随着快充市场的飞速发展和竞争加剧,对整体方案降本的要求更加严苛,为了更好地支持客户提升竞争力与优化性价比,晶丰明源推出了契合市场需求、集成具有IGBT结构的复合功率管快充方案:BP87112&BP6211B,帮助客户在内卷化的竞争中赢得先机。
BP87112集成专利(中国实用新型专利 ZL202022635068.0)的具有IGBT结构的复合功率管,通过优化内部控制技术,在保证性能的前提下,很好地兼顾了成本和效率;同时,搭配行业内10nS超短关断延时的同步整流芯片BP6211B,外围极简,性能更优。
BP87112&BP6211B的套片组合是20W追求高性价比的应用方案优质之选。
BPSemi
-BP87112-
集成具有IGBT结构的复合功率管
反激式PWM驱动芯片
01目标应用
20W高性价比USBPD/QC 充电器
高效率反激式AC/DC适配器
AC/DC待机电源
02性能特点
满足六级能效&小于75mW的待机损耗
内置650V高压的具有IGBT结构的复合功率管
高压启动,无需启动电阻
支持CCM&DCM工作模式
精准的输出过压、欠压保护
内置软启动功能
集成完备的保护功能
采用ESOP-6封装,散热性能好
03应用结构
BPSemi
-BP6211B- 超快关断CCM/DCM同步整流驱动开关
01目标应用
QC/USB-PD/可编程AC-DC充电器
高效率反激式AC/DC适配器
高效率、高功率密度反激变换器
02性能特点
集成60V同步整流MOSFET
支持CCM/DCM/QR工作模式
集成度高,外围电路简洁
自适应驱动电压,超快关断速度,防止CCM模式初次级共通
内置振铃检测,防止DCM误开通
最大4A驱动下拉电流,超低驱动内阻可避免密勒效应引起误开通
可灵活应用于正端和负端整流
芯片自供电,正端整流时无需辅助供电绕组
支持宽电压输出范围,可低至0V输出
03应用结构
BPSemi
-BP87112&BP6211B- 20W快充方案
01应用方案:20W QC 2.0/3.0
输入电压:90Vac-264 Vac
输出规格:5V/3 A, 9 V/2.22 A,
12 V/1.67 A
02应用电路图
03方案实物图
BPSemi
-方案特点-
01高效节能
轻松满足全球能效标准
全电压范围空载功耗<30mW
效率测试
轻松满足六级能效标准
02高可靠的系统性能
优异的EMI性能
输出:12V 1.67A
系统ESD性能
BP87112定位于20W高性价比的快充解决方案,可广泛应用于QC/USBPD手机快充、墙插等。内置650V高压的具有IGBT结构的复合功率管以及高压启动电路,不仅外围电路非常简洁,节省了系统成本和体积,而且省去了启动电阻的功耗,能轻松通过最新能效标准对待机功耗的要求。BP87112提供了丰富的保护功能,使系统很容易满足各种可靠性指标,因此特别适用于快充应用场合。 BP6211B是高集成度、高性能、自供电的同步整流控制芯片,可应用于高效率、高功率密度反激电源。BP6211B内置60V功率MOSFET,使用振铃检测电路和采用自供电的方法,加上超短的关断延时和高达4A的驱动下拉电流,使得系统可靠工作于CCM、DCM和QR工作模式;同时由于采用自供电方法可灵活放置于正端和负端整流,无需额外的绕组供电,外围电路非常简洁,可实现宽范围输出电压,输出电压可低至0V,非常适合于充电器应用。 目前晶丰明源这套高性价比的20W快充套片已经在市场上大批量出货并深受客户青睐,市场反馈良好。 通过不断的技术创新,晶丰明源会继续为业界带来更多具有技术亮点、高可靠性、高性价比的快充产品。
审核编辑:汤梓红
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)