virtuoso 怎么添加IO

virtuoso 添加IO如下：

virtuoso添加新库 tool-library editor-edit-add library 找到需要的库添加即可 新加入库也需要版定才能使用 注意:新的库要放在虚拟机里(如DOCUMENT中)。

以反相器为例。

Tool → Library manager

选中一个库

File → new → cell view

新建一个库，向库中新建cell，新建cell后会自动d出原理图绘制界面

先画原理图：

快捷键介绍：

（1）添加元器件：i，左键放置、右键旋转、Esc推出载入

（2）查看器件参数值：选中某元件后按q

（3）保存电路原理图：x

（4）撤销上次 *** 作：u

（5）居中显示原理图：f

（6）缩小显示窗口：[

（7）放大显示窗口：]

（8）退出：Esc

（9）移动pin：选中后按键盘的shift+m，单击右键是旋转

注意：pin命名最好大写（因为有些工艺制程下进行LVS/DRC检测的时候，只认大写）

原理图画完之后，要建立symbol用于仿真：

随后要基于建立的symbol，画testbench

画testbench时需要对具体工作情景建模，然后选择相应的器件。

从芯片外部引入的电源和地，会存在封装上引线的电感，对于这个电感的模型是需要模拟出来的，在电路仿真中需要把这个电感的模型带入到testbench中，在这里要添加一个理想的电感。

对于常规的QFN\QFP的封装，1um bonding线（金线）等效的电感值在1nH左右、等效阻抗50mΩ，连在引脚上的电源的引线大概有2um左右，由于地线不是直接bonding到封装的管脚上，而是bounding到芯片背面大片的金属地上，这是个单bond、引线电感会小一些，一般在1mm以内，设为1nH，阻抗50mΩ

（10）引线命名：l（小写的L）

（11）进入下一层：e

（12）返回上一层：ctrl+e

（13）电感：ind，电容：cap，电压脉冲发生器：vpulse

观察输出波形，需要增加元器件电容，作为输出的负载。

仿真：Tools → analog environment，这里进行了直流仿真和瞬态仿真

Print直流工作点的方法：

画图方法：

有两种画图风格可供选择：

inverter仿真；减小P管宽长比带来的影响（蓝色），翻转阈值下降了（可以理解成PMOS需要更低的栅极电压才可以开启）

基于原理图生成版图：

LSW：版图设计时所有层的信息

深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的NWELL里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。

本工艺下用到的是1P6M的配置，只用到了M1~M6，1层多晶硅，6层金属互连层，

e.g.：

v1：M1到M2之间的过孔

v2：M2到M3之间的过孔

（14）显示版图的所有层次：shift + f

（15）以框图显示版图：ctrl + f

打散Pcell：

设置格点分辨率：

显示连线关系：

options→display

（16）连线快捷键：p（敲p后点击连接起始端，选择要连的层，再单击结束端，再回车结束）

（17）尺子：k

（18）清除尺子：shift + k

（19）画矩形：r

（20）逐步缩小版图：shift + z

（21）只看某一层：(例如只看M1)LSW窗口选中M1，点击NV，点击版图界面，敲f

（22）整体移动版图某区域，且相应线拉伸：先将selection mode（options→selection）由full改为partial，然后左键框选相应区域，敲s后拖动到相应位置后，左键取消选中

衬底接触环（N阱保护环），guard ring

---