1长江存储市场与销售高级副总裁龚翊表示，“作为闪存行业的新人，长江存储用短短3年时间实现了从32层到64层再到128层的跨越。” 闪存和SSD(固态硬盘)领域市场研究公司ForwardInsights创始人兼首席分析师GregoryWong认为：“QLC降低了NAND闪存单位字节(Byte)的成本，更适合作为大容量存储介质。比如可以作为服务器和数据中心的存储介质，适合AI计算、机器学习和大数据读取密集型应用。”长江存储以“新十年，芯梦想，新格局”为主题召开市场合作伙伴年会，江波龙电子、群联电子、威刚科技，国科微，忆联、群联电子、慧荣科技、联芸科技、美满电子科技(Marvell)等长江存储的市场合作伙伴首次集体亮相。
2第三代产品将推128层闪存芯片 “2020年是存储器黄金十年新的开始。随着5G、AI、大数据、物联网、云计算等技术的发展，存储器市场需求将呈现指数级增长。”长江存储董事长、紫光集团董事长兼首席执行官赵伟国在会上表示，“中国市场为集成电路发展提供了资本纵深、市场纵深和人才纵深；紫光、长存有实力、有能力，更有对发展中国存储器、集成电路产业不变的决心。” 2017至2019年间，长江存储陆续推出了32层、64层3D NAND闪存芯片及存储器解决方案，得到市场的认可。据了解，随着5G、AI、智能生活、智慧城市带来的个人消费电子和大规模数据中心的快速发展，市场对3D NAND闪存的需求将愈发白热化，高密度、高性能、高品质、低延迟的3D NAND闪存解决方案越来越成为市场的主流趋势。
3 长江存储首席执行官杨士宁表示，长江存储已规划2020年将提供嵌入式存储、固态硬盘(SSD)等完整解决方案产品，面向更多通讯、系统整机客户。自长江存储2019年三季度量产第二代64层3D NAND闪存到现在，市场总体给予了正面积极的评价，这离不开合作伙伴的深度配合及终端市场的历练。下一步，长江存储的第三代产品将跳过96层，直接上128层堆叠闪存。 国科微与长存启动长期深入合作 A股公司国科微副总裁康毅在会上表示：通过将长江存储3D NAND闪存导入国科微固态硬盘，我们一起为用户提供更领先的存储解决方案。展望2020年，国科微将进一步深化与长江存储的全方位合作。
三星100层以上的第六代3-bit V-NAND可以在单位面积内，让SSD获得更大容量，并且对内部电路进行优化设计，从而实现在提升产品性能的同时降低功耗的目的。该产品可以说是很好的迎合了未来硬件的发展趋势，相信在物联网、人工智能等带来的大数据存储需求下，我们会见到更多性能、容量表现俱佳的闪存产品。1 区别
NOR的特点是芯片内执行(XIP,eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。优点是可以直接从FLASH中运行程序，但是工艺复杂，价格比较贵，NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度，可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。优点：大存储容量，而且便宜。缺点，就是无法寻址直接运行程序，只能存储数据。另外NAND FLASH 非常容易出现坏区，所以需要有校验的算法。
任何flash器件的写入 *** 作只能在空或已擦除的单元内进行
（1）NAND器件执行擦除 *** 作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为1。
（2）擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除 *** 作的时间为5s，NORFLASHSECTOR擦除时间视品牌、大小不同而不同，比如，4MFLASH，有的SECTOR擦除时间为60ms，而有的需要最大6S。与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的 *** 作最多只需要4ms
（3）当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。
●NOR的读速度比NAND稍快一些。
●NAND的写入速度比NOR快很多。
●NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。
●大多数写入 *** 作需要先进行擦除 *** 作。
●NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。
（4）接口差别
NORflash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写 *** 作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类 *** 作，因此，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。
（5）容量差别：
NORflash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NANDflash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储。
（6）可靠性和耐用性
－寿命(耐用性)
在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。
－位交换
所有flash器件都受位交换现象的困扰。位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，在使用NAND闪存的时候，应使用EDC/ECC算法。用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储 *** 作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。
－坏块处理
NAND器件中的坏块是随机分布的，NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
（7）易于使用
可以非常直接地使用基于NOR的闪存。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他 *** 作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。
（8）软件支持
在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样 *** 作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除 *** 作时都需要MTD。
使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被WindRiverSystem、Microsoft、QNXSoftwareSystem、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。
（9）在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序，但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器，其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此，必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器，在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行
2 趋势
NOR Flash 生产厂商有 Intel和ST， Nand Flash厂商有Hynix，micon，Samsung，Toshiba和Fujitsu等。
2006年NAND将占据59%的闪存市场份额，NOR的市场份额将下降到41%。而到2009年时，NAND的市场份额将上升到65%，NOR的市场份额将进一步下滑到35%。
Nand 主要应用：Compacflash，Secure Digi-tal，Smartmedia，SD，MMC，Xd，PC Card，USB Sticks等。
NOR的传输效率很高，在小容量时具有很高的成本效益，更加安全，不容易出现数据故障，因此，主要应用以代码存储为主，多与运算相关。
目前，NAND闪存主要用在数码相机闪存卡和MP3播放机中，这两个市场的增长非常迅速。而NOR芯片主要用在手机和机顶盒中，这两个市场的增长速度相对较慢。
3 Samsung的S3C2440就能支持从NAND Flash和NOR Flash两种方式启动。
nandflash和norflash的区别如下：
1、开发的公司不同：
NORflash是intel公司1988年开发出了NORflash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP,eXecuteInPlace）。
Nandflash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。
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2、存储单元关系的不同：
两种FLASH具有相同的存储单元，工作原理也一样，但NAND型FLASH各存储单元之间是串联的，而NOR型FLASH各单元之间是并联的。为了对全部的存储单元有效管理，必须对存储单元进行统一编址。
3、擦除 *** 作的不同：
NANDFLASH执行擦除 *** 作是十分简单的，而NORFLASH则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
由于擦除NORFLASH时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除 *** 作的时间为5s，与此相反，擦除NANDFLASH是以8～32KB的块进行的，执行相同的 *** 作最多只需要4ms。
参考资料来源：/baikebaiducom/item/Nand%20flash/4883033fr=aladdin"target="_blank"title="百度百科-Nandflash">百度百科-Nandflash
参考资料来源：/baikebaiducom/item/NOR%20Flash"target="_blank"title="百度百科-NORFlash">百度百科-NORFlash
除了主控芯片和缓存芯片以外，PCB板上其余的大部分位置都是NAND Flash闪存芯片了。NAND Flash闪存芯片又分为SLC（单层单元）和MLC（多层单元）NAND闪存：SLC全称是单层式储存 (Single Level Cell），因为结构简单，在写入数据时电压变化的区间小，所以寿命较长，传统的SLC NAND闪存可以经受10万次的读写。而且因为一组电压即可驱动，所以英特尔固态硬盘(15张)其速度表现更好，目前很多高端固态硬盘都是都采用该类型的Flash闪存芯片。MLC全称是多层式储存（Multi Leveled Cell），它采用较高的电压驱动，通过不同级别的电压在一个块中记录两组位信息，这样就可以将原本SLC的记录密度理论提升一倍。作为目前在固态硬盘中应用最为广泛的MLC NAND闪存，其最大的特点就是以更高的存储密度换取更低的存储成本，从而可以获得进入更多终端领域的契机。不过，MLC的缺点也很明显，其写入寿命较短，读写方面的能力也比SLC低，官方给出的可擦写次数仅为1万次。TLC即Triple-cell-per-bit，由于采用三层存储单元，因此可以以较低的成本实现更大的容量。具体来讲，SLC只有两个电平状态，MLC则为4个，TLC则多达8个，同容量下TLC的Die的尺寸比MLC小33%，因此价格也便宜了33%。当然良品率等因素也会对价格产生影响。由于TLC拥有多达8个电平状态，因此在电位控制上更加复杂，特别是写入速度会大受影响，延迟增加。加之如此多的电平状态，电子一旦溢出变会非常容易导致出错，难以控制，这就是为什么需要更强ECC纠错能力的原因，否则TLC闪存的寿命将会不堪一击。
nand写入量400T报废。NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得尤为明显。15T左右的闪存容量×平均PE268=400多T的nand写入量。欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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