韩国政府携手三星与海力士 研发MRAM芯片

韩国政府携手三星与海力士 研发MRAM芯片

根据韩联社(Yonhap)报导，韩国政府宣布，已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，进行磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-MagneTIc Random Access Memory；MRAM)的研发专案，以维持韩国在半导体产业的领先地位。

韩国知识经济部半导体与面板部门首长 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研发完成，韩国于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程存储器芯片市场，并预估该市场于2015年将有 530亿美元的产值。Park也指出，此项共同研发专案将让韩国拥有基础技术，支持韩国在半导体产业续保世界级的竞争力。

政府计划负担该合作专案一半的成本，为240亿韩元(约2,080万美元)，另外一半将由三星与海力士共同出资。韩国政府表示，研发中心目前已安装12寸 (300mm)磁性薄膜沈积系统(MagneTIc Thin Film DeposiTIon System)以及其它芯片制造设备，优于日本竞争对手研发STT-MRAM时所使用的8寸(200mm)沈积系统，预期将让韩国在研发脚步上领先。