ATLab开发成功电阻式多点触控技术

ATLab开发成功电阻式多点触控技术

ATLab Inc近日公布研发出了ResisTIve MulTI Touch(R-MT)技术。此产品是由HWIT(Han wool InformaTIon Tech.co.,Ltd)公司利用ATLab Inc.所提供的成熟的触控技术而制作的与传统产品区别化的ITO模组。此产品有电阻式触摸屏的低价优势且性能更超越Apple iPhone。

现今，多点触控方案主要有光电式, 电容式与电阻式。其中光电式单点触摸(OpTIcal single touch)已经以TIR (Total Internal Reflection)模式商业化，而光电式多点触控已由 New York University 开发成功，现已应用在Microsoft的Tablet PC上。电阻式单点触控技术也已广泛地应用在包括Samsung Haptic Phone的各类Smart Phone上,而多点触控也已由Stantum公司开发完成。电容式多点触控则已由Apple成功应用在iPhone里。

ATLab 此次所开发的电阻式的R-MT为100%数字电路，可达到快速的反应速度，并且可以减少功率消耗。R-MT不仅可同時使用手指及触控笔进行韩文, 英文, 汉字等各种文字的手写输入，并且可用手指放大或缩小图片。相反电容式多点触控(Capacitive Multi Touch: C-MT) 只能用手指输入简单的英文字体。R-MT在制作成本方面比C-MT廉价，且已有3项相关专利。(KRAP10-2008-0127410, KRAP10-2009-0014944, KRAP10-2009-0028199)

此R-MT产品还结合了HWIT的最新技术，大幅简化了制作过程，并用UV Ink与嵌入ITO的Poly Carbonate取代了以往使用光学薄膜与2张ITO film的方式。使用此技术所制作的产品，可大幅减少制作成本，提高产品制作速度，并且还可以提高良率。应用此方式可减少10~15%成本支出。

ATLab Inc还研发出了将电阻式与电容式的优点结合的R+C触控技术。另外，ATLab今后更打算为各种客户的不同需求提供ASIC Solution，并为客户制作出客制化的产品。