耐辐射FPGA具备高可靠性和可重构性，助力解决航天器设计中的挑战

Microchip Technology Inc.

航空航天业务部高级产品营销工程师

Julian Di Matteo

在挑选现场可编程门阵列（FPGA）半导体产品时，卫星和航天器系统设计人员有几种不同的选择。一种是选择商用现货（COTS）组件，这种做法可降低组件单位成本，缩短交付时间，但可靠性通常不足，必须进行筛选（导致成本和工程资源增加），并且需要使用软硬三重模块冗余（TMR）来减轻空间辐射效应。对于要求不能出现故障的任务，设计人员通常会选择采用抗辐射设计（RHBD）技术的FPGA，虽然成本较高，但这类产品经过筛选和认证，符合合格制造商清单（QML）Q类和V类标准。QML V类是航天用半导体的最高认证标准。载人任务和安全关键型任务依靠QML-V组件降低故障风险。

提高性能、增强板上数据处理能力以及提供高速通信能力，这些航空领域的挑战性需求日益增加，设计人员必须设计出满足这些需求的系统。此类耐辐射RT FPGA以其制造商的航天经验和专业知识为后盾，依托通过QML V类测试的多个解决方案，提供了一种采用耐辐射设计的解决方案。本文重点介绍航天应用可以采用的不同FPGA技术以及组件的开发过程。

空间辐射效应

由于商用现货组件无法免疫各种空间辐射效应的影响，会导致集成电路性能下降或出现故障，因此需使用RT FPGA。

在各种辐射效应中，有一种称为总电离剂量（TID），它是由空间中的带电粒子和伽马射线引起的辐射所致。这种辐射可通过在材料中产生电离而积聚能量。电离会改变材料的电荷激发、电荷传输、键合和解离特性，从而对器件参数造成不利影响。TID是电子器件在指定时段（通常是任务时间）的电离辐射累加。损伤程度取决于辐射量，用辐射吸收剂量（RAD）表示。视TID辐射耐受性而定，器件可能会产生功能性或参数性故障。FPGA中受TID辐射影响的常见参数包括传输延时增加，这会降低器件性能。另一个故障机制是，在受到高TID辐射后，泄漏电流会增大。

另一类辐射效应是单粒子效应（SEE）。这是指瞬态翻转、瞬变或永久性损伤，因粒子（例如质子、重离子和α粒子等）辐射撞击到晶体管的敏感区域所致，会引发各种故障。SEE表现为包括单粒子翻转（SEU）在内的不同形式，在重离子、α粒子或质子等高能电离粒子照射电路或通过集成电路时产生，会导致系统逻辑中断。

同样令人棘手的是单粒子锁定（SEL），这是一种因单粒子诱导的高电流状态导致器件功能丧失的情况。SEL不一定具有破坏性。对于具有破坏性的锁定粒子，电流不会恢复到标称值。而对于不具有破坏性的锁定粒子，在FPGA上电循环后，高电平电流将恢复到标称值。

FPGA技术比较

FPGA有四种基本类型：

• SRAM型FPGA

SRAM型FPGA使用静态存储器存储逻辑单元配置数据。SRAM具有易失性，掉电后器件配置会丢失。而上电时必须对FPGA进行编程。SRAM型技术的功耗往往更高，对辐射更敏感。

• 闪存型FPGA

可重新编程的闪存型FPGA主要使用闪存来存储配置。闪存技术不受SEU影响，因而不再受到FPGA配置存储器中辐射所致粒子翻转的威胁。与SRAM型FPGA的功耗相比，RTG4闪存型FPGA的功耗最多可减少50%。采用闪存技术不需要外部存储器、冗余或连续配置监视，从而在多个方面简化了设计。这种技术也无需使用散热器，因此可缩小设计尺寸并减小重量，而且有助于降低功耗，这对于电子模块通过太阳能电池板供电的情况尤为重要。

• SONOS型FPGA

此类FPGA的一个示例是Microchip的RT PolarFire FPGA，其具备表征化辐射数据、低功耗以及不受SEU配置影响的辐射性能，并提供经过QML-V认证的高可靠性组件。这些FPGA在28纳米工艺节点上基于硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅（SONOS）非易失性（NV）技术开发。已通过测量逆变器的传输延时对28纳米和较早的65纳米进行了技术对比。测试结果表明，在性能上，采用28纳米SONOS技术比采用65纳米闪存技术要高出2.5倍。这些SONOS型FPGA在提供低功耗解决方案的同时，还具备出色的抗辐射性能，并且不受SEU影响。SONOS型FPGA已通过QML-V认证，是需要进行高速信号处理的应用的理想之选。

图1给出了闪存型FPGA和SONOS型FPGA为免受SEU影响而采用的架构。