内存时序是描述内存条性能的一种参数,一般存储在内存条的SPD中。内存时序和我们的内存频率一样,同样代表了一款内存性能的高低。一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。
主要内存的四个主要时序参数:
CL : CAS Latency Control “内存读写 *** 作前列地址控制器的潜伏时间”,同频率下,CL值越小内存条性能越好,从DDR1-4 CL值越来越大,相反说明CL越大,能上去的频率越高。
tRCD : RAS to CAS Delay“行寻址到列寻址延迟时间”,tRCD值对内存最大频率影响最大。
tRP : Row Precharge TIming“内存行地址控制器预充电时间”
tRAS : Min RAS AcTIve TIming“内存行有效至预充电的最短周期”,对某行的数据进行存储时,从 *** 作开始到寻址结束需要的总时间周期。
文章整合自百度知道、百度贴吧、英睿达
审核编辑:黄飞
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