目前主流主板BIOS中常见的内存参数设置选项主要有以下几种:CAS Latency Control(tCL)、RAS to CAS Delay(tRCD)、Row Precharge Timing (tRP)、Min RAS Active Timing(tRAS),部分主板还提供了Command Per Clock(CMD)选项。除了上述常见参数设置外,大部分主板的BIOS中还提供了内存高级参数设置,这些参数包括:Row to Row Delay(或RAS to RAS delay,tRRD)、Row Cycle Time(tRC)、Write Recovery Time(tWR)、Write to Read Delay(tWTR)、Refresh Period(tREF)等。需要提醒大家的是,不同主板厂商、不同品牌的BIOS在参数名称上可能存在一定差异,但是对应的缩写基本都是统一的。所以大家不用可以去记下参数的详细名称,只要记住对应的缩写就可以了。
究竟这些参数的改变对内存的帮助有多大,而在超频的时候,究竟采用哪个参数呢?相信就是高手也不能立刻回答这些问题。为了让喜欢玩内存的朋友更加深入了解这些参数设置,我们就用评测数据来解开内存设置之谜。如果你自认是高手,那么以下的文章内容,你能不看吗?
经过52硬件的测试和分析,我们可以对影响DDR2内存的诸多因素进行一个简单的小结——在所有因素中,工作频率对于DDR2内存影响最为突出。用户比较关心的内存时序、CMD等参数对于内存性能也有一定影响,但与频率变化相比影响要小一些。所以,对于追求内存性能的用户而言,大家应该把提升内存频率放在首位。找到一个相对合适的超频频率后,再通过调整内存参数对内存性能进行进一步的优化。
具体到内存参数调节,通过此前的测试中我们可以看到调节时序参数可以在一定程度上提升内存性能,但提升幅度只有1%-2%。在实际调节过程中,大家可以先将tCL、tRCD、tRP、tRAS几大参数设定为较低的数值,如果内存出现不稳定的情况,我们再逐渐增加以上几项参数的延迟设置。考虑到tCL参数对内存性能影响较大,建议先增加tRCD、tRP、tRAS,最后再增加tCL参数延时。
对于大家比较关心的1T/2T设置,它对性能的影响要比时序参数明显一些,测试中内存在1T设置下性能有1%-3%左右的提升。不过在采用1T设置后,内存的稳定性大幅降低,超频幅度也受到明显制约。综合考虑,笔者认为追求性能的玩家可以尝试使用1T设置,但这必须是以不影响内存稳定性和超频空间为前提的。如果用户盲目追求使用1T设置而影响到系统的稳定性和内存的超频能力,这种做法显然得不偿失。至于普通用户,笔者认为最好不要去更改内存的1T/2T设置。
总而言之,如果用户希望获得更好的内存性能,那么最有效的办法的就是适当提升内存频率,这样内存的性能提升也是最为显著的。在对内存进行超频后,如果大家还希望进一步优化内存性能,那么可以适当降低tCL、tRCD、tRP、tRAS以及CMD参数设置。不过在降低参数延迟的过程中如果内存出现不稳定的情况,那么大家就应该逐步增加参数延迟(特别是CMD参数),这样才能兼顾性能和稳定性。最后,笔者为大家总结了内存性能优化的 *** 作流程(如下所示),希望这些流程能够帮助大家充分挖掘内存的性能:
在默认参数下对内存进行超频,确定内存能够稳定工作的超频频率,其间可适当增加内存电压,但为了安全起见最好不要超过2.1V。(如果用户不打算对内存进行超频,只是想通过优化参数获得更好的性能,可直接跳至第二步)。
1:将内存延时设置在较低的水平,比如DDR2-800内存可以设定为4-4-4-10,更高频率内存可以设定为5-5-5-15。同时将CMD参数设置为1T,并利用测试软件检查内存是否能够稳定工作。
2:假如降低参数延迟后内存出现不稳定的情况,建议首先将CMD参数调整为AUTO或2T,再使用软件检测内存的稳定性。
3:如果内存在2T或AUTO模式下仍然无法工作,用户可将逐步提高tCL、tRCD、tRP、tRAS参数的延时设置。
4:对于tCL参数对内存性能影响较大,大家可以先增加tRCD、tRP、tRAS参数的延迟,最后再增加tCL参数延迟,直至内存能够稳定工作为止
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