5g小基站关键技术，5G基站芯片

2022年12月10日，在2022中国国际应用科技交易博览会上，国产5G通信基站GaN功率放大器芯片，在中国发明成果转化研究院展区对外亮相。

由中国科学院精英等高端人才组成的本创微电子团队，历经3年技术攻关，拥有工艺结构、封装结构多项专利，已完成多款关键GaN功率放大器芯片设计，并已获中电集团客户认证成功。并已获得中电集团客户认证成功，计划2022年正式推出。

未来最大数据率料达每秒10Gbit，不仅人们之间相互快速通信，汽车、设备乃至生产机器人都将加入到网络中，届时物联网、工业4.0或无人驾驶汽车都可实现“实时无线电通信”，不仅可靠而且可望更加廉价。据悉，此举亦打破国外对高性能GaN器件实行对华禁运之垄断。

相比第1代与第2代半导体材料,第3代半导体材料是具有较大禁带宽度的半导体材料。第3代半导体主要包括碳化硅、氮化铝、氮化镓、金刚石、氧化锌。第三代半导体具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率电器。

此外，第三代半导体材料由于具有发光效率高、频率高等特点，从而在一些蓝、绿、紫光的发光二极管、半导体激光器等方面有着广泛的应用。

GaN是第三代半导体的代表材料，采用GaN的微波射频器件目前主要用于军事领域及4G/5G通讯基站应用场景。

出于军事安全的考量，国外就高性能的「氮化镓」器件实行对华禁运。因此，发展自主GaN射频功放产业，对于打破国外垄断具有重要的意义。

中国发明成果转化研究院有关负责人表示，在5G时代下，GaN将在无线通信和国防领域大展拳脚，以其功率／效率水平和高频性能，在高性能无线解决方案中发挥关键作用。