湿法贴膜技术在HDI细线路制作工艺中的应用(四)

湿法贴膜技术在HDI细线路制作工艺中的应用(四),第1张

湿法贴膜技术在HDI细线路制作工艺中的应用(四)

李学义 杨天智
杜邦中国集团有限公司,深圳

      5. 1) 显著提升了一次良品率(FPY,FIRST PASSED YIELD),降低了开路/缺口而导致的报废。特别是对外层粗糙线路表面,开路/缺口缺陷降低较为明显。

      5. 2)显著的贴膜生产效率提升:


  5. 3)无需板面预热处理,减少了投资费用.

  5.4)热压辘的贴膜温度降低约10摄氏度,延长了热压辘使用寿命.

  7、湿法贴膜的盖孔能力:

  由于干膜阻剂粘度的降低,改善了干膜阻剂的流动性,但同时降低了干膜的盖孔能力.能否满足HDI 板盖孔能力的要求是决定湿法贴膜在HDI外层应用的关键。

  结合改进型的湿法贴膜装置和工艺参熟的控制。实践证明,湿法贴膜可获得可靠的盖孔能力,完全能满足HDI盖孔能力的要求。

  1,干膜的选则:

  盖孔能力是干膜本身的一个重要指数。对于湿法贴膜在HDI细线路掩孔蚀刻中的应用来说,干膜的选则应考滤以下原则:

  1),良好的盖孔能力。干膜本身的盖孔能力好坏最直接决定了湿法贴膜的盖孔能力。(见表2)

表2: 不同干膜盖孔能力测验


   2),良好的湿压匹配性。在湿法贴膜应用中,通过水膜来软化干膜阻剂,以达到降低干膜粘度的目的。如干膜不能很好的吸收水,就无法完成干膜阻剂与铜面和干膜接口的水泡的交换。<如图标6。压膜水泡等同于接口气泡>;还有,如干膜吸水性太好,会造成盖孔能力的降低。实践中,需应用特别设计的干膜来配合湿法贴膜。

  3),具有良好的细线路解像能力。 对于3/3MILS 线路来说,干膜成像底片为3.8-4.2MILS线宽 /2.2-1.8线隙(MILS),因此,HDI使用干膜应具备更高的解像度,最好达到30-35UM的解像度。

  4),当然,干膜厚度也直接地影响到了湿法贴膜盖孔能力。但综合解像度的要求,我们通常选则1.5 MILS 厚度干膜作此应用。

  2,压膜后的停放时间的影响:

  应用水等液体介质软化了干膜阻剂的粘度,增强了干膜的流动性,使得干膜阻剂更易流入盖孔内。.随者贴膜后停放时间的延长,干膜阻剂在孔边会变得越来越薄,从而降低了盖孔能力。

  PLHT<贴膜后停放时间> 的控制对湿法贴膜的盖孔能力影响比传统干法贴膜更重要。试验中的资料显示:在 PLHT 24 小时内湿法贴膜的盖孔能力会很快下降。(如图8 示)。

图8:盖孔能力与PLHT 的关系.


  3,水等液体介质流量的影响

  水流量对盖孔能力也有较大影响。在改进型的湿法贴膜装置上,水流量的控制已很容易。由于篇幅有限,本文在此不作详细探讨。

  综合以上各方面的因素,湿法贴膜可大量应用在2.45-3.8MM的盖孔和少量4.8MM 盖孔的HDI 线路板生产中。

  8, 结论:

  1. 应用湿法贴膜可有效的省略掉内层埋孔塞孔工艺,简化了工艺流程,降低了生产周期,从而降低了固定成本和运作成本的投入。

  2. 应用湿法贴膜,改善了干膜的流动性,使得干膜能更充分得填入板面凹坑,使得良品率得到极大提升。

  3. 同时,湿法贴膜能极大地提高贴膜生产效率。

  总之,对于HDI板复杂的层间互连来说,工艺流程的减少就意味者工艺流程可靠性增强。而任何复杂的多层结构都可化解成几个单核心层的叠加。相信采取内层埋孔不塞孔工艺,配合湿法贴膜技术在影像转移中的应用,将是未来HDI影像转移技术的发展方向。

9,参考文献:
1, Mats J.Ehlin and Ellen G. Pressley, ”wet laminaTIon is making waves” PC FAB, April 2001.
2, Karl H Dietz, “wet laminaTIon of dry film photoresist”,PC FAB, Decemeber, 1996.
3, H.Yamada, “ wet laminaTIon technology and new applicaTIon for image transfer” Electronic circuits world convention
4, E.Hayes & J.Carraway, PCFAB, April 1990. “Improving conformation and yield with wet lamination”
5, Tatsuo suzuki, “ HDI PCBs Using Stacked Via Structures”, PC FAB , October 2002
6,Leo Biener, “ Why Use HDI?” PC FAB ,January 2003.


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