真我gt大师探索版闪存规格-闪存多少

这款真gt大师发现版的手机为用户提供了超高的手机价值。不仅为用户提供了良好的手机外形设计，也为用户提供了良好的手感体验。还为用户提供了骁龙870的处理器性能，带来了不错的手机5G性能。真gt主控探索版的闪存规格是多少？

我是真正的gt大师探索闪存规格

为用户提供lpddr4x+ufs3.1；闪存规格。

LPDDR内存的全称是低功耗双倍数据速率SDRAM，中文意思是低功耗双倍数据速率内存，主要用于移动设备。

LPDDR4X

总线频率2133Mhz，架构64x和86x，电压1.8/1.1/0.6V。

LPDDR5

数据速率3200Mhz，架构64x，电压1.8/1.05/0.9/0.5v。

在数据传输方面，新的LPDDRR5比LPDDR4x快1.5倍左右。LPDDR5的传输速度为51.2Gbps，频率为6,400Mbps。

LPDDR4和LPDDR4x采用32位双通道架构(2x16位)进行改进。LPDDR5将移回到单个16位通道，但每个通道中的存储体数量增加到2倍。LPDDR4X只支持单银行组，而LPDDRR5支持多银行组模式。这里可以理解为，数据传输从单通路变成了多通路，进一步提高了数据传输的带宽。

UFS，全称是通用闪存通用闪存存储，而采用HS-G4规范的UFS3.0标准，单通道带宽11.6Gbps，性能是UFS2.1的两倍简单来说，UFS3.0标准传输速度更快，功耗更低，软件响应更快，程序运行更流畅，省电效果更好，对于喜欢玩手游的用户来说将是福音。

与UFS3.0相比，UFS3.1增加了三个功能。

1.写加速(写加速)

WriteTurbo，字面意思是提高设备的写入速度。

有了这个特性，闪存的写入速率会大大提高。UFS3.1的写入速度提升至700MB/s，而UFS3.0的顺序写入速度高达500MB/s..

WriteTurbo原理接近TLC/QLCSSD中的动态压缩部分空来模拟SLC缓存。从读写性能更强的部分写入数据，用容量换取性能。然后，文件会在空空闲时间自动排序，并以标准形式存储，从而释放之前压缩所占用的额外的空。

我个人的理解是先把闪存分成一个缓存区，然后让这个更快的缓存区先接收文件，然后等手机空空闲，再把里面存在的东西默默的存到普通的闪存区。

2、深度睡眠(DEEPSleep)

嗯，睡眠，就像我们睡觉时一样，减少消耗。深度睡眠可以使闪存在空空闲时间进入低功耗睡眠状态，保证手机在空闲时更加省电，降低设备的功耗，有助于手机在空闲时间的功耗控制，间接提高手机的续航能力。

3.主机性能助推器(HPB，主机性能助推器)

HPB的主要功能是提高手机的阅读性能。realme副总裁王伟向HPB解释，手机在使用中会越来越卡，原因之一是读取越来越慢，这是文件系统碎片化和设备随机读取性能退化造成的。设备的缓存能力是有限的，L2P映射表的频繁过载导致过多的性能开销。HPB利用手机RAM缓存L2P地图表，提高读取性能，尤其是长期使用后的随机读取能力。总之，HPB意在解决手机越来越卡的“老毛病”。

我觉得这个功能很重要。这个卡顿问题直接关系到手机的使用寿命。之前的数据显示，安卓手机的平均流畅使用时间为18个月。这里要注意的是流畅使用。很多人换手机的一个很重要的原因就是手机边缘越来越卡，HPB不得不出现。如果真的能解决手机的卡顿问题，相信一定程度上会延长手机的使用寿命。

在实际测试中，UFS3.1的性能远远优于UFS3.0。本测试从顺序阅读、顺序写作、随机阅读和随机写作四个方面进行比较。结果如下

1.顺序读取:实测值为1772.65mb/s，ufs3.1的速度比ufs3.0高19.4%。

2.顺序写入:实测值为728.67MB/SUFS3.1比UFS3.0快37.5%。

3.随机读取:实测值为286.03MB/SUFS3.1，比UFS3.0快14.5%。

4.随机写入:实测值为239.15MB/SUFS3.1，比UFS3.0快10.5%。

总体来看，UFS3.1的综合性能比UFS3.0高15%左右。

Ps:这款手机还为用户提供了骁龙870的好处理器，带来了不错的旗舰5G性能。也为用户提供了120Hz三星柔性屏显示的好手机，值得入手。