内置的可选死区时间生成电路可对稳定性进行热补偿,并具有噪声和电源电压波动免疫功能,以改善总谐波失真THD。IRS20124S内置双向电流感应和集成的关断功能,在出现扬声器引线短路等过流状况时保护输出MOSFET。
I R消费及工业产品部副总裁谭仲能指出:“使用这一新型D类音频集成电路来驱动音频MOSFET(如IRF6665),电路设计人员可以减少系统占板空间,改进PCB布局,降低EMI和改善热特性。”他表示:“D类音频电路需要承受高频开关的高电压变化,IR专门为开关应用优化的MOSFET和高压控制集成电路非常适合数字音频系统的需要。其针对特殊应用的器件具有更高的效率,能增加功率密度并具有更好的音频性能。”
新款IRS20124S D类音频高压控制集成电路现已供货。该器件符合无铅和RoHS标准。 IRS20124S为14引脚SOIC封装,每万件的订货量单价1.50美元,价格会有所变动。
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