长江存储即将试产第一批 192 层 3D NAND 闪存芯片

长江存储计划今年把产量提高一倍，计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到 10 万片晶圆，约占全球总产量的 7%。并准备试产 192 层 NAND 快闪记忆体晶片。这将有助于长江存储缩小与全球先进制造商之间的差距。据悉，三星电子目前每月约生产 48 万片晶圆，而美光的月产能约为 18 万片。

报道指出，长江存储除计划增产外，也在加快技术开发进程。

知情人士表示，长江存储最早将于 2021 年年中试产第一批 192 层 3D NAND 闪存芯片。不过，因先进工艺的复杂性，需要时间确保量产芯片质量，这一计划有可能会被推迟到今年下半年。

长江存储于去年 4 月宣布完成 128 层 3D NAND 闪存芯片的开发工作，并于去年年底开始批量生产。而三星和美光等厂商目前仍致力于开发 176 层 3D NAND 闪存芯片，最先进的量产产品仅 128 层。

2018 年 -2020 年，长江存储实现了从 32 层到 64 层再到 128 层的技术跃进，在市场份额高度集中的存储芯片市场，国产存储芯片的量产和上市对填补国产存储的空白具有重要意义。具体表现在，长江存储和合肥长鑫的产线处于产能爬坡过程中，尚存在较大的产能空间，在其产能扩张过程中将有力拉动国产半导体设备厂商释放业绩。

据了解，长江存储的国内客户包括联想和华为等。

值得一提的是，长江存储已经撼动了全球 NAND 闪存市场。当英特尔在 2020 年将旗下的 NAND 闪存业务出售给 SK 海力士的时候，一些市场观察人士认为，此举是这家美国芯片制造商为了避免可能来自长江存储的激烈竞争所做出的决定。除此之外，长江存储还是中国建立自主的半导体产业链的重要推动力。
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