，MOS　dummy

在MOS　两侧增加dummy poly，避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring　连接VSS，接着加N　type guard ring　连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD，接着加P　type连接VSS。拆分MOS应为偶数根，Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。

3, CAP dummy

增加dummy方法类似，用Nwell阻挡相自于substrate的noise，Nwell接高电位与sub 反偏。

1.8版本：

1.添加dummy记分板

2.做好命令方块脉冲

3.在命令方块脉冲上放置命令方块，内填指令，增加dummy记分板玩家分数为0

4.在命令方块脉冲中添加命令方块，填入指令，增加dummy上玩家分数1点

4.execute结合选择器检测分数，当分数达到某个数字时（一秒增加20分），执行blockdata指令，更改指定坐标的箱子内物品（改nbt）

1.9至更高：

icb：添加dummy记分板并将dummy记分板上玩家分数设置为0

rcb：填入指令，增加dummy记分板上玩家分数1点（指向ccb）

ccb：被rcb指着，内填指令，检测分数为某个数字时，执行blockdata指令（高版本可能指令不叫blockdata了，根据wiki说明来修改），修改指定坐标箱子的nbt来做到修改内部物品

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