光敏半导体材料的光电转换特性
在无光照射时电阻值极高(>1012Ω),当受光照射时便发出光电子,并变成参加内部导电的自由电子,从而降低了材料的电阻率,其电阻率变化量与光通量成正比。这种电阻率的变化只体现在光电靶的深度方向上,并不沿横向扩散,所以靶面可以被具有一定截面积的扫描电子束分解成无数个独立的单元像素。每一个像素都可等效成电阻R和电容C的并联。
光电靶的等效电路
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光敏半导体材料的光电转换特性
在无光照射时电阻值极高(>1012Ω),当受光照射时便发出光电子,并变成参加内部导电的自由电子,从而降低了材料的电阻率,其电阻率变化量与光通量成正比。这种电阻率的变化只体现在光电靶的深度方向上,并不沿横向扩散,所以靶面可以被具有一定截面积的扫描电子束分解成无数个独立的单元像素。每一个像素都可等效成电阻R和电容C的并联。
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