意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性

意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性,第1张

2022 年 6 月 23 日,中国 – 意法半导体40V MOSFET晶体管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低导通电阻开关损耗,同时优化体寄生二极管特性,降低功率转换、电机控制和配电电路的能耗和噪声。 意法半导体推出40V STripFET F8 MOSFET晶体管,具备更好的节能降噪特性,poYBAGK1Gm-AWl93AAF0EQL1gnA524.png,第2张

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