现代内存芯片的编号识别

现代内存芯片的编号识别

现代内存芯片的编号识别

一、现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下（这里说的是2000年9月30日后的新版本HY内存芯片）:

HY XX X XX X  X  X   XX  X -XX
①  ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧  ⑨ ⑩                                   

第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用57代表SDRAM。
第3字段代表电压：通常用V代表SDRAM的额定电压3.3V。
第4字段代表一个内存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新；65代表64Mbit、8K刷新；28代表128Mbit、4K刷新；56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表数据带宽： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片内部由几个Bank组成：1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表电气接口：0代表LVTTL；1代表SSTL_3。
第8字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版，依此类推。
第9字段代表封装方式：T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP（LF-CSP）。
第10字段代表内存芯片的速度：现代电子从2000年9月30日开始逐渐停止生产编号结尾采用数字的内存芯片，如-10S、-7J、-75等等，而全面采用英文字母作为新的编号标识方式：H代表7.5ns（PC133 CL=3）； P代表10ns（PC100 CL=2）；S代表10ns（PC100 CL=3）。

例如内存芯片标识为“HY57V28820HCT-H”（见图1）指的是HY的128Mbit SDRAM内存芯片，刷新为4K Ref，数据带宽为8位，Bank为4，接口为LVTTL，芯片修正版本为第4版，速度是7.5ns（PC133 CL=3）。

二、现代DDR SDRAM内存芯片的识别

现代(HYUNDAI)公司的DDR SDRAM内存芯片上的标识格式如下：

HY  XX  X  XX  X  X   X   X  -XX
①   ②   ③  ④  ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨
第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用5D代表DDR SDRAM芯片。
第3字段代表电压：通常用U代表DDR SDRAM的额定电压2.5V。
第4字段代表一个内存芯片的密度和刷新速度：64代表64Mbit、4K刷新；65代表64Mbit、8K刷新；28代表128Mbit、4K刷新；56代表256Mbit、8K刷新。
第5字段代表数据带宽： 4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片内部由几个Bank组成：1代表2BANK；2代表4BANK。
第7字段代表电气接口：通常用2来表示184pin的DDR SDRAM接口。
第8字段代表封装方式：T代表TSOP；Q代表TQFP；I代表BLP；L代表CSP（LF-CSP）。
第9字段代表内存芯片的速度：K代表DDR266a；H代表DDR266b；L代表DDR200。
例如内存芯片标识为“HY5DU28820HCT-H”（见图2）指的是HY的128Mbit DDR SDRAM内存芯片，刷新为4K Ref，数据带宽为8位，Bank为4，封装方式为TSOP，速度为DDR266a。

三、现代RDRAM内存芯片的识别

现代(HYUNDAI)公司的RDRAM内存芯片上的标识格式如下：

HY  XX   XXX   XX   X  XX   -X
①   ②   ③       ④   ⑤   ⑥   ⑦

第1字段由HY组成，代表是现代(HYUNDAI)的产品。
第2字段代表产品类型：通常用5R代表RDRAM芯片。
第3字段代表一个内存芯片的密度：128代表128Mbit；144代表144Mbit；256代表256Mbit；288代表288Mbit。
第4字段代表芯片修正版本：空白或H代表第1版，A或HA代表第2版；B或HB代表第3版；C或HC代表第4版。
第5字段代表数据带宽：4代表4bit，8代表8bit，16代表16bit，32代表32bit。
第6字段代表内存芯片的速度标识：40代表40ns；45代表45ns；53代表53ns。
第7字段代表内存芯片的工作频率：6代表600MHz；7代表711MHz；8代表800MHz；1代表1066MHz。

例如内存芯片标识为“HY5R128HC840-H”（见图3）指的是HY的128Mbit RDRAM内存芯片，芯片修正版本为第4版，数据带宽为8位，速度为40ns，工作频率为800MHz。