选择适合的集成EMI滤波及ESD保护方案_技术

　　对于EMI/RFI滤波器而言，从架构上看，最常见的架构是“Pi”滤波器，顾名思义，这种架构类似于希腊字母“π”。常见的π型滤波器有两种，分别是C-R-C(电容-电阻-电容)滤波器和C-L-C(电容-电感-电容)滤波器。其中，C-R-C滤波器(见图1a)也称RC-π型滤波器或π型RC滤波器，用于音频及低速数据滤波应用;C-L-C滤波器(见图1b)也称作LC-π型滤波器或π型LC滤波器，用于音频、低速及高速数据滤波应用。

　　π型滤波器还有一种扩展类型，即形状象梯子的梯形滤波器，其中最常见的是LC(电感电容)梯形滤波器(见图1c)，这种滤波器承受更高的数据率，但在滤波元件(电感或电容)增多时，尺寸和成本会成为问题，导致物料成本更高、封装更大。

　　图1：常见EMI/RFI滤波器类型的结构示意图：a) π型RC;b) π型LC;c) LC梯形。

　　这几种类型的EMI/RFI滤波器中，从频幅响应比较来看，π型RC滤波器的跃迁带(transiTIon band)最宽，转折率(rolloff)最低;π型LC滤波器的转折率较低，但跃迁带适中;梯形滤波器则能实现极高的转折率及较窄的跃迁带宽。

　　就EMI/RFI滤波而言，以手机应用为例，传统上的一个基准频率是800 MHz，因为800 MHz接近手机所用频段的起始频率。大多数情况下，手机设计工程师要求在800 MHz以上频率进行滤波，这一般意味着最低30 dB的信号衰减。随着手机中功能的增多以及时钟与数据信号的分类，基准频率正在降低。许多便携电子产品制造商要求在400 MHz频率进行EMI/RFI滤波，未来可能还会要求在更低频率下进行EMI/RFI滤波。

　　集成EMI滤波与ESD保护

　　在便携产品中，滤波器一般位于邻近连接端口、麦克风和扬声器的位置。而恰好这些位置也可能面临静电放电(ESD)事件。以音频线路为例，如果采用分立元件方案来分别进行EMI滤波和ESD保护，就面临着执行这两项功能所需要的元器件数量问题。其中，就EMI滤波器而言，如果使用1个分立的π型LC滤波器，就需要2个表面贴装电容和1个表面贴装电感。为了提供ESD保护，还需要额外增加某种类型的表面贴装瞬态电压抑制器(TVS)二极管。这样，1条音频线路的EMI滤波和ESD保护就需要4个独立元件，这里还未提及这些元件所需占用的便携设弥足珍贵的空间问题。如果不止1条音频线路，那采用分立元件方案就更不切实际了。

　　因此，最简单的方案就是在同一个元件中集成EMI滤波与ESD保护功能。首先，集成方案中的集成型TVS二极管也提供EMI滤波所需的电容;其次，改进工艺技术也可大幅提升集成型电感的质量。通过将这些集成型元器件集成到硅片上，原来需要多个独立元件的方案，就可以采用集成型EMI滤波+ESD保护方案(参见图2)。