让CMOS集成高压功能，ESD是关口

让CMOS集成高压功能，ESD是关口

一个由英飞凌（Infineon Technologies）和印度孟买理工学院（Indian InsTItute of Technology, Bombay）组成的联合研究小组，近日宣称可将高电压功能集成在先进的CMOS技术中。

该团队的研究结果表明，设备的高压功能、从USB接口到高压线驱动器，都可以集成在采用45纳米甚至以下的CMOS片上系统。

英飞凌的ESD研究高级首席工程师Harald Gossner表示，“这次合作对我们在理解一些现有设备的可靠性问题是十分有益的，所提出的解决方案也大大提升了我们的产品性能。”