bc549三极管参数

三极管的参数解释
λ---光谱半宽度
VF---正向压降差
Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长

数据分析师考试包含三个等级，如下：CDA LEVEL Ⅰ（业务数据分析师）CDA LEVEL Ⅱ（数据建模分析师）CDA LEVEL Ⅱ（大数据分析师）CDA LEVEL Ⅲ（数据分析专家）考试内容Level Ⅰ：客观题（单选+多选）参考书籍：《从零进阶！数据分析师的统计基础》（人大经济论坛 主编 曹正凤 编著） 《如虎添翼！数据处理的SAS EG实现》（人大经济论坛 主编 徐筱刚 编著） 《胸有成竹！数据分析的SAS EG进阶》（人大经济论坛 主编 常国珍 编著）Level Ⅱ：客观+案例分析（选择+案例 *** 作）考试内容由CDA协会按照CDA等级标准大纲要求命题；考试最终成绩分为A,B,C,D不及格四个层次，A,B,C三个层次皆为通过考试并获得认证证书。具体得大纲可以关注经管之家（人大经济论坛）CDA官网

PSM--------------------------------------------------------------------------------英文缩写PSM英文全称ProcessSafetyManagement中文解释过程安全管理缩写分类环境安全，化学化工缩写简介化工生产过程中的安全管理控制。详见美国CCPS（化工过程安全中心）网站。基本原理相移法（phase-modulationmethod）的基本原理由FDushinshy提出〔16〕。激发光源是频率f（即角频率ω=2πf）强度调制的正弦调制光源：R（t）=R0〔1+αcos（ωt）〕，其中α是幅度的调制。假设荧光是按单指数规律衰减，这时测量的荧光信号是激发函数与荧光衰减F（t）=τ-1exp（-t/τ）的卷积：I（t）=R（t）F（t）=R0〔1+αcosθcos（ωt-θ）〕。因此，从上式可知，检测的荧光信号也是按同样频率f调制的，但具有不同的调制幅度和位相延迟θ——：激发光位相；……：荧光位相；θ：相移角位相延迟θ可用下式表示：tanθ=ωτ。（1）幅度调制率m（即两个调制幅度的比值）为m=cosθ=（1+ω2τ2）-1／2，（2）因此，通过测量荧光信号相对于激发信号位相移动或调制幅度，可获得激发态的寿命τ。τ值是荧光发射波长的函数，也是时间分辨光谱的一种表述形式。相移法的缺点是不易获得多指数或非指数衰减寿命，需要在许多不同频率处进行重复实验才能分析多指数或非指数衰减，早期因激发光源调谐频率单一的原因，使相移法的使用大大受到限制。高重复频率的脉冲光源同时具有大量的调制频率，Gratton和Lopez－Delgado〔17〕提出用高重复频率的脉冲光源代替正弦调制的光源。上面得到的正弦调制光源激发下荧光信号的相移原理同样适用于激发光中的任何傅里叶成分〔18〕，此时荧光信号的相移和幅度调制有：tanθn=nω0τ，mn=〔（1+（nω0τ）2〕-1／2（3）其中n表示第n阶傅里叶成分，ω0=2πf为基频。同步辐射光是典型的高重复频率（05—500MHz）脉冲光源，形状为高斯型。意大利的ADONE环的同步辐射光脉冲时间间隔为346ns，脉宽FWHM为2ns，其能量谱由间隔为基频288MHz的许多δ函数组成，其外包络为半宽500MHz（1／2ns）的高斯型，因脉冲宽度和脉冲周期的很大不同，第n阶傅里叶成分的强度可与零频率的强度（即平均值）相比拟，因此可分析高次谐波的相移。这样，根据（3）式可以测量很短的寿命（亚皮秒量级），而不致严重影响信号的探测。意大利的同步辐射装置ADONE环近年来就是用相移法来测量荧光寿命的。Platform-specificmodels平台相关模型PSM(平台相关模型Platform-specificmodels)作为一个软件模型或业务系统，是与具体的技术平台相关的(例如，具体的编程语言， *** 作系统，数据库)。PSM对于某一系统的具体实现是必不可少的。举例，假设要实现一个在线商城。系统需要存放关于用户、物品、xyk等信息。设计人员可能会考虑使用Oracle数据库来实现这一想法。设计人员需要使用Oracle的SQL方言来表达关系模型中的概念(比如"用户"的概念)。这个明确的Oracle关系模型就是平台相关模型。PSM最常见于MDA(ModelDrivenArchitecture)方法中，MDA是OMG(国际对象组织)对MDE(ModelDrivenEngineering)方法的具体实现。它的主体思路是应该能够通过使用MTL(ModelTranslationLanguage)实现从PIM(PlatformIndependentModel)到PSM的实现。完成这一模型转换，可以使用符合最新QVT(Query/View/Transformation)标准的语言，比如AndroMDA，VIATRA(VisualAutomatedModelTRAnsformations)，ATL(ATLASTransformationLanguage)。PriceSensitivityMeter价格敏感度测试价格敏感度测试（PriceSensitivityMeter,PSM）在产品生命周期中，需要评估品牌或者品牌组合的定价策略及市场份额。为衡量顾客对不同价格的满意及接受程度、了解顾客认为合适的产品价格所做的测试研究，可通过描绘价格趋势图、气泡图、正态分布图等方法，为客户确定产品/服务的合适价格提供重要的参考依据。在新产品上市前需要对产品在目标消费人群的可接受价格水平作深入研究，在作新产品定价测试时,一般不事先设定价格，而是通过从消费者那里得到产品价格的可接受范围。我们的价格敏感度测试模型是一种用来了解消费者对某一品牌/产品的质量观念与价格以及它们之间联系的工具。测试在不同价格水平上该品牌/产品对于消费者的价值：1、怎样的价格水平能使公司的业务份额（销售额）最大化？2、不同价格点上，各竞争品牌的价格d性如何？3、消费者/客户愿意为产品的某一特性花费多少？4、测试在某一价格范围内，拒绝购买的比率；5、发现消费者对该产品可接受定价范围的初始反应；6、挖掘最佳价格点。具体 *** 作：价格敏感度分析方法是在70年代由VanWestendrop所创建。其特点为所有价格测试过程完全基于被访者的自然反应，没有任何竞争对手甚至自身产品的任何信息。其研究方法的要点如下：对某一新产品或服务，被访者被出示一个价格测试标度。价格标度的测试要求其价格范围涵盖所有可能的价格点，最低价格和最高价往往要求低于或高出可能的市场价格的三倍以上。该方法通常对某一产品或服务追问被访者4个问题：(1)请问对该产品而言，您认为什么价格对您而言是物有所值？(较低价格)；(2)请问该产品如果低到什么价格，您可能怀疑其质量较差，从而不会去购买(最低价格)；(3)请问什么样的价格您认为较高，但仍可能去购买(较高价格)；(4)请问如价格高到什么程度，您肯定会放弃购买？(最高价格)。对于上述四个问题，我们都可以求出每个问题在不同价格点上的频数以及频数的累计百分比。如果把四个累计百分比曲线画到图上，我们得到图2所示的四条累计百分比曲线。值得注意的是四个交叉点具有明显的经济学含义。图2中的“a”点至“b”点给出了该产品的定价范围。低于a点的价格，消费者会怀疑其质量太差而不会去购买，高于“b”点的价格，消费者会认为价钱太高，从而也不会去购买。图中的“c”点为可接受价格点，在此价位上，认为价位较高的比例和认为价位较低的比例相等。图中的“d”点为最优价格点。在此价格上，消费者认为价格既不是太高也不是太低。价格敏感度模型主要适用新产品测试，这类产品通常包括新的医药产品，新的高科技产品等等，在这一阶段，并没有竞争对手的产品出现。该模型的主要特点是简洁明了，所有价格点是基于被访者的自身比较，并且价格点是连续的。适用范围：价格敏感度测试模型主要用于新产品的单一产品测试，特别是药品、高技术含量产品等的最佳市场价格定位，它与简单GABORGRANGER模型使用的分析技术不同。PSM模型的要点在于通过定性研究，设计出能够涵盖产品可能的价格区间的价格梯度表，然后在有代表性的样本中，请被访者在此价格梯度表上做出四项选择：有点高但可以接受的价格，有点低但可以接受的价格，太高而不会接受的价格，太低而不会接受的价格。对样本的这几个价格点，分别求其上向和下向累积百分比，以此累积百分比作价格需求d性曲线，四条曲线的交点标出了产品的合适价格区间，最优定价点以及次优定价点。PSM-单光子计数法与相移法的比较相移法的突出优点是可能得到皮秒量级时间分辨率，但需要足够的光强以给出具有良好的统计性质的模拟信号。在用同步辐射激发的荧光实验中，同步辐射经激发单色仪分光后激发样品，发射光再经过发射单色仪发光后被检测，即使仪器调到最佳状态，一般地一次激发后被检测的光子数仅1—104个／秒。光强很低时，SPC方法的灵敏度优于相移法。对溶液和固体样品，激发中心与其周围环境的相互作用是较强的，从而使荧光衰减表现为多指数衰减规律或呈非指数衰减规律，而多指数衰减中可能一个成分比另一个成分强几个量级，当信号强度在两个量级范围内变化时，相移法检测能保持线性和灵敏度，而SPC方法能在信号强度至少在3个量级内变化时都保持线性响应。相移法只能得到一定发射波长的发光衰减时间（τ）值，不能直接观察到光谱的变化，不如SPC方法直观。相移法测量相位延迟或调制率来获得荧光寿命参数，不需对一定宽度的脉冲和电子学系统的时间响应进行去卷积处理，因此，相移法可以达皮秒量级的时间分辨，而SPC方法在对响应函数去卷积处理后可以获得50ps量级的时间分辨。PSM-相移法实验室国别实验技术DORIS（Hamburg）德国SPCSPEAR（Stanford）美国SPCCHESS（Cornell）美国SPCNSLS（Brookhaven）美国SPCSRS（Darebury）英国SPCACO（Orsay）法国SPCADONE（Frascati）意大利相移法其它意义PSMprocesssafetymanagement工艺安全管理1PSM：PeripheralSwitchingModule外围交换模块，作为交换机的一部分，用于PSTN、ISDN的用户接入和处理呼叫业务连接到中心模块作为多模系统的一部分2SQL/PSMSQL是一种非过程性语言，有很强的表达能力。随着基于数据看的应用逻辑日益复杂。顺序执行SQL序列表现出很多的局限性。减少局限性的方式是使用SQL/PSMPSM（persistentStoredModule）持久存储模块技术。3PSM突击

三极管的参数解释
λ---光谱半宽度
VF---正向压降差
Vz---稳压范围电压增量
av---电压温度系数
a---温度系数
BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压
BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压
BVceo---基极开路，CE结击穿电压
BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压
BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压
Cib---共基极输入电容
Cic---集电结势垒电容
Cieo---共发射极开路输入电容
Cies---共发射极短路输入电容
Cie---共发射极输入电容
Cjo/Cjn---结电容变化
Cjo---零偏压结电容
Cjv---偏压结电容
Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容
CL---负载电容（外电路参数）
Cn---中和电容（外电路参数）
Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容
Coeo---共发射极开路输出电容
Coe---共发射极输出电容
Co---零偏压电容
Co---输出电容
Cp---并联电容（外电路参数）
Cre---共发射极反馈电容
Cs---管壳电容或封装电容
CTC---电容温度系数
CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比
Ct---总电容
Cvn---标称电容
di/dt---通态电流临界上升率
dv/dt---通态电压临界上升率
D---占空比
ESB---二次击穿能量
fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率
fT---特征频率
f---频率
h RE---共发射极静态电压反馈系数
hFE---共发射极静态电流放大系数
hfe---共发射极小信号短路电压放大系数
hIE---共发射极静态输入阻抗
hie---共发射极小信号短路输入阻抗
hOE---共发射极静态输出电导
hoe---共发射极小信号开路输出导纳
hre---共发射极小信号开路电压反馈系数
IAGC---正向自动控制电流
IB2---单结晶体管中的基极调制电流
IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值
IB---基极直流电流或交流电流的平均值
Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流
Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流
Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流
Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流
ICMP---集电极最大允许脉冲电流
ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。
ICM---最大输出平均电流
Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值
IDR---晶闸管断态平均重复电流
ID---暗电流
IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流
IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流
Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流
IEM---发射极峰值电流
IE---发射极直流电流或交流电流的平均值
IF（AV）---正向平均电流
IF(ov)---正向过载电流
IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。
IFMP---正向脉冲电流
IFRM---正向重复峰值电流
IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）
IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流
iF---正向总瞬时电流
IGD---晶闸管控制极不触发电流
IGFM---控制极正向峰值电流
IGT---晶闸管控制极触发电流
IH---恒定电流、维持电流。
Ii--- 发光二极管起辉电流
IL---光电流或稳流二极管极限电流
IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流
Iop---工作电流
Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流
IP---峰点电流
IR（AV）---反向平均电流
IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。
IRM---反向峰值电流
Irp---反向恢复电流
IRRM---反向重复峰值电流
IRR---晶闸管反向重复平均电流
IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）
ir---反向恢复电流
iR---反向总瞬时电流
ISB---二次击穿电流
Is---稳流二极管稳定电流
IV---谷点电流
Izk---稳压管膝点电流
IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流
IZSM---稳压二极管浪涌电流
Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流
n---电容变化指数；电容比
PB---承受脉冲烧毁功率
PCM---集电极最大允许耗散功率
Pc---集电极耗散功率
PC---控制极平均功率或集电极耗散功率
Pd---耗散功率
PFT（AV）---正向导通平均耗散功率
PFTM---正向峰值耗散功率
PFT---正向导通总瞬时耗散功率
PGM---门极峰值功率
PG---门极平均功率
Pi---输入功率
Pi---输入功率
PK---最大开关功率
PMP---最大漏过脉冲功率
PMS---最大承受脉冲功率
PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率
Pn---噪声功率
Pomax---最大输出功率
Posc---振荡功率
Po---输出功率
Po---输出功率
PR---反向浪涌功率
Psc---连续输出功率
PSM---不重复浪涌功率
Ptot---总耗散功率
Ptot---总耗散功率
PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率
Q---优值（品质因素）
r δ---衰减电阻
R(th)ja----结到环境的热阻
R(th)jc---结到壳的热阻
r(th)---瞬态电阻
rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积
rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻）
RBB---双基极晶体管的基极间电阻
RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数）
RB---外接基极电阻（外电路参数）
Rc ---外接集电极电阻（外电路参数）
RE---射频电阻
RE---外接发射极电阻（外电路参数）
RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻
RG---信号源内阻
rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻
RL---负载电阻
RL---负载电阻（外电路参数）
roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻
Rs(rs)----串联电阻
Rth---热阻
Rth----热阻
Rz(ru)---动态电阻
Ta---环境温度
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tc---壳温
td---延迟时间
td----延迟时间
tfr---正向恢复时间
tf---下降时间
tf---下降时间
tgt---门极控制极开通时间
tg---电路换向关断时间
Tjm---最大允许结温
Tjm---最高结温
Tj---结温
toff---关断时间
toff---关断时间
ton---开通时间
ton---开通时间
trr---反向恢复时间
tr---上升时间
tr---上升时间
tstg---温度补偿二极管的贮成温度
Tstg---贮存温度
ts---存储时间
ts---存贮时间
Ts---结温
V n---噪声电压
V v---谷点电压
V（BR）---击穿电压
VAGC---正向自动增益控制电压
VB2B1---基极间电压
VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数）
VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降）
VBE10---发射极与第一基极反向电压
VBE---基极发射极（直流）电压
VB---反向峰值击穿电压
VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VCB---集电极-基极（直流）电压
Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数）
VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降
VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压
VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压
VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压
VCE---集电极-发射极（直流）电压
Vc---整流输入电压
VDRM---断态重复峰值电压
VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压
VEB---饱和压降
VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数）
VF（AV）---正向平均电压
VFM---最大正向压降（正向峰值电压）
VF---正向压降（正向直流电压）
VGD---门极不触发电压
VGFM---门极正向峰值电压
VGRM---门极反向峰值电压
VGT---门极触发电压
Vk---膝点电压（稳流二极管）
VL ---极限电压
Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值
Vn---中心电压
VOM---最大输出平均电压
Vop---工作电压
Vo---交流输入电压
Vp---穿通电压。
Vp---峰点电压
VRM---反向峰值电压（最高测试电压）
VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）
VRWM---反向工作峰值电压
VR---反向工作电压（反向直流电压）
VSB---二次击穿电压
Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压
Vth---阀电压（门限电压）
Vz---稳定电压
δvz---稳压管电压漂移
η---单结晶体管分压比或效率
λp---发光峰值波长

大数据分析师报考要求如下：

1、初级数据分析师：

（1）具有大专以上学历，或从事统计工作的人员；

（2）通过初级笔试、上机考试、报告考核，成绩全部合格。

2、中级数据分析师：

（1）具有本科及以上学历，或初级数据分析师证书，或从事相关工作一年以上；

（2）通过中级笔试、上机考试，成绩全部合格；

（3）通过中级实践应用能力考核。

3、高级数据分析师：

（1）研究生以上学历，或从事相关工作五年以上；

（2）获得中级数据分析师证书。

（3）通过高级笔试、报告考核后，获取准高级数据分析师证书；

（4）考生在获得准高级证书后，在专业领域工作五年，并撰写一篇专业数据分析论文，经答辩合格，获取高级数据分析师合格证书。

扩展资料

技能要求

1、懂业务

从事数据分析工作的前提就会需要懂业务，即熟悉行业知识、公司业务及流程，最好有自己独到的见解，若脱离行业认知和公司业务背景，分析的结果只会是脱了线的风筝，没有太大的使用价值。

2、懂管理

一方面是搭建数据分析框架的要求，比如确定分析思路就需要用到营销、管理等理论知识来指导，如果不熟悉管理理论，就很难搭建数据分析的框架，后续的数据分析也很难进行。另一方面的作用是针对数据分析结论提出有指导意义的分析建议。

参考资料来源：百度百科-数据分析师

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