IC寄存器怎么在程序中加dummy

IC寄存器怎么在程序中加dummy,第1张

IC版图除了要体现电路的逻辑或功能确保LVS验证正确外,还要增加一些与LVS(电路匹配)无关的图形,以减小中间过程中的偏差,我们通常称这些图形为dummy layer。有些dummy layer 是为了防止刻蚀时出现刻蚀不足或刻蚀过度而增加的,比如metal density 不足就需要增加一些metal dummy layer以增加metal 密度。另外一些则是考虑到光的反射与衍射,关键图形四周情况大致相当,避免因曝光而影响到关键图形的尺寸。下面列举了几个例子,其中还夹杂一些其他内容:

1,MOS dummy

在MOS 两侧增加dummy poly,避免Length受到影响。对NMOS先加P type guard ring 连接VSS,接着加N type guard ring 连接VDD。对PMOS先加N type 连接VDD,接着加P type连接VSS。拆分MOS应为偶数根,Source端与四周guar ring就近连接。比如拆分NMOS为偶数根, 连接VSS的端在外侧并直接与四周guard ring相连。

3, CAP dummy

增加dummy方法类似,用Nwell阻挡相自于substrate的noise,Nwell接高电位与sub 反偏。

1.8版本:

1.添加dummy记分

2.做好命令方块脉冲

3.在命令方块脉冲上放置命令方块,内填指令,增加dummy记分板玩家分数为0

4.在命令方块脉冲中添加命令方块,填入指令,增加dummy上玩家分数1点

4.execute结合选择器检测分数,当分数达到某个数字时(一秒增加20分),执行blockdata指令,更改指定坐标的箱子内物品(改nbt)

1.9至更高:

icb:添加dummy记分板并将dummy记分板上玩家分数设置为0

rcb:填入指令,增加dummy记分板上玩家分数1点(指向ccb)

ccb:被rcb指着,内填指令,检测分数为某个数字时,执行blockdata指令(高版本可能指令不叫blockdata了,根据wiki说明来修改),修改指定坐标箱子的nbt来做到修改内部物品


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原文地址: http://outofmemory.cn/bake/11463784.html

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