部分上市厦企半年报出炉 多位“优等生”逆势增长

近日，部分上市厦企发布2022年半年报，我市一批老牌“优等生”的业绩依旧实现逆势增长，保持良好的发展态势。

两家老牌国企 交出亮丽成绩单

我市两家老牌国企厦门象屿和厦门港务今年上半年交出了亮丽成绩单。得益于公司优化业务结构，挖掘供应链多元服务价值，厦门象屿今年上半年实现营业收入约2542亿元，同比增长168%；实现归母净利润约137亿元，同比增长202%；实现扣非归母净利润约151亿元，同比增长约286%。

厦门港务今年上半年实现营业收入12636亿元，同比增长1123%；归母净利润15亿元，同比增长1622%。

新能源持续高景气 相关厦企深度受益

当前，宏发股份在全球电磁继电器市场占有率位列全球第一，龙头地位稳固。今年上半年营业收入5869亿元，同比增长1863%；归母净利润621亿元，同比增长1930%；扣非归母净利润588亿元，同比增长2851%。

今年上半年，宏发股份受益于“风、光、储”等新能源、充电桩、5G等热点行业高速增长，功率继电器业务实现稳定增长；与此同时，受益于全球新能源汽车产销高速增长，宏发股份高压直流系列产品延续增长态势，与全球主流新能源车厂，包括特斯拉、奔驰、宝马等高端车厂均建立了合作关系，持续扩大领先优势。

厦钨新能是全球消费电池正极的龙头，市场占有率约为42%，今年上半年实现营业收入14302亿元，同比增长11775%；实现归母净利润532亿元，同比增长11219%。受益于下游新能源汽车的需求增长，目前厦钨新能源三元正极占比持续提升，产能加速扩张，业务占比从去年的26%提升至今年上半年的50%左右，产能达到402万吨。高电压、单晶化、高镍化等是三元正极的发展方向，厦钨新能持续扩大产能，力争到2024年产能达到97万吨左右。

法拉电子的光伏、工控和新能源汽车业务板块持续增长，今年上半年实现营业总收入1763亿元，同比增长375%；实现归母净利润432亿元，同比增长188%。

提高主营业务市场渗透率 营业收入持续增长

立达信受益于代工业务和品牌业务同时发力，着力推进照明和物联网(IoT)两大业务，今年上半年营业收入、净利润双增长，实现营业收入3911亿元，同比增长4077%；实现归母净利润286亿元，同比增长6097%。

特宝生物今年上半年实现营业收入715亿元，同比增长5235%；实现归母净利润134亿元，同比增长8536%。特宝生物主营产品派格宾适用于慢性乙型肝炎的治疗，是主要收入增长动力。特宝生物相关负责人表示，随着慢性乙型肝炎临床治愈科学证据的不断积累和认知水平的提升，派格宾市场渗透率和收入正不断增长。 （厦门日报记者 李晓平）

亮彩数据

厦门象屿

今年上半年营业收入约2542亿元，同比增长168%。

厦门港务

今年上半年营业收入12636亿元，同比增长1123%。

宏发股份

在全球电磁继电器市场占有率位列全球第一，今年上半年营业收入5869亿元，同比增长1863%。

厦钨新能

作为全球消费电池正极的龙头，今年上半年营业收入14302亿元，同比增长11775%；归母净利润532亿元，同比增长11219%。

单晶硅与多晶硅不同功能及优缺点是什么
单 晶 硅

硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。

单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。

单晶硅在火星上是火星探测器中太阳能转换器的制成材料。火星探测器在火星上的能量全部来自太阳光，探测器白天休息---利用太阳能电池板把光能转化为电能存储起来，晚上则进行科学研究活动。也就是说，只要有了单晶硅，在太阳光照到的地方，就有了能量来源。
单晶硅在太空中是航天飞机、宇宙飞船、人造卫星必不可少的原材料。人类在征服宇宙的征途上，所取得的每一步进步，都有着单晶硅的身影。航天器材大部分的零部件都要以单晶硅为基础。离开单晶硅，卫星会没有能源，没有单晶硅，航天飞机和宇航员不会和地球取得联系，单晶硅作为人类科技进步的基石，为人类征服太空作出了不可磨灭的贡献。

单晶硅在太阳能电池中得到广泛的应用。高纯的单晶硅是重要的半导体材料，在光伏技术和微小型半导体逆变器技术飞速发展的今天，利用硅单晶所生产的太阳能电池可以直接把太阳能转化为光能，实现了迈向绿色能源革命的开始。单晶硅太阳能电池的特点：1光电转换效率高，可靠性高； 2先进的扩散技术，保证片内各处转换效率的均匀性； 3运用先进的PECVD成膜技术，在电池表面镀上深蓝色的氮化硅减反射膜，颜色均匀美观； 4应用高品质的金属浆料制作背场和电极，确保良好的导电性。

单晶硅广阔的应用领域和良好的发展前景北京2008年奥运会将把“绿色奥运”做为重要展示面向全世界展现，单晶硅的利用在其中将是非常重要的一环。现在，国外的太阳能光伏电站已经到了理论成熟阶段，正在向实际应用阶段过渡，太阳能硅单晶的利用将是普及到全世界范围，市场需求量不言而喻。

单晶硅的提炼：纯度不高的单质硅可用金属镁或铝还原二氧化硅制得，但这是无定形硅。晶形硅则要在电弧炉内用碳还原二氧化硅制得，它可用来生产硅钢片。用作半导体的超纯硅的制法则是先用纯度不高的硅与氯化氢和氯气的混合物作用，制取三氯氢硅，并用精馏法提纯。然后在还原炉内用纯氢将三氯氢硅还原，硅就沉积在用超纯硅制成的细芯上，这样制得的超纯硅称为多晶硅，把它放在单晶炉内，就可拉制成单晶硅，可用作半导体材料，它的来源丰富，价格便宜，大部分半导体材料都用硅。

多 晶 硅

多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。

高纯的单晶硅是重要的半导体材料。在单晶硅中掺入微量的第IIIA族元素，形成p型硅半导体；掺入微量的第VA族元素，形成n型和p型半导体结合在一起，可做成太阳能芯片，将辐射能转变为电能。在开发能源方面是一种很有前途的材料。 多晶硅具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有>>
单晶硅和多晶硅的区别？哪种比较好？
单晶硅硅有晶态和无定形两种同素异形体。晶态硅又分为单晶硅和多晶硅，它们均具有金刚石晶格，晶体硬而脆，具有金属光泽，能导电，但导电率不及金属，且随温度升高而增加，具有半导体性质。单晶硅在日常生活中是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。电视、电脑、冰箱、电话、手表、汽车，处处都离不开单晶硅材料，单晶硅作为科技应用普及材料之一，已经渗透到人们生活中的各个角落。多晶硅多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在电学性质方面，多晶硅晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和电阻率等。用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等。(1)单晶硅太阳能电池目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为17%左右，最高的达到24％，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命最高可达25年。(2)多晶硅太阳能电池多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约15％左右。 从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。(3)非晶硅太阳能电池(薄膜式太阳电池)非晶硅太阳电池是1976年出现的新型薄膜式太阳电池，它与单晶硅和多晶硅太阳电池的制作方法完全不同，工艺过程大大简化，硅材料消耗很少，电耗更低，它的主要优点是在弱光条件也能发电。但非晶硅太阳电池存在的主要问题是光电转换效率偏低，目前国际先进水平为10％左右，且不够稳定，随着时间的延长，其转换效率衰减。
单晶硅和多晶硅有什么区别
多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代人工智能、自动控制、信息处理、光电转换等半导体器件的电子信息基础材料。被称为“微电子大厦的基石”。

在太阳能利用上，单晶硅和多晶硅也发挥着巨大的作用。虽然从目前来讲，要使太阳能发电具有较大的市场，被广大的消费者接受，就必须提高太阳电池的光电转换效率，降低生产成本。从目前国际太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为单晶硅、多晶硅、带状硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

从工业化发展来看，重心已由单晶向多晶方向发展，主要原因为；[1]可供应太阳电池的头尾料愈来愈少；[2] 对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料；[3]多晶硅的生产工艺不断取得进展，全自动浇铸炉每生产周期（50小时）可生产200公斤以上的硅锭，晶粒的尺寸达到厘米级；[4]由于近十年单晶硅工艺的研究与发展很快，其中工艺也被应用于多晶硅电池的生产，例如选择腐蚀发射结、背表面场、腐蚀绒面、表面和体钝化、细金属栅电极，采用丝网印刷技术可使栅电极的宽度降低到50微米，高度达到15微米以上，快速热退火技术用于多晶硅的生产可大大缩短工艺时间，单片热工序时间可在一分钟之内完成，采用该工艺在100平方厘米的多晶硅片上作出的电池转换效率超过14％。据报道，目前在50～60微米多晶硅衬底上制作的电池效率超过16％。利用机械刻槽、丝网唬刷技术在100平方厘米多晶上效率超过17％，无机械刻槽在同样面积上效率达到16％，采用埋栅结构，机械刻槽在130平方厘米的多晶上电池效率达到158％

单晶硅和多晶硅的区别是，当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料
光伏用单晶硅和半导体用单晶硅有什么区别
单晶硅太阳能电池

目前单晶硅太阳能电池的光电转换效率为17%左右，最高的达到24％，这是目前所有种类的太阳能电池中光电转换效率最高的，但制作成本很大，以致于它还不能被大量广泛和普遍地使用。由于单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命最高可达25年。

多晶硅太阳能电池

多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，但是多晶硅太阳能电池的光电转换效率则要降低不少，其光电转换效率约15％左右。 从制作成本上来讲，比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，因此得到大量发展。此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命也要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。
多晶硅电池与单晶硅电池有什么区别？
单晶硅和多晶硅的区别是：

当熔融的单质硅凝固时,硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则形成单晶硅。

如果这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则形成多晶硅。

多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如在力学性质、电学性质等方面，多晶硅均不如单晶硅。多晶硅可作为拉制单晶硅的原料。单晶硅可算得上是世界上最纯净的物质了，一般的半导体器件要求硅的纯度六个9以上。大规模集成电路的要求更高，硅的纯度必须达到九个9。目前，人们已经能制造出纯度为十二个9 的单晶硅。单晶硅是电子计算机、自动控制系统等现代科学技术中不可缺少的基本材料。

多晶硅是制造单晶硅的原料。

在电池方面：

单晶硅太阳能电池转化的效率更高一点。

单晶硅与多晶硅的区别在于它们的原子结构排列 单晶是有序排列 多晶是无序排列 主要是有它们的加工工艺决定的 多晶多采用浇注法生产,就是直接把硅料倒入埚中融化定型 而单晶是采取西门子法改良直拉,直拉过程就是一个原子结构重组的过程。
非晶硅跟单晶硅和多晶硅有什么区别,
非晶硅跟单晶硅和多晶硅的区别：

1、结构组成： 单晶硅是硅的单晶体，具有基本完整的点阵结构的晶体。不同的方向具有不同的性质，是一种良好的半导材料。 多晶硅是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅，它是一种良好的半导材料。多晶硅可作拉制单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。 非晶硅是一种半导体，它是硅制备过程中不结晶的产物，它的结构内部有许多所谓的“悬键”，也就是没有和周围的硅原子成键的电子，这些电子在电场作用下就可以产生电流。

2、物理性质：力学性质、电学性质等方面，非晶硅、多晶硅、单晶硅性能依次变好。

3、光伏电池应用性能：在猛烈阳光底下，晶体式太阳能电池板较非晶体式能够转化多一倍以上的太阳能为电能，但可惜晶体式的价格比非晶体式的昂贵两三倍以上，而且在阴天的情况下非晶体式反而与晶体式能够收集到差不多一样多的太阳能。

目前，被广泛使用的单晶硅太阳能电池的光电转换效率为17%左右（随着科技发展，不断有更高转换效率的电池诞生，其它2种电池也相同），但制作成本很大。单晶硅一般采用钢化玻璃以及防水树脂进行封装，因此其坚固耐用，使用寿命一般可达15年，最高可达25年。

多晶硅太阳电池的制作工艺与单晶硅太阳电池差不多，其光电转换效率目前普遍被使用的都低于17％，成本比单晶硅太阳能电池要便宜一些，材料制造简便，节约电耗，总的生产成本较低，此外，多晶硅太阳能电池的使用寿命要比单晶硅太阳能电池短。从性能价格比来讲，单晶硅太阳能电池还略好。

非晶硅太阳能电池 ，最近有长足的发展，光电转换效率不断提高，叠层电池结构提高了光电池稳定性和转换效率，高透光薄膜的使用，大大提高了转换效率。
太阳能电池板用单晶硅好还是多晶硅好 谢谢 40分
目前市场上的单晶硅太阳能电池发电效率17%~25%左右，相比多晶硅太阳能电池发电14%左右来说要高些！因为单晶硅太阳能电池制造工艺也相比多晶硅电池复杂，所以成本也相比高了许多。单晶硅发电效率高价格高，多晶硅发电效率稍低但价格相比便宜好俯，综合来说各有各的优点与缺点，具体如何那就要看你如何选择了。
太阳能电池单晶硅与多晶硅，那种好？
单晶硅太阳能电池与多晶硅制作工艺差不多，但多晶硅光电转换效率要低一些，其转换效率约百分之十五。制作成本上多晶硅要便宜，材料制作简单节约电耗，总生产成本较低，因此得到大量发展。另外多晶硅使用寿命比单晶硅要短，从性能价格综合讲还是单晶硅要好些。
单晶硅与多晶硅哪个能效高，效率大概是多少？
单晶硅，单晶硅是硅原子有序排列，所以效率高些，转化效率17%左右。

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单晶生产掉棒后应急处理方法
生活达人小苜
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提问
摘要
亲亲，您好，很高兴由我来为您解答这个问题哦，在生产过程中，如发现液面突然下降、硅棒掉落、电极报警等现象，应立即反应，确认漏硅后及时处理：
1）关闭真空泵球阀及真空泵，防止漏的硅料被吸走；
2）手动复位面板，所有开关归零，关闭加热开关；
3）待结晶后提高埚位(顶起导流桶一般为100mm以上），可以防止剩余硅料结晶后胀裂加热器；
4）将氩气进气阀充至常压后关闭；
5）准备灭火器、水、布等。对波纹管、排气管道进行降温，可戴隔热手套对手部进行保护，发生火
灾时用灭火器及时处理；
6）时刻关注炉内情况及炉体温度，联系各部门做好准备，必要是进行撤离。
咨询记录 · 回答于2022-04-12
单晶生产掉棒后应急处理方法
亲亲，您好，很高兴由我来为您解答这个问题哦，在生产过程中，如发现液面突然下降、硅棒掉落、电极报警等现象，应立即反应，确认漏硅后及时处理：1）关闭真空泵球阀及真空泵，防止漏的硅料被吸走；2）手动复位面板，所有开关归零，关闭加热开关；3）待结晶后提高埚位(顶起导流桶一般为100mm以上），可以防止剩余硅料结晶后胀裂加热器；4）将氩气进气阀充至常压后关闭；5）准备灭火器、水、布等。对波纹管、排气管道进行降温，可戴隔热手套对手部进行保护，发生火灾时用灭火器及时处理；6）时刻关注炉内情况及炉体温度，联系各部门做好准备，必要是进行撤离。
希望我的回答可以帮助到您哦
祝您生活愉快哦亲亲
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金牌答主
防止晶棒摔磕碰的措施您好亲，主要是工人的素质和质检部门的大力支持1加强对职工教育2质检加大处罚力度3做好预防工作穿防护工具啊希望我的解答对您有所帮助， 最后再次祝您身体健康,心情愉快![开心]
2022-07-15
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四 打包机粘合效果欠佳 可能原因如下1温度调节旋钮调节不当在半自动打包机的电器控制盒内，也就是电路板的上方，打开控制盒盖后能看一调节旋钮，按照顺时针方向转动温度就会被调高，逆时针则温度降低。温度过高或过低，粘合效果都不好，所以每次调整的幅度不要太大，一般调在刻度线4—5之间即可。2电源电压不正常本设备要使用220V的电压。很多工厂都有电压不足的情况，如果使用长电缆线将会造成电压下降使汤头温度变低，甚至在捆紧时烧掉马达。
2022-04-28
已解决13092人问题
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单晶生产掉棒后应急处理方法
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本文说说碳化硅的那些事。

碳化硅材料的发展 历史 比较久远，1824年瑞典化学家Berzelius在人工生长金刚石的过程中发现了碳化硅SiC。1885年Acheson用焦炭和硅石的混合物以及一定量氯化钠在熔炉中高温加热，制备出了小尺寸碳化硅晶体，但存在大量缺陷。

碳化硅材料的应用始于20世纪初。1907年美国Round制造出第一个碳化硅发光二极管；1920年碳化硅单晶作为探测器用于早期的无线电接收机上。不过因为单晶生长难度较大，碳化硅在很长一段时间内没有很好的应用，到了1955年飞利浦发明了一种采用升华法制备高质量碳化硅的新方法即Lely法，碳化硅材料再次焕发生机。

七八十年代碳化硅的制备及应用实现重大突破。1978年前苏联科学家Tairov等人改良了Lely法，可以获得较大尺寸的碳化硅晶体。1979年第一个碳化硅发光二极管问世；1981年Matsunami发明了在硅衬底上生长碳化硅单晶的方法；1991年美国公司Cree采用升华法生长出碳化硅晶片并实现产业化。

目前碳化硅及其应用呈现出以下几个特点：第一是晶圆尺寸实现大尺寸化，Cree的6英寸碳化硅晶片实现产业化，并积极推进8英寸晶片的产业化。第二晶体缺陷密度不断下降，比如4英寸碳化硅单晶微管密度下降至01cm^-2以下，穿透性螺位错和基平面位错密度控制在10^2cm^-2。第三碳化硅基功率器件不断涌现，除了特斯拉和蔚来 汽车 在电动车上使用了SiC-MOSFET，还发展出了SBD、HMET等器件。当然第四点相比硅基半导体的奋起直追，中国在碳化硅第三代半导体上与国外发展水平基本持平，衬底方面天科合达等实现了4英寸的产业化和6英寸的技术突破，并积极向8英寸推进；山东天岳等公司拥有相应的外延生长技术。在器件制造上扬杰 科技 、士兰微等也积极推进碳化硅基功率半导体的产业化。

碳化硅材料的特性之一就是拥有超过200多种晶体结构，每一种结构对应的电学性能等存在一定差异。目前主要是六角4H、六角6H和菱方15R等，其中4H和6H实现产业化：

总体上相比氮化镓和硅等，碳化硅材料拥有最高的热导率、较高的带隙、电子迁移率和饱和电子速率等，可以制造能在高温、高压、更高功率和更高工作频率等情形下的器件。

在具体应用方面，碳化硅主要实现了以下应用：第一是碳化硅为衬底制备高亮度和超高亮度蓝绿InGaN铟镓氮LED；第二是实现了KV级高压MOSFET器件制造，比如罗姆半导体生产的1200V、35A的SiC-MOSFET；第三是用于300V到1200V甚至3300V等更高压的碳化硅基肖特基势垒管SBD的制造；第四是在半绝缘碳化硅衬底上制备氮化镓、铝镓氮AlGaN高电子迁移率晶体管HEMT；第五是在SiC-IGBT上有所突破，实现了P沟道IGBT的制造。

在碳化硅材料制备上，1955年飞利浦提出了Lely法，也称升华法。Lely法的基本原理是：在空心圆筒状石墨坩埚中（最外层石墨坩埚，内置多孔石墨环），将具有工业级纯度的碳化硅粉料投入坩埚与多孔石墨环之间加热到2500度，碳化硅在此温度下分解与升华，产生一系列气相物质比如硅单晶、Si2C和SiC2等。由于坩埚内壁与多孔石墨环之间存在温度梯度，这些气相物质在多孔石墨环内壁随机生成晶核。总的来说Lely法产率低，晶核难以控制，而且会形成不同结构，尺寸也有限制。

目前碳化硅材料制备多采用改进Lely法、高温CVD法和溶液法，其中以改进Lely法为主流。

改进Lely法也称物理气相传输法PVT，是前苏联科学家Tairov和Tsvetkov于1978年提出的。改进Lely法使用了工作频率10-100KHz的中频感应加热单晶炉，在生长过程中加入籽晶用于控制晶核和晶向：

在改进Lely法中碳化硅单晶生长主要经历低温高真空阶段、高压升温阶段、高压保温成核阶段、降压生长阶段、恒压恒温生长阶段和升压冷却阶段等六个阶段。当然在具体生长过程中，为了制备符合要求的碳化硅单晶，降低微管、位错密度等缺陷，会对籽晶的籽晶面等适当微调，在此不再展开。

碳化硅单晶有绝缘型、半绝缘型之分，按照掺杂类型还有P型掺杂和N型掺杂之分，无形中提升了碳化硅的制备难度。比如制备功率器件的是N型4H-SiC衬底，器件要求衬底电阻率小于20毫欧姆厘米，制备低电阻率的N型4H-SiC常用高浓度N掺杂，但随着掺杂浓度提高，单晶中位错密度会升高。Kato等人提出的氮、铝共掺杂技术制备出了低电阻率的N型4H-SiC单晶，所用的单晶炉有两套加热系统，其中上部加热系统与普通Lely法相同，主要对SiC原料加热并为单晶生长提供合适的温度；下部加热系统为铝原料加热。这样通过对生长压力、温度等参数调整，可以实现有效的氮、铝共掺杂。

碳化硅的外延主要采用化学气相沉积CVD，以后再说。

《太阳能光伏产业“十二五”发展规划》(征求意见稿)
前言
太阳能资源丰富、分布广泛，是最具发展潜力的可再生能源。随着全球能源短缺和环境污染等问题日益突出，太阳能光伏发电因其清洁、安全、便利、高效等特点，已成为世界各国普遍关注和重点发展的新兴产业。
在此背景下，近年来全球光伏产业增长迅猛，产业规模不断扩大，产品成本持续下降。2009年全球太阳能电池产量为1066GW，多晶硅产量为11万吨，2010年分别达到205GW、16万吨，组件价格则从2000年的45美元/瓦下降到2010年的17美元/瓦。
“十一五”期间，我国太阳能光伏产业发展迅速，已成为我国为数不多的、可以同步参与国际竞争、并有望达到国际领先水平的行业。加快我国太阳能光伏产业的发展，对于实现工业转型升级、调整能源结构、发展社会经济、推进节能减排均具有重要意义。国务院发布的《关于加快培育和发展战略性新兴产业的决定》，已将太阳能光伏产业列入我国未来发展的战略性新兴产业重要领域。
根据《中共中央关于制定国民经济和社会发展第十二个五年规划的建议》，按照《国民经济和社会发展第十二个五年规划纲要》、《工业转型升级“十二五”规划》以及《信息产业“十二五”规划》的总体要求，在全面调研、深入研究、广泛座谈的基础上，特编制太阳能光伏产业“十二五”发展规划，作为我国“十二五”光伏产业发展的指导性文件和加强行业管理的政策依据。
一、“十一五”发展回顾
(一)我国光伏产业概况
1太阳能电池产量不断提高，产品外销比重大
“十一五”期间，我国太阳能电池产量以超过100%的年均增长率快速发展。2007-2010年连续四年产量世界第一，2010年太阳能电池产量约为10GW，超过全球总产量的50%。我国太阳能电池产品90%以上出口，2010年出口额达到202亿美元。
2多晶硅产业规模快速扩大，掌握生产关键技术
“十一五”期间，我国投产的多晶硅年产量从两三百吨发展至45万吨，光伏产业原材料自给率由几乎为零提高至50%左右，已形成数百亿元级的产值规模。国内多晶硅企业已掌握改良西门子法千吨级规模化生产关键技术，规模化生产的稳定性逐步提升，副产物综合利用水平稳步提高，部分企业能耗指标接近国际先进水平。
3晶硅电池占据主导地位，产品质量稳步提高
“十一五”末期，我国晶硅电池占太阳能电池总产量的95%以上。太阳能电池产品质量逐年提升，尤其是在转换效率方面，骨干企业产品性能增长较快，单晶硅太阳能电池转换效率达到17-19%，多晶硅太阳能电池转换效率为15-17%，薄膜等新型电池转换效率约为8-10%。
4生产设备不断取得突破，国产化水平不断提高
国产单晶炉、多晶硅铸锭炉、开方机等设备已接近或达到国际先进水平，占据国内较大市场份额。晶硅太阳能电池专用设备除全自动印刷机和切割设备等外基本实现了国产化并具备生产线“交钥匙”的能力。硅基薄膜电池生产设备初步形成小尺寸整线生产能力。2010年我国光伏专用制造设备销售收入超过40亿元，出口交货值达到1亿元。
5国内光伏市场逐步启动，装机量快速增长
我国已相继出台了《太阳能光电建筑应用财政补助资金管理暂行方法》和《关于实施金太阳示范工程的通知》等政策，并先后启动了两批总计290MW的光伏电站特许权招标项目。截止2010年，我国累计光伏装机量达到800MW，当年新增装机容量达到500MW，同比增长166%。
(二)我国光伏产业发展特点
1充分利用国外市场要素，产业发展国际化程度高
我国光伏产业充分运用国内外资金、人才两大市场要素，“十一五”末期，已有数十家企业实现海外及国内上市，产品广销国际市场。国内光伏企业以民营企业为主，主要企业实力不断增强，有4家企业太阳能电池产量位居全球前十，成为国际知名企业。
2自主创新与引进吸收相结合，形成自主特色产业体系
通过自主创新与引进消化吸收再创新相结合，初步形成了具有我国自主特色的光伏产业体系，多晶硅、电池组件及控制器等制造水平不断提高，制造设备的国产化率已经超过50%，太阳能电池的质量和技术水平也逐步走向世界前列。
3产业链上下游协同发展，推动光伏发电成本下降
“十一五”期间，我国光伏产业突破材料、市场以及人才等发展瓶颈，产业规模迅速壮大，上下游完整产业链基本成型。我国光伏产业的崛起带动了世界光伏产业的发展，有效地推动了技术进步，降低了光伏产品成本，加快了全球光伏产业应用步伐。
4产业呈现集群化发展，有效提高区域竞争力
我国光伏产业区域集群化发展态势初步显现，依托区域资源优势和产业基础，国内已形成了江苏、浙江、河北、江西、河南、四川、内蒙等区域产业中心，并涌现出一批国内外知名且具有代表性的企业，主要企业初步完成垂直一体化布局，加快海外并购和设厂，向集约化国际企业发展。
二、“十二五”面临形势
目前，各主要发达国家均从战略角度出发大力扶持光伏产业发展，如德国、西班牙等制定了上网电价法支持太阳能光伏发电，美国、日本等则持续通过“太阳能屋顶”计划等推动应用市场。国际各方资本也普遍看好光伏产业：一方面，光伏行业内众多大型企业纷纷宣布新的投资计划，不断扩大生产规模;另一方面，其他领域如半导体企业、显示企业携多种市场资本正在或即将进军光伏行业。
从我国未来社会经济发展战略路径看，发展太阳能光伏产业是我国保障能源供应、建设低碳社会、推动经济结构调整、培育战略性新兴产业的重要方向。“十二五”期间，我国光伏产业将继续处于快速发展阶段，同时也面临着大好机遇和严峻挑战。
(一)我国光伏产业发展面临广阔发展空间
世界常规能源供应短缺危机日益严重，仅以石油为例，至2009年底全球已证实的储量可供开采时间仅为457年。同时，化石能源的大量开发利用已成为造成自然环境污染和人类生存环境恶化的主要原因之一。寻找新兴能源、发展社会经济已成为世界热点问题。在各种新能源中，太阳能光伏发电具有无污染、可持续、总量大、分布广、利用形式多样等优点，受到世界各国的高度重视。我国光伏产业在制造水平、产业体系、技术研发等方面具有良好的发展基础，国内外市场前景总体看好，只要抓住发展机遇，加快转型升级，后期必将迎来更加广阔的发展空间。
(二)光伏产业、政策及市场亟待加强互动
从全球来看，太阳能电池需求的近期成长动力主要来自于各国政府对光伏产业的政策扶持和价格补贴。同国外发达国家相比，我国政府支持光伏应用的政策体系尚不完善：已经出台的规划目标大大落后于产业的发展，需要及时调整;与可再生能源法配套的电价政策尚未落实;市场促进政策仍显不足，没有形成支持光伏发电持续发展的长效机制。目前我国生产的太阳能电池90%以上出口海外市场，产业发展受金融危机和海外市场变化影响很大，对外部市场的依存度过高，不利于持续健康发展。
(三)产业发展面临国际贸易保护的严峻挑战
近年来欧美等国已出现多起针对我国光伏产业的贸易纠纷，类似纠纷后续仍将出现。主要原因有：一是我国太阳能电池成本优势明显，国际市场份额不断扩大，对国外产品造成压力;二是行业发展无序，个别跟风投资的中小企业，其产品质量及环保综合利用情况堪忧;三是国内光伏市场尚未大规模启动，产品主要外销，容易引发倾销疑虑;四是我国产品标准体系不完善，企业自律能力不足，存在产品质量水平参差不齐等问题。
(四)新工艺、新技术快速演进，国际竞争不断加剧
全球光伏产业技术发展日新月异：晶体硅电池转换效率年均增长一个百分点;薄膜电池技术水平不断提高;纳米材料电池等新兴技术发展迅速;太阳能电池生产和测试设备不断升级。而国内光伏产业在很多方面仍存在较大差距，国际竞争压力不断升级：多晶硅关键技术仍落后于国际先进水平，晶硅电池生产用高档设备仍需进口，薄膜电池工艺及装备水平明显落后。
(五)市场应用不断拓展，降低成本仍是产业主题
太阳能光伏市场应用将呈现宽领域、多样化的趋势，适应各种需求的光伏产品将不断问世，除了大型并网光伏电站外，与建筑相结合的光伏发电系统、小型光伏系统、离网光伏系统等也将快速兴起。太阳能电池及光伏系统的成本持续下降并逼近常规发电成本，仍将是光伏产业发展的主题，从硅料到组件以及配套部件等均将面临快速降价的市场压力，太阳能电池将不断向高效率、低成本方向发展。
三、指导思想、基本原则与发展目标
(一)指导思想
深入贯彻落实科学发展观，抓住当前全球大力发展新能源的大好机遇，紧紧围绕降低光伏发电成本、提升光伏产品性能、做大做强我国光伏产业的宗旨，着力推动关键技术创新、提升生产工艺水平、突破装备研发瓶颈、促进市场规模启动，使我国光伏产业的整体竞争力在未来的5年间得到显著提升，继续保持在国际上的领先地位。
(二)基本原则
1立足统筹规划，坚持扶优扶强 —— 加强国家宏观政策引导，坚持做好行业统筹规划和产业合理布局，规范光伏产业健康发展。集中力量支持优势企业做大做强，鼓励重点光伏企业推进资源整合和兼并重组。
2支持技术创新，降低发电成本 ——以企业为技术创新和产业发展的主体，强化关键技术研发，提升生产工艺水平，从高纯硅材料规模化生产、电池转换效率提高、生产装备国产化、新型电池和原辅材料研发、系统集成等多方面入手，努力降低光伏发电的成本。
3优化产业环境，扩大光伏市场 ——推动各项光伏扶持政策的落实，调动各方面的资源优势，充分发挥市场机制作用，巩固国际市场，扩大国内多样化应用，使我国光伏产业的发展有稳定的市场依托。
4加强服务体系建设，推动产业健康发展——在推动产业发展过程中，加强公共服务平台建设，建立健全光伏标准及产品质量检测认证体系，严格遵守环境保护和安全生产规定，推进节能减排、资源循环利用，实现清洁生产和安全生产。
(三)发展目标
1经济目标
到2015年，我国光伏产业保持平稳较快增长，多晶硅、太阳能电池等产品适应国内光伏发电装机容量规模要求(10GW)，同时积极满足国际市场发展需要。集中支持骨干光伏企业做强做大，到2015年形成：1-2家5万吨级多晶硅企业，2-4家万吨级多晶硅企业;1-2家5GW级太阳能电池企业，8-10家GW级太阳能电池企业;3-4家年销售收入过10亿元的光伏专用设备企业。培育1-2家年销售收入过千亿元的光伏企业，3-5家年销售收入过500亿元的光伏企业。全行业创造就业100万人。
2技术目标
到2015年，多晶硅生产实现产业规模、产品质量和环保水平的同步提高，平均综合电耗低于120度/公斤，副产物综合利用率达到99%以上。单晶硅电池的产业化转换效率达到21%，多晶硅电池达到19%，非晶硅薄膜电池达到12%，新型薄膜太阳能电池实现产业化。光伏电池生产设备和辅助材料本土化率达到80%，掌握光伏并网、储能设备生产及系统集成关键技术。
3创新目标
到2015年，企业自主创新能力显著增强，涌现出一批具有自主知识产权的品牌企业，掌握光伏产业各项关键技术和生产工艺。技术成果转化率显著提高，标准体系建设逐步完善，国际影响力大大增强。充分利用已有基础，建立光伏产业国家重点实验室及检测平台。
4光伏发电成本目标
到2015年，光伏系统成本下降到15万元/kW，发电成本下降到08元/kWh，配电侧达到“平价上网”;到2020年，系统成本下降到1万元/kW，发电成本达到06元/kWh，在发电侧实现“平价上网”，在主要电力市场实现有效竞争。
四、“十二五”主要任务
(一)推动工艺技术进步，实现转型升级
发展清洁、安全、低能耗、高纯度、规模化的多晶硅生产技术，提高生产过程中的副产物综合利用率，缩小与国际生产水平的差距。实现太阳能电池生产技术的创新发展，鼓励规模化生产，提高光伏产业的核心竞争力。推动行业节能减排。密切关注清洁、环保的新型光伏电池及材料技术进展，加强技术研发。
(二)提高国产设备和集成技术的研发及应用水平
以提高产品质量、光电转换效率，降低能耗为目标，支持多晶硅、硅锭硅片、晶硅电池片及组件、薄膜电池关键生产设备，以及发电应用设备的研发与产业化，加强国产设备的应用。推动设备企业与光伏产品企业加强技术合作与交流。
(三)提高太阳能电池的性能，不断降低产品成本
大力支持低成本、高转换效率和长寿命的晶硅太阳能电池研发及产业化，降低电池产品成本和最终发电成本，力争尽快实现平价上网。推动硅基薄膜、铜铟镓锡薄膜等电池的技术进步及产业化进程，提高薄膜电池的转率效率。
(四)促进光伏产品应用，扩大光伏发电市场
积极推动上网电价政策的制定和落实，并在农业、交通、建筑等行业加强光伏产品的研发和应用力度，支持建立一批分布式光伏电站、离网应用系统、BIPV系统、小型光伏系统，鼓励大型光伏并网电站的建设与应用，推动完善适应光伏发电特点的技术体系和管理体制。
(五)完善光伏产业配套服务体系建设
建立健全标准、专利、检测、认证等配套服务体系，加强光伏行业监管与服务，支持行业自律协作。积极参与国际标准制定，建立完善符合我国国情的光伏国家/行业标准体系，包括多晶硅材料、电池/组件的产品标准，光伏生产设备标准和光伏系统的验收标准等。加快建设国内认证、检测等公共服务平台。
五、“十二五”发展重点
(一)高纯多晶硅
支持低能耗、低成本的太阳能级多晶硅生产技术。在现有的基础上，通过进一步的研究、系统改进及完善，开发出稳定的电子级多晶硅生产技术，并建立千吨级电子级多晶硅生产线。突破高效节能的大型提纯、高效回收氢气净化、高效化学气相沉积、多晶硅副产物综合利用等装置及工艺技术，建设万吨级高纯多晶硅生产线，综合能耗小于140度/公斤。
(二)硅碇硅片
支持高效、低成本、低能耗硅碇生产技术，突破硅片薄片化技术，提高硅片质量。
(三)晶硅电池
大力发展高转换率(电池转换效率在21%以上)、长寿命晶硅电池技术的研发与产业化。重点发展低反射率的绒面制备技术、激光选择性发射极技术及后续的电极对准技术、等离子体钝化技术、低温电极技术、全背结技术的研究及应用。关注薄膜硅/晶体硅异质结等新型太阳能电池成套关键技术。
(四)薄膜电池
重点发展非晶与微晶相结合的叠层和多结薄膜电池。降低薄膜电池的光致衰减，鼓励企业研发55代以上大面积高效率硅薄膜电池，开发柔性硅基薄膜太阳电池卷对卷连续生产工艺等。及时跟进铜铟镓硒和有机薄膜电池的产业化进程，开发并掌握低成本非真空铜铟镓锡薄膜电池制备技术，磁控溅射电池制备技术，真空共蒸法电池制备技术，规模化制造关键工艺。
(五)高效聚光太阳能电池
重点发展高倍聚光化合物太阳能电池产业化生产技术，聚光倍数达到500倍以上，产业化生产的电池在非聚光条件下效率超过35%，聚光条件下效率超过40%，衬底剥离型高倍聚光电池转化效率在非聚光条件下效率超过25%。突破高倍聚光太阳电池衬底玻璃技术、高效率高倍聚光化合物太阳电池技术、高倍率聚光电池测试分析和稳定性控制技术等，及时发展菲涅尔和抛物镜等配套设备。
(六)BIPV组件
重点发展BIPV(Building Integrated Photovoltaic，光伏建筑一体化)组件生产技术，包括可直接与建筑相结合的建材、应用于厂房屋顶、农业大棚及幕墙上的双玻璃BIPV组件、中空玻璃组件等，解决BIPV组件的透光、隔热等问题，结合美学原理，设计出美观、实用、可直接作为建材和构件用的BIPV组件。扩大BAPV(Building Attached Photovoltaic，建筑附着光伏)组件应用范围。
(七)光伏生产专用设备
支持还原、氢化等多晶硅生产设备，大尺寸、低能耗、全自动单晶炉，吨级多晶硅铸锭炉，大尺寸、超薄硅片多线切割机，硅片自动分选机等太阳能硅片关键生产设备。支持多槽制绒清洗设备，全自动平板式PECVD，激光刻蚀机，干法刻蚀机，离子注入机，全自动印刷机、快速烧结炉等晶硅太阳能电池片生产线设备和PECVD等薄膜太阳能电池生产设备。促进光伏生产装备的低能耗、高效率、自动化和生产工艺一体化。
(八)配套辅料
在关键配套辅料方面，实现坩埚、高纯石墨、高纯石英砂、碳碳复合材料、玻璃、EVA胶、背板、电子浆料、线切割液等国产化。
(九)并网及储能系统
掌握太阳能光伏发电系统集成技术、百万千瓦光伏发电基地的设计集成和工程技术，开发大功率光伏并网逆变器、储能电池及系统、光伏自动跟踪装置、数据采集与监控系统、风光互补系统等。
(十)公共服务平台建设
支持有能力的企事业单位建设国家级光伏应用系统检测、认证等公共服务平台，包括多晶硅、电池片和组件、薄膜电池的检测，光伏系统工程的验收等。支持相关服务平台开展行业共性问题研究，制订和推广行业标准，研发关键共性技术等。
六、政策措施
以低能耗、低污染为基础的“低碳经济”已然成为全球热点，节能减排和新能源开发是实现低碳经济的两大重要途径。光伏产业作为新能源产业的重要组成部分，受到越来越多的关注，世界各国都把开发利用太阳能光伏发电技术作为能源战略的重点，提出明确的产业发展目标，制定鼓励产业发展的法律和政策。我国光伏产业发展具有良好基础，及时制定相关政策，促进产业健康、可持续发展，已经成为当前面临的重要任务。
(一)提升光伏能源地位，加强产业战略部署
光伏能源是一种可持续、无污染、总量大的绿色新能源，必须充分认识太阳能光伏发电的长远价值和重要意义，切实在国家能源经济和社会可持续发展的总体部署中予以统筹考虑，提升太阳能光伏产业在国民经济发展中的战略地位。通过实施工业转型升级和可再生能源等相关规划，统筹制订产业、财税、金融、人才等扶持政策，积极促进我国光伏产业健康发展。
(二)加强行业管理，规范光伏产业发展
根据《国务院关于抑制部分行业产能过剩和重复建设引导产业健康发展若干意见的通知》(国发[2009]38号)的要求和行业发展的实际需要，切实加强行业管理，着力完善行业监管，规范我国光伏产业发展，建立健全光伏行业准入制度，引导地方政府坚决遏制低水平重复建设，避免一哄而上和市场恶性竞争。推动相关职能部门联合加强产品检查，对于明显不达环保标准、出售劣质产品、扰乱正常市场竞争秩序的企业，应依照相关规定给予处罚和整顿。
(三)着力实施统筹规划，推进产业合理布局
加强行业统筹规划，推动企业转型升级，坚持市场主导与政府引导相结合，扶持产业链完备、已具有品牌知名度的骨干企业做大做强。鼓励实力领先的光伏企业依靠技术进步、优化存量、扩大发展规模，实施“走出去”战略，积极参与国际产业竞争。实施差异化政策，引导多晶硅等产业向西部地区转移。推动资源整合，鼓励企业集约化开发经营，支持生产成本低、竞争力强的企业兼并改造效益不佳、存在问题的光伏企业。
(四)积极培育多样化市场，促进产业健康发展
科学制订和实施上网电价等鼓励政策，继续实施“金太阳工程”等扶持措施，坚持并网发电与离网应用相结合，以“下乡、富民、支边、治荒”为目标，支持与建筑相结合的光伏发电系统、小型光伏系统、离网光伏系统等应用，开发多样化的消费光伏产品。通过合理的电价标准、适度的财政补贴和积极的金融扶持，积极扩大国内光伏市场，争取5-10年内将光伏发电的成本下降到可参与商业化竞争的水平，使光伏产业在国民经济可持续发展和节能减排方面发挥更大的作用。
(五)支持企业自主创新，增强产业核心竞争力
支持光伏企业转型升级，通过技术改造等手段扶持掌握自主技术的龙头企业，巩固和提高核心竞争力。加大对光伏产业技术创新的扶持力度，重点支持多晶硅行业节能降耗、太阳能电池高效高质和低成本新工艺技术的研发和产业化项目。加强产学研结合，支持关键共性技术研发，全面提升国产化光伏设备技术水平。加大人才培养力度，支持企业建立企业技术研发中心与博士后科研流动站。
(六)完善标准体系，推动产品检测认证、监测制度建设
重视光伏产品和系统标准体系建设，以我国自主知识产权为基础，结合国内产业技术实际水平，推动制定多晶硅、硅锭/硅片、太阳能电池等产品和光伏系统相关标准，积极参与制订国际标准，推动建立产品检测认证、监测制度，促进行业的规范化、标准化发展。加强对光伏产品质量标准符合性的行业监管，避免劣质贴牌产品流入国际市场。推动企业加强光伏产品组件回收。
(七)加强行业组织建设，积极应对国际产业竞争
建立健全光伏行业组织，推动行业自律管理，加强行业交流与协作，集中反映产业发展愿景，打造国内光伏产业合作创新平台。充分发挥市场机制作用，以行业组织为纽带，以企业为主体，以市场为导向，提高产业应对国际竞争和市场风险的能力。加强国际交流和合作，优化产业发展环境，完善出口风险保障机制，鼓励企业积极争取海外资金，巩固和拓展国际市场。
来自：21spv光伏社区

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