台积电称其已解决造成40nm制程良率不佳的工艺问题

台积电称其已解决造成40nm制程良率不佳的工艺问题,第1张

台积电称其已解决造成40nm制程良率不佳的工艺问题

 据台积电公司高级副总裁刘德音最近在一次公司会议上表示,台积电40nm制程工艺的良率已经提升至与现有65nm制程相同的水平,他并表示公司已经完美解决了先前造成40nm制程良率不佳的工艺腔匹配(Chamber matching)问题.

  台积电19日举办了一场庆祝Phase5新厂房完工的庆典仪式,这间厂房隶属于新竹科技园区的台积电Fab12工厂.据悉新完工的Phase5厂房将于今年第三季度起开始批量投产28nm制程产品。

  另据刘德音表示,台积电正在计划兴建Fab12 Phase6厂房,这座Phase6厂房将用于生产22nm制程产品。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2431352.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-02
下一篇 2022-08-02

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存