互联网时代的终端多数是富设备，有高速cpu、大内存、触摸屏幕、存储器、摄像头、音频模块等等，而在物联网中，更多的是贫设备，相对于手机和PC，这些设备不是却这个就是缺那个，就算什么都有，配置也非常低。用户的要求就是平台的需求，用户间的差距巨大、类别繁多是物联网面对的主要问题。这时，对于新的生态系统的核心 *** 作系统就需要体积小、能耗低、速度快、延时小，特别是对延时的要求极高，需要达到毫秒级，毕竟人可以忍着沮丧的心情等待，设备没有感情只有规则，它们可不会等待，如果延时过大，物联网将变得毫无意义。不仅如此，对于类别复杂的设备，还需要有互助机制，利用富设备的资源帮助贫设备，以完成任务。
互联网升级为物联网必然在近几年完成，所有一切相关要素都将发生适应性变化，现在看来，在美国打压华为的背景下，这种进程被人为地加速了。
2007年，苹果正式发布iPhone，2008年，第一款真正意义上的Android手机问世，此后的10余年时间，虽然不断地有公司挑战android的地位，但均无建树，可以说移动互联网 *** 作系统的天下就是苹果和谷歌。
而随着谷歌Fuchsia和华为鸿蒙（Harmony）的推出，沉寂了10余年的 *** 作系统领域烽烟再起，即将开始战国时代。
由于设备类型复杂，未来的 *** 作系统应该有别于现有linux的宏内核，改用微内核，这成为未来 *** 作系统的开发方向。从公开的信息得知，目前谷歌的Fuchsia、华为的Harmony都是微内核，苹果也采用了一部分微内核。至于IBM近期收购的红帽linux应该没有变化，依然采用宏内核。微软的windows系列没有赶上移动互联网，在物联网时代似乎也没用看到有大的动作。
如果苹果依然维持封闭的状态，那么在开源 *** 作系统展开竞争的只有华为和谷歌两家。
Fuchsia不同于安卓使用的Linux内核，采用比较新的Zircon的内核，与当下Android相比，无论是存储器还是内存之类的硬件要求都大幅降低，可以看出这是一款面向物联网的家用电器用的系统。
而鸿蒙 *** 作系统具有四大技术特性：1分布式架构首次用于终端OS，实现跨终端无缝协同体验；2确定时延引擎和高性能IPC技术实现系统天生流畅；3基于微内核架构重塑终端设备可信安全；4通过统一IDE支撑一次开发多端部署，实现跨终端生态共享。
目前看来，华为的鸿蒙 *** 作系统更胜一筹，但毕竟姜还是老的辣，浸 *** 作系统数年的老江湖谷歌也不是吃素的，如此一来，在 *** 作系统领域必将展开厮杀，结局很严重，关乎两个公司的生死存亡，毕竟对于 *** 作系统，两个开源平台显得多余，将额外消耗不必要的全球化资源。
从产业链来看，华为的通讯公司背景有利于新生态的建立，并且鸿蒙 *** 作系统的一些新特性也属于世界首创，在背水一战的状态下，华为极有可能置于死地而后生，任正非几天前说过这样一句耐人寻味的话：“以前们就是想赚点小钱，现在我们的目标就是战胜美国”，而 *** 作系统正是迈向胜利的第一步，也是最为关键的一步。
移远通信是全球领先的物联网解决方案供应商，我们的使命是将设备和人员与网络和服务连接起来，推动数字创新并帮助构建更智能的世界。我们的产品可助力实现更为便捷、高效、舒适、富裕和安全的生活。
自 2010 年成立以来，移远通信迅速成为全球发展最快的蜂窝模组供应商，现已成为业内最大的蜂窝模组供应商。
大概说说公司产品，以个例说明
移远通信 RM500Q-AE 是一款专为 IoT/eMBB 应用而设计的 5G Sub-6 GHz 模块。采用 3GPP Release 15 技术，同时支持 5G NSA 和 SA 模式。RM500Q-AE 采用 M2 封装，与移远通信 LTE-A Cat 6 模块 EM06、Cat 12 模块EM12-G、EM120R-GL 和 EM121R-GL，以及 Cat 16 模块 EM160R-GL 兼容，方便客户从 LTE-A 迁移到 5G。
RM500Q-AE 模块为工规级模块，仅适用于工业级和商业级应用。
RM500Q-AE 几乎覆盖了全球所有主流运营商。集成多 星座 高精度定位 GNSS（支持 GPS、GLONASS、BeiDou 和Galileo）接收机，在简化产品设计的同时，还大大提升了定位速度和精度。
RM500Q-AE 内置丰富的网络协议，集成多个工业标准接口，并支持多种驱动和软件功能（如 Windows7/8/81/10、Linux、Android 等 *** 作系统下的 USB/PCIe 驱动等），极大地拓展了其在 IoT 和 eMBB 领域的应用范围，如工业级路由器、家庭网关、机顶盒、工业笔记本电脑、消费笔记本电脑、工业级 PDA、加固型工业
平板电脑、视频监控和数字标牌等。
L76 系列模块（L76、L76-L 和 L76B）
主要特点：
尺寸紧凑、使用方便
丰富的功能接口
可用于供电和数据传输的 Micro-USB 接口
模块工作状态指示灯
可提供适用的外部电池
该评估套件包含：
介绍 EVB 连接方式、EVB 配件的单页说明书
Micro-USB 数据线
GNSS 有源天线（33V）
包含 USB 驱动和相关文档的光盘
BG600L-M3 是一款支持 3GPP Release 14 协议规范的多模（LTE Cat M1、LTE Cat NB2 和 EGPRS）LPWA 模块。在 LTE Cat M1 网路下，模块可支持最大上行速率 1119 kbps 和最大下行速率 588 kbps。采用内置 MCP 以及支持 ThreadX 系统的 ARM Cortex A7 处理器，该模块功耗超低；与同类 LPWA 模块相比，其 PSM 功耗降低 70%、eDRX 模式下功耗降低 85%。
BG600L-M3 拥有一整套基于硬件设计而实现的安全功能，可让受信任的应用程序直接在 Cortex A7 TrustZone 引擎上运行。其封装尺寸为 187 mm 160 mm 21 mm，同时还具有低功耗、高集成度、高机械强度等特点，能最大限度地方便客户进行产品开发。模块采用 LGA 封装，特别适用于当代大规模生产的自动化贴片需求，易于 SMT 焊接和售后维护。
丰富的互联网协议、工业级标准接口以及丰富的功能，将模块的适用范围扩展到更广泛的 M2M 应用上，如无线POS、智能计量、追踪、可穿戴设备等。
AG550Q是移远通信开发的一系列车规级5G NR Sub-6GHz模块，支持5G NR独立组网（SA）和非独立组网（NSA）模式。采用3GPP Rel 15技术，该模块在5G NR网络下最高可支持212Gbps下行速率和 900Mbps上行速率，在LTE-A网络下最高可支持202Gbps下行速率和75Mbps上行速率。通过其C-V2X PC5直接通信功能（可选），AG550Q可广泛应用于车联网领域，为实现智能 汽车 、自动驾驶和智能交通系统的建立提供可靠解决方案。同时，该模块支持双卡双通（可选）和丰富的功能接口，为客户开发应用提供了极大的便利。其卓越的ESD和EMI防护性能，确保其在恶劣环境下的强大鲁棒性。
为满足不同的市场需求，AG550Q共包含多个系列型号：AG550Q-CN、AG550Q-EU、AG550Q-NA和AG550Q-ROW。同时，该模块向后兼容现有的GSM、UMTS和LTE网络，因此在目前没有部署5G NR网络的地区以及没有3G/4G网络覆盖的偏远地区均可实现连接。
AG550Q支持多输入多输出（MIMO）技术，在同一频段的发射端和接收端分别使用多个天线，使信号通过发射端与接收端的多个天线传送和接收，从而大大降低误码率、改善通信质量。该模块支持高通 IZat 定位技术Gen9VT Lite（GPS、GLONASS、BeiDou、Galileo和QZSS），结合其可选的QDR 30和多频GNSS接收机（L1/L2/L5），在简化产品设计的同时，还可提供更快、更精准、更可靠的定位服务。
该系列模块可为 汽车 原厂和一级 汽车 部件供应商提供安全可靠的互联 汽车 解决方案，也可以为 汽车 制造商提供智能灵活的自动驾驶 汽车 制造解决方案，可广泛应用于远程信息处理器（T-Box）、远程信息控制单元（TCU）、高级驾驶员辅助系统（ADAS）、C-V2X（V2V、V2I、V2P）系统、车载单元（OBU）、路边单元（RSU）和其他智能网联和 汽车 制造领域。
AF50T 是移远通信新推出的车规级、高性能、低成本的Wi-Fi 6 & BT 51 模块；支持2 2 MU-MIMO，最高数据传输速率可达17745Mbps。其超紧凑的封装尺寸195 mm 215 mm 23 mm，能最大限度地满足终端产品对小尺寸模块产品的需求，并帮助客户有效减小产品尺寸、优化产品成本。该模块用于与移远通信车规级LTE-A/5G 模块AG520R/AG550Q 搭配使用以建立可靠的LTE-A/5G+Wi-Fi/BT 应用方案。
采用SMT 贴片技术，AF50T 可靠性高、能满足复杂环境的应用需求。紧凑的LGA 封装使其尤其适用于尺寸受限、并要求可靠网络连接的场合。该封装类型适合大规模、自动化生产，能有效帮助降低生产成本、提高生产效率。
基于可靠的PCIe 20 接口，模块可实现高速率、低功耗的WLAN 无线传输。结合其紧凑尺寸、较低功耗、超宽温度范围以及高可靠性，AF50T 可满足车载领域各类应用需求。
QuecHub —端通过物联网协议网关桥接设备运行，另一端通过客户应用运行。通过单步加载即可立即使用可部署云的模组创造性地完成统一的云访问程序。该接口还提供支持轻松编码的 RESTful API 网关，从而实现设备与各种 Web 和移动应用的快速集成。
全球物联网设备连接 数增长势头强劲，IoT Analytics 预计 2025 年全球物联网设备（包括蜂 窝及非蜂窝）联网数量超 300 亿。据 GSMA 数据，中国 2020 年物联 网行业市场规模约 17 万亿，预计2025 年市场规模达到 28 万亿，CAGR 达 11%，中国引领全球物联网行业发展。模组承接物联网产业链上下 游两端，直接受益上下游高景气度。
国内物联网芯片厂商加快国产替 代进程，将显著降低模组厂商成本，带动中游模组需求增长。基于模 组自身的普适性及可定制性，模组行业充分受益于下游垂直应用的多 元需求，市场空间广阔；鸿蒙的推出将为下游应用场景带来增量；中 国移动开启 5G 通用模组集采，推动模组价格下行，促进 5G 行业应用 拓展，进一步带动 5G 模组需求爆发。
车载模组是 汽车 接入车联网的重要底层硬件，可应用于 汽车 主机、T-BOX、OBD、OTA 等车载的不同领域。伴随通信技术迭代和智能 汽车 的发展，车载模组 需求迎来爆发。佐思汽研预计 2025 年全球 汽车 无线通信模组装载量将 到达 2 亿片，2020-2025 年 CAGR 达 15%，其中中国 汽车 无线通信模组 装载量将达到 9000 万片，2020-2025 年 CAGR 达 19%；5G 模组渗透率 提升，佐思汽研预计 2025 年中国车载 5G 无线通信模组的装配率达到 35%左右。
由于车规级产品对实施传导、安全性、稳定性等各方面性 能要求相比消费级、工业级产品更为严苛，同时 5G 车规级模组集成 度进一步提升，车载模组尤其是 5G 车载模组单产品价值量更高。未 来智能网联 汽车 将逐渐普及，车载模组渗透率持续提升，行业有望迎 来量价齐升的发展机遇。
公司具备完整的车载模组产品线，覆盖 5G、 LTE、C-V2X、Wi-Fi6 和高精度 GNSS 定位等前沿技术，基于全球领 先的车规级平台研发了丰富的产品，契合 汽车 厂商对智能 汽车 升级换 代的技术连续性需求。公司与高通等领先的芯片厂商合作，推出的产品与上游芯片面世时间相差较短，可保证客户最新车型在技术上处于 领先优势；
公司量产经验丰富，已为全球超过 60 家主流 Tier 1 供应商 和 30 多家知名整车厂提供车载前装和后装智能连接设计，主要应用于 T-BOX、车载导航系统等场景中，在全球已交付量产项目近 50 个。公 司国内 4G 通信模组市场份额排名第一，伴随着智能 汽车 景气度的高 增，车载模组市场将为公司打开长期增长空间。
台积电开启晶圆代工时代，成为集成电路中最为重要的一个环节。 1987 年，台积电的成立开启了 晶圆代工时代，尤其在得到了英特尔的认证以后，晶圆代工被更多的半导体厂商所接受。晶圆代工 打破了 IDM 单一模式，成就了晶圆代工+IC 设计模式。目前，半导体行业垂直分工成为了主流， 新进入者大多数拥抱 fabless 模式，部分 IDM 厂商也在逐渐走向 fabless 或者 fablite 模式。
全球晶圆代工市场一直呈现快速增长，未来有望持续 。晶圆代工+IC 设计成为行业趋势以后，受益 互联网、移动互联网时代产品的强劲需求，整个行业一直保持快速增长，以台积电为例，其营业收 入从 1991 年的 17 亿美元增长到 2019 年的 346 亿美元，1991-2019 年，CAGR 为 21%。2019 年全球晶圆代工市场达到了 627 亿美元，占全球半导体市场约 15%。未来进入物联网时代，在 5G、 人工智能、大数据强劲需求下，晶圆代工行业有望保持持续快速增长。
晶圆代工行业现状：行业呈现寡头集中。 晶圆代工是制造业的颠覆，呈现资金壁垒高、技术难度大、 技术迭代快等特点，也因此导致了行业呈现寡头集中，其中台积电是晶圆代工行业绝对的领导者， 营收占比超过 50%，CR5 约为 90%。
晶圆代工行业资金壁垒高。 晶圆代工厂的资本性支出巨大，并且随着制程的提升，代工厂的资本支 出中枢不断提升。台积电资本支出从 11 年的 443 亿元增长到 19 年的 1094 亿元，CAGR 为 12%。 中芯国际资本性支出从 11 年的 30 亿元增长到了 19 年的 131 亿元，CAGR 为 20%，并且随着 14 nm 及 N+1 制程的推进，公司将显著增加 2020 年资本性支出，计划为 455 亿元。巨额投资将众多 追赶者挡在门外，新进入者难度极大。
随着制程提升，晶圆代工难度显著提升。 随着代工制程的提升，晶体管工艺、光刻、沉积、刻蚀、 检测、封装等技术需要全面创新，以此来支撑芯片性能天花板获得突破。
晶体管工艺持续创新。 传统的晶体管工艺为 bulk Si，也称为体硅平面结构（Planar FET）。 随着 MOS 管的尺寸不断的变小，即沟道的不断变小，会出现各种问题，如栅极漏电、泄漏功 率大等诸多问题，原先的结构开始力不从心，因此改进型的 SOI MOS 出现，与传统 MOS 结 构主要区别在于：SOI 器件具有掩埋氧化层，通常为 SiO2，其将基体与衬底隔离。由于氧化 层的存在，消除了远离栅极的泄漏路径，这可以降低功耗。随着制程持续提升，常规的二氧 化硅氧化层厚度变得极薄，例如在 65nm 工艺的晶体管中的二氧化硅层已经缩小仅有 5 个氧 原子的厚度了。二氧化硅层很难再进一步缩小了，否则产生的漏电流会让晶体管无法正常工 作。因此在 28nm 工艺中，高介电常数（K）的介电材料被引入代替了二氧化硅氧化层（又称 HKMG 技术）。随着设备尺寸的缩小，在较低的技术节点，例如 22nm 的，短沟道效应开始 变得更明显，降低了器件的性能。为了克服这个问题，FinFET 就此横空出世。FinFET 结构 结构提供了改进的电气控制的通道传导，能降低漏电流并克服一些短沟道效应。目前先进制 程都是采用 FinFET 结构。
制程提升，需要更精细的芯片，光刻机性能持续提升。 负责“雕刻”电路图案的核心制造设备是光刻机，它是芯片制造阶段最核心的设备之一，光刻机的精度决定了制程的精度。第四 代深紫外光刻机分为步进扫描投影光刻机和浸没式步进扫描投影光刻机，其中前者能实现最 小 130-65nm 工艺节点芯片的生产，后者能实现最小 45-22nm 工艺节点芯片的生产。通过多 次曝光刻蚀，浸没式步进扫描投影光刻机能实现 22/16/14/10nm 芯片制作。到了 7/5nm 工艺， DUV 光刻机已经较难实现生产，需要更为先进的 EUV 光刻机。EUV 生产难度极大，零部件 高达 10 万多个，全球仅 ASML 一家具备生产能力。目前 EUV 光刻机产量有限而且价格昂 贵，2019 年全年，ASML EUV 销量仅为 26 台，单台 EUV 售价高达 12 亿美元。
晶圆代工技术迭代快，利于头部代工厂。 芯片制程进入 90nm 节点以后，技术迭代变快，新的制程 几乎每两到三年就会出现。先进制程不但需要持续的研发投入，也需要持续的巨额资本性支出，而 且新投入的设备折旧很快，以台积电为例，新设备折旧年限为 5 年，5 年以后设备折旧完成，生产 成本会大幅度下降，头部厂商完成折旧以后会迅速降低代工价格，后进入者难以盈利。
21摩尔定律延续，技术难度与资本投入显著提升
追寻摩尔定律能让消费者享受更便宜的 算 力，晶圆代工是推动摩尔定律最重要的环节。 1965 年， 英特尔（Intel）创始人之一戈登·摩尔提出，当价格不变时，集成电路上可容纳的元器件的数目， 约每隔 18-24 个月便会增加一倍，性能也将提升一倍，这也是全球电子产品整体性能不断进化的核 心驱动力，以上定律就是著名的摩尔定律。换而言之，每一美元所能买到的电脑性能，将每隔 18- 24 个月翻一倍以上。推动摩尔定律的核心内容是发展更先进的制程，而晶圆代工是其中最重要的 环节。
摩尔定律仍在延续。 市场上一直有关于摩尔定律失效的顾虑，但是随着 45nm、28nm、10nm 持续 的推出，摩尔定律仍然保持着延续。台积电在 2018 年推出 7nm 先进工艺，2020 年开始量产 5nm， 并持续推进 3nm 的研究，预计 2022 年量产 3nm 工艺。IMEC 更是规划到了 1nm 的节点。此外， 美国国防高级研究计划局进一步提出了先进封装、存算一体、软件定义硬件处理器三个未来发展研 究与发展方向，以此来超越摩尔定律。在现在的时间点上来看，摩尔定律仍然在维持，但进一步提 升推动摩尔定律难度会显著提升。
先进制程资本性投入进一步飙升 。根据 IBS 的统计，先进制程资本性支出会显著提升。以 5nm 节 点为例，其投资成本高达数百亿美金，是 14nm 的两倍，是 28nm 的四倍。为了建设 5nm 产线， 2020 年，台积电计划全年资本性将达到 150-160 亿美元。先进制程不仅需要巨额的建设成本，而 且也提高了设计企业的门槛，根据 IBS 的预测，3nm 设计成本将会高达 5-15 亿美元。
3nm 及以下制程需要采用全新的晶体管工艺。 FinFET 已经历 16nm/14nm 和 10nm/7nm 两个工艺 世代，随着深宽比不断拉高，FinFET 逼近物理极限，为了制造出密度更高的芯片，环绕式栅极晶 体管（GAAFET，Gate-All-Ground FET）成为新的技术选择。不同于 FinFET，GAAFET 的沟道被 栅极四面包围，沟道电流比三面包裹的 FinFET 更加顺畅，能进一步改善对电流的控制，从而优化 栅极长度的微缩。三星、台积电、英特尔均引入 GAA 技术的研究，其中三星已经先一步将 GAA 用 于 3nm 芯片。如果制程到了 2nm 甚至 1nm 时，GAA 结构也许也会失效，需要更为先进的 2 维 、 甚至 3 维立体结构，目前微电子研究中心（Imec）正在开发面向 2nm 的 forksheet FET 结构。
3nm 及以下制程，光刻机也需要升级。 面向 3nm 及更先进的工艺，芯片制造商或将需要一种称为 高数值孔径 EUV（high-NA EUV）的光刻新技术。根据 ASML 年报，公司正在研发的下一代极紫 外光刻机将采用 high-NA 技术，有更高的数值孔径、分辨率和覆盖能力，较当前的 EUV 光刻机将 提高 70%。ASML 预测高数值孔径 EUV 将在 2022 年以后量产。
除上面提到巨额资本与技术难题以外，先进制程对沉积与刻蚀、检测、封装等环节也均有更高的要 求。正是因为面临巨大的资本和技术挑战，目前全球仅有台积电、三星、intel 在进一步追求摩尔定 律，中芯国际在持续追赶，而像联电、格罗方德等晶圆代工厂商已经放弃了 10nm 及以下制程工艺 的研发，全面转向特色工艺的研究与开发。先进制程的进一步推荐节奏将会放缓，为中芯国际追赶 创造了机会。
22先进制程占比持续提升，成熟工艺市场不断增长
高性能芯片需求旺盛，先进制程占比有望持续提升。 移动终端产品、高性能计算、 汽车 电子和通信 及物联网应用对算力的要求不断提升，要求更为先进的芯片，同时随着数据处理量的增加，存储芯 片的制程也在不断升级，先进制程的芯片占比有望持续提升。根据 ASML2018 年底的预测，到 2025 年，12 寸晶圆的先进制程占比有望达到 2/3。2019 年中，台积电 16nm 以上和以下制程分别占比 50%，根据公司预计，到 2020 年，16nm 及以下制程有望达到 55%。
CPU、逻辑 IC、存储器等一般采用先进制程（12 英寸），而功率分立器件、MEMS、模拟、CIS、 射频、电源芯片等产品（从 6μm 到 40nm 不等）则更多的采用成熟工艺（8 寸片）。 汽车 、移动 终端及可穿戴设备中超过 70%的芯片是在不大于 8 英寸的晶圆上制作完成。相比 12 寸晶圆产线，8 寸晶圆制造厂具备达到成本效益生产量要求较低的优势，因此 8 寸晶圆和 12 寸晶圆能够实现优 势互补、长期共存。
受益于物联网、 汽车 电子的快速发展，MCU、电源管理 IC、MOSFET、ToF、传感器 IC、射频芯 片等需求持续快速增长。 社会 已经从移动互联网时代进入了物联网时代，移动互联网时代联网设备 主要是以手机为主，联网设备数量级在 40 亿左右，物联网时代，设备联网数量将会成倍增加，高 通预计到 2020 年联网 设备数量有望达到 250 亿以上。飙升的物联网设备需要需要大量的成熟工艺 制程的芯片。以电源管理芯片为例，根据台积电年报数据，公司高压及电源管理晶片出货量从 2014 年的 1800 万片（8 寸）增长到 2019 年的 2900 万片，CAGR 为 10%。根据 IHS 的预测，成熟晶 圆代工市场规模有望从 2020 年的 372 亿美元增长到 2025 年的 415 亿美元。
特色工艺前景依旧广阔，主要代工厂积极布局特色工艺。 巨大的物联网市场前景，吸引了众多 IC 设计公司开发新产品。晶圆代工企业也瞄准了物联网的巨大商机，频频推出新技术，配合设计公司 更快、更好地推出新一代芯片，助力物联网产业高速发展。台积电和三星不仅在先进工艺方面领先布局，在特色工艺方面也深入布局，例如台积电在图像传感器领域、三星在存储芯片领域都深入布 局。联电、格罗方德、中芯国际、华虹半导体等代工厂也全面布局各自的特色工艺，在射频、 汽车 电子、IOT 等领域，形成了各自的特色。
5G 时代终端应用数据量爆炸式提升增加了对半导体芯片的需求，晶圆代工赛道持续繁荣。 随着对 于 5G 通信网络的建设不断推进，不仅带动数据量的爆炸式提升，要求芯片对数据的采集、处理、 存 储 效率更高，而且也催生了诸多 4G 时代难以实现的终端应用，如物联网、车联网等，增加了终 端对芯片的需求范围。对于芯片需求的增长将使得下游的晶圆代工赛道收益，未来市场前景极其广 阔。根据 IHS 预测，晶圆代工市场规模有望从 2020 年的 584 亿美元，增长到 2025 年的 857 亿美 元，CAGR 为 8%。
315G 推动手机芯片需求量上涨
5G 手机渗透率快速提升。手机已经进入存量时代，主要以换机为主。2019 年全球智能手机出货量 为 137 亿部，2020 年受疫情影响，IDC 等预测手机总体出货量为 125 亿台，后续随着疫情的恢 复以及 5G 产业链的成熟，5G 手机有望快速渗透并带动整个手机出货。根据 IDC 等机构预测，5G 手机出货量有望从 2020 年的 183 增长到 2024 年的 1163 亿台，CAGR 为 59%。
5G 手机 SOC、存储和图像传感器全面升级，晶圆代工行业充分受益。 消费者对手机的要求越来越 高，需要更清晰的拍照功能、更好的 游戏 体验、多任务处理等等，因此手机 SOC 性能、存储性能、 图像传感器性能全面提升。目前旗舰机的芯片都已经达到了 7nm 制程，随着台积电下半年 5 nm 产 能的释放，手机 SOC 有望进入 5nm 时代。照片精度的提高，王者荣耀、吃鸡等大型手游和 VLOG 视频等内容的盛行，对手机闪存容量和速度也提出了更高的要求，LPDDR5 在 2020 年初已经正式 亮相小米 10 系列和三星 S20 系列，相较于上一代的 LPDDR4，新的 LPDDR5 标准将其 I/O 速 度从 3200MT/s 提升到 6400MT/s，理论上每秒可以传输 512GB 的数据。相机创新是消费者更 换新机的主要动力之一，近些年来相机创新一直在快速迭代，一方面，多摄弥补了单一相机功能不 足的缺点，另一方面，主摄像素提升带给消费者更多的高清瞬间，这两个方向的创新对晶圆及代工 的需求都显著提升。5G 时代，手机芯片晶圆代工市场将会迎来量价齐升。
5G 手机信号频段增加，射频前端芯片市场有望持续快速增长。射频前端担任信号的收发工作，包 括低噪放大器、功率放大器、滤波器、双工器、开关等。相较于 4G 频段，5G 的频段增加了中高 频的 Sub-6 频段，以及未来的更高频的毫米波频段。根据 yole 预测，射频前端市场有望从 2018 年 的 149 亿美元，增长到 2023 年的 313 亿美元，CAGR 为 16%。
32云计算前景广阔，服务器有望迎来快速增长
2020 年是国内 5G 大规模落地元年，有望带来更多数据流量需求 。据中国信通院在 2019 年 12 月 份发布的报告，2020 年中国 5G 用户将从去年的 446 万增长到 1 亿人，到 2024 年我国 5G 用户 渗透率将达到 45%，人数将超过 77 亿人，全球将达到 12 亿人，5G 用户数的高增长带来流量的 更高增长。
5G 时代来临，云计算产业前景广阔。 进入 5G 时代，IoT 设备数量将快速增加，同时应用的在线 使用需求和访问流量将快速爆发，这将进一步推动云计算产业规模的增长。根据前瞻产业研究院的 报告，2018 年中国云计算产业规模达到了 963 亿元，到 2024 年有望增长到 4445 亿元，CAGR 为 29%，产业前景广阔。
边缘计算是云计算的重要补充，迎来新一轮发展高潮。 根据赛迪顾问的数据，2018 年全球边缘计 算市场规模达到 514 亿美元，同比增长率 577%，预计未来年均复合增长率将超过 50%。而中国 边缘计算市场规模在 2018 年达到了 774 亿元，并且 2018-2021 将保持 61%的年复合增长率，到 2021 年达到 3253 亿元。
服务器大成长周期确定性强。 服务器短期拐点已现，受益在线办公和在线教育需求旺盛，2020 年 服务器需求有望维持快速增长。长期来看，受益于 5G、云计算、边缘计算强劲需求，服务器销量 有望保持持续高增长。根据 IDC 预测，2024 年全球服务器销量有望达到 1938 万台，19-24 年， CAGR 为 13%。
服务器半导体需求持续有望迎来快速增长，晶圆代工充分受益。 随着服务器数量和性能的提升，服 务器逻辑芯片、存储芯片对晶圆的需求有望快速增长，根据 Sumco 的预测，服务器对 12 寸晶圆 需求有望从 2019 年的 80 万片/月，增长到 2024 年的 158 万片/月，19-24 年 CAGR 为 8%。晶圆 代工市场有望充分受益服务器芯片量价齐升。
33三大趋势推动 汽车 半导体价值量提升
传统内燃机主要价值量主要集中在其动力系统。 而随着人们对于 汽车 出行便捷性、信息化的要求逐 渐提高， 汽车 逐步走向电动化、智能化、网联化，这将促使微处理器、存储器、功率器件、传感器、 车载摄像头、雷达等更为广泛的用于 汽车 发动机控制、底盘控制、电池控制、车身控制、导航及车 载 娱乐 系统中， 汽车 半导体产品的用量显著增加。
车用半导体有望迎来加速增长。 根据 IHS 的报告，车用半导体销售额 2019 年为 410 亿美元，13- 19 年 CAGR 为 8%。随着 汽车 加速电动化、智能化、网联化，车用芯片市场规模有望迎来加速， 根据 Gartner 的数据，全球 汽车 半导体市场 2019 年销售规模达 41013 亿美元，预计 2022 年有望 达到 651 亿美元，占全球半导体市场规模的比例有望达到 12%，并成为半导体下游应用领域中增 速最快的部分。
自动驾驶芯片要求高，有望进一步拉动先进制程需求。 自动驾驶是通过雷达、摄像头等将采集车辆 周边的信息，然后通过自动驾驶芯片处理数据并给出反馈，以此降低交通事故的发生率、提高城市 中的运载效率并降低驾驶员的驾驶强度。自动驾驶要求多传感器之间能够及时、高效地传递信息， 并同时完成路线规划和决策，因此需要完成大量的数据运算和处理工作。随着自动驾驶级别的上升， 对于芯片算力的要求也越高，产生的半导体需求和价值量也随之水涨船高。英伟达自动驾驶芯片随 着自动驾驶级别的提升，芯片制程也显著提升，最早 Drive PX 采用的是 20nm 工艺，而最新 2019 年发布的 Drive AGX Orin 将会采用三星 8nm 工艺。根据英飞凌的预测，自动驾驶给 汽车 所需要的 半导体价值带来相当可观的增量，一辆车如果实现 Level2 自动驾驶，半导体价值增量就将达到 160 美元，若自动驾驶级别达到 level4&5，增量将会达到 970 美元。
34IoT 快速增长，芯片类型多
随着行业标准完善、技术不断进步、政策的扶持，全球物联网市场有望迎来爆发性增长。GSMA 预 测，中国 IOT 设备联网数将会从 2019 年的 36 亿台， 增到 到 2025 年的 80 亿台，19-25 年 CAGR 为 173%。根据全球第二大市场研究机构 MarketsandMarkets 的报告，2018 年全球 IoT 市场规模 为 795 亿美元，预计到 2023 年将增长到 2196 亿美元，18-23 年 CAGR 为 225%。
物联网的发展需要大量芯片支撑，半导体市场规模有望迎来进一步增长 。物联网感知层的核心部件 是传感器系统，产品需要从现实世界中采集图像、温度、声音等多种信息，以实现对于所处场景的 智能分析。感知需要向设备中植入大量的 MEMS 芯片，例如麦克风、陀螺仪、加速度计等；设备 互通互联需要大量的通信芯片，包括蓝牙、WIFI、蜂窝网等；物联网时代终端数量和数据传输通道 数量大幅增加，安全性成为最重要的需求之一，为了避免产品受到恶意攻击，需要各种类型的安全 芯片作支持；同时，身份识别能够保障信息不被盗用，催生了对于虹膜识别和指纹识别芯片的需求； 作为物联网终端的总控制点，MCU 芯片更是至关重要，根据 IC Insights 的预测，2018 年 MCU 市 场规模增长 11%，预计未来四年内 CAGR 达 72%，到 2022 年将超过 240 亿美元。
41 国内 IC 设计企业快速增长，代工需求进一步放量
国内集成电路需求旺盛，有望持续维持快速增长。 国内集成电路市场需求旺盛，从 2013 年的 820 亿美元快速增长到 2018 年的 1550 亿美元，CAGR 为 136%，IC insight 预测，到 2023 年，中国 集成电路市场需求有望达到 2290 亿美元，CAGR 为 8%。但是同时，国内集成电路自给率也严重 不足，2018 年仅为 15%，IC insight 在 2019 年预测，到 2023 年，国内集成电路自给率为 20%。
需求驱动，国内 IC 设计快速成长。 在市场巨大的需求驱动下，国内 IC 设计企业数量快速增加，尤 其近几年，在国内政策的鼓励下，以及中美贸易摩擦大的背景下，IC 设计企业数量加速增加，2019 年底，国内 IC 设计企业数量已经达到了 1780 家，2010-2019 年，CAGR 为 13%。根据中芯国际 的数据，国内 IC 设计公司营收 2020 年有望达到 480 亿美元，2011-2020 年 CAGR 为 24%，远 高于同期国际 4%的复合增长率。
国内已逐步形成头部 IC 设计企业。 根据中国半导体行业协会的统计，2019 年营收前十的入围门槛 从 30 亿元大幅上升到 48 亿元，这十大企业的增速也同样十分惊人，达到 47%。国内 IC 企业逐步 做大做强，部分领域已经形成了一些头部企业：手机 SoC 芯片领域有华为海思、中兴微电子深度 布局；图像传感领域韦尔豪威大放异彩；汇顶 科技 于 2019 年引爆了光学屏下指纹市场；卓胜微、 澜起 科技 分别在射频开关和内存接口领域取得全球领先。IC 设计企业快速成长有望保持对晶圆代 工的强劲需求。
晶圆代工自给率不足。 中国是全球最大的半导体需求市场，根据中芯国际的预测，2020 年中国对 半导体产品的需求为 2130 亿美元，占全球总市场份额为 49%，但是与之相比的是晶圆代工市场份 额严重不足，根据拓墣研究的数据，2020Q2，中芯国际和华虹半导体份额加起来才 6%，晶圆代 工自给率严重不足，尤其考虑到中国 IC 设计企业数量快速增长，未来的需求有望持续增长，而且， 美国对华为等企业的禁令，更是让我们意识到了提升本土晶圆代工技术和产能的重要性。
42政策与融资支持，中国晶圆代工企业迎来良机（略）
晶圆代工需求不断增长，但国内自给严重不足，受益需求与国内政策双重驱动，国内晶圆代工迎来 良机。建议关注：国内晶圆代工龙头，突破先进制程瓶颈的中芯国际-U、特色化晶 圆代工与功率半导体 IDM 双翼发展的华润微华润微、坚持特色工艺，盈利能力强的华虹半导体华虹半导体。
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（报告观点属于原作者，仅供参考。作者：东方证券，蒯剑、马天翼）
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