关于离子导体薄膜介绍

[拼音]：lizi daoti bomo

[外文]：thin film of ionic conductor

薄膜化的离子导体。它不仅可以克服多数离子导体的离子电导率比较低的缺点，而且便于使固体离子器件小型化，同时还可能具有与块料不同的特性，因而引起人们的重视。太薄的膜容易出现贯穿薄膜的微小孔道即针孔缺陷，影响使用；而太厚的薄膜又与块料的性能差不多，因此离子导体薄膜的厚度通常在1～20μm之间。除常用的真空淀积、化学蒸发淀积和喷镀等薄膜制备方法外，还用电化学法、放电法和等离子喷镀等特殊工艺来制备离子导体薄膜。衬底与薄膜材料之间点阵常数和热膨胀系数的差异，往往在薄膜中引起残余d性应力。薄膜离子器件中包含有几个相继沉积的薄膜，因而应力的大小是器件成败的关键。

离子导体薄膜电导率与膜的取向有关，而取向又受衬底温度和衬底材料的影响。薄膜电导率通常比块料高，例如以云母为衬底，在35°C制备的AgBr薄膜的电导率比单晶的高三个数量级。

用离子导体薄膜作为固体电解质已作成薄膜电池、高温燃料电池、库仑计、定时器、气体探测器和电色显示器等多种固体离子器件。对薄膜的制备、性能和应用的研究仍将是快离子导体研究的重要方面。