IR推出首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP201

IR推出首批商用氮化镓集成功率级器件iP2010和iP2011

iP2010和iP2011集成了非常先进的超快速PowIRtune驱动器IC，并匹配一个多开关单片氮化镓功率器件。这些器件贴装在一个倒装芯片封装平台上，可带来比最先进的硅集成功率级器件更高的效率和超出双倍的开关频率。

IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“我们为DC/DC应用推出的这个氮化镓功率器件系列预示着一个高频率、高密度、高效电源转换解决方案的全新时代，更重申了IR在创新电源管理设计方面的领先地位。”

潘先生补充道：“iP201x系列高达5MHz的开关能力有助于设计师显著减少输出电容和电感值及尺寸，有助实现空间紧张的设计。这些器件还能够使要求最高效率的应用设定在较低的开关频率下运行。”

iP2010的输入电压范围为7V至13.2V，输出电压范围则为0.6V至5.5V，输出电流高达30A。这个器件最高运行频率为3MHz。在5MHz运行时，与iP2010引脚兼容的iP2011备有相同的输入和输出电压范围，但后者经过优化，从而使最高输出电流高达20A。通过以通用占位面积提供多种电流额定值器件，IR提供的灵活性能够满足不同客户对电流水平、性能和成本的要求。

这两种器件采用细小占位面积的LGA封装，为极低的功率损耗作出了优化，并提供高效率的双面冷却功能，并符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

iP2010产品规格

iP2011产品规格

单页的数据表已刊登在IR的网站 www.irf.com。IR也会向合格客户提供完整的数据表、演示板和样品。

GaNPowIR简介

GaNpowIR是一种革命性的氮化镓(GaN)功率器件技术平台，与最先进的硅技术平台相比，能够改善客户主要特定应用的性能指数(FOM)高达10倍，可以显著提高性能并节省能源消耗，目标市场包括计算和通信、汽车和家电等的终端应用。这款开创先河的氮化镓功率器件技术平台是IR经过5年的时间，基于其专有硅上氮化镓外延技术研究开发的成果。高生产量的150mm硅上氮化镓外延以及相关的器件制造工艺，完全符合IR具备成本效益的硅制造设施，可为客户提供世界级的商业可行的氮化镓功率器件制造平台。欲获取更多资料，请浏览 http://www.irf.com/product-info/powir。