东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备,第1张

  中国上海,2022年1月26日——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出两款全新碳化硅(SiC)MOSFET双模块---“MG600Q2YMS3”和“MG400V2YMS3”:前者额定电压为1200V,额定漏极电流为600A;后者额定电压为1700V,额定漏极电流为400A。作为东芝首批具有上述额定电压的产品,它们与之前发布的MG800FXF2YMS3共同组成了1200V、1700V和3300V器件产品线。

  东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备,第2张

  这两种新模块在安装方式上兼容广泛使用的硅(Si)IGBT模块。两种新模块的低损耗特性满足了工业设备对提高效率、减小尺寸的需求,例如用于轨道车辆的转换器和逆变器以及可再生能源发电系统。

  应用:

  •   用于轨道车辆的逆变器和转换器
  •   可再生能源发电系统
  •   电机控制设备
  •   高频DC-DC转换器

  特性:

  •   安装方式兼容Si IGBT模块
  •   损耗低于Si IGBT模块

  MG600Q2YMS3

  VDS(on)sense=0.9V(典型值)@ID=600A,Tch=25℃

  Eon=25mJ(典型值),Eoff=28mJ(典型值)@VDS=600V,ID=600A,Tch=150℃

  MG400V2YMS3

  VDS(on)sense=0.8V(典型值)@ID=400A,Tch=25℃

  Eon=28mJ(典型值),Eoff=27mJ(典型值)@VDS=900V,ID=400A,Tch=150℃

  •   内置NTC热敏电阻

  主要规格:

  (除非另有说明,@Tc=25℃)

 

东芝推出全新1200V和1700V碳化硅MOSFET模块,助力实现尺寸更小,效率更高的工业设备,第3张

 

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