圆我“铁电梦”，关于FRAM网友有话说！

近几年，FRAM（铁电存储器）比较火，特别是在三表的应用中。网上也有不少对FRAM技术的讨论。这不，小编看到了一篇分享，是某网友总结的FRAM应用的心得，发布在这里供正在使用和将来要使用FRAM的筒子们参考~

网友分享原文如下：

前段时间曾在申请过某公司的样品，苦苦等了两个多月，后来由于种种原因样品没能申请成功，就暂停了我的铁电之旅。

在一次活动上了解到了富士通的铁电，才发现原来富士通这么牛，铁电出了这么多型号。于是马不停蹄的申请了样品MB85RC256V，让我有机会圆了“铁电的梦”。

铁电存储的优势很明显，与 EEPROM 、 FLASH 等传统的非易失性存储器相比，具有优越的高速写入、高读写耐久性和低功耗性能。好了，进入正题，先看下样品的外貌↓↓↓

好吧就是这么巧！一直以蹭网为生的我，刚好又赶上断网，只好用流量下了个手册下了个I2C的代码，准备正式测试这个神奇的铁电。but~经过研究想在这短短的几天时间写死MB85RC256V这家伙是不太现实的！

脑回路一转，咱们玩点有意思的，测试一下MB85RC256V的写入速度和低功耗把~虽然测试的方法简单，但解决的这个问题正是我以前遇到过的，就是这么6！

首先是飞线，得益于我那超凡的焊功，这个片子没费多少功夫就焊成这样：

还是挺漂亮的，然后连接到LaunchPad的效果是这样：

富士通铁电存储器MB85RC256V写入速度与功耗测试原理及流程是这样的：

检测原理

通过二极管将外部电源与测试板电源隔离 测试板使用1个10uF和1个100nF电容畜电

工作时掉电检测I/O由外部电源拉高

单片机工作时处于低功耗状态

当外部电源掉电后，掉电检测I/O通过下拉电阻产生下降沿中断

产生下降沿中断时唤醒单片机 同时向MB85RC256V 地址0写入0x55 并点亮LED耗尽测试板电容剩余电量

单片机每次上电会从MB85RC256V 地址0读取一个字节数据，判断是否为0x55，如果是则点亮LED说明曾向此处写过数据

为方便下一次测试，使用按键清除MB85RC256V 地址0数据，将数据置零

测试流程

开发板上电工作

断开测试板外部电源

开发板由电容器内部存储的电能短时供电

I/O产生中断

写入 0x55数据到MB85RC256V 地址0

LED点亮耗尽剩余电量

测度板重新上电

通过查看LED状态，如果LED点亮说明写入0x55成功，否则失败

开发环境

使用TI LaunchPad MSP430G2553开发板

使用物理I2C P1.6 SCL P1.7 SDA

使用P1.3作为按键 输入 上拉电阻 下降沿中断检测

使用P2.0作为掉电检测引脚 输入 下拉电阻 下降沿中断检测

下好程序后需去掉J3所有跳帽 防止电流通过I/O流入

MB85RC256V使用杜邦线飞线连接

使用47K外部上拉电阻

MB85RC256V地址线全部拉地

测试心得总结

MB85RC256V绝对是个很牛的东西，配合msp430使用10uF+100nF来实现掉电数据保存真的是绝配！每次掉电后红色LED是会闪亮一小下的，也就是说MB85RC256V写完数据后还有很多电量供LED发光。这种情况下普通的EEPROM是不可能实现的，不信的朋友可以试试哦~

看完网友的分享，你是不是也对咱们富士通的铁电也产生了浓浓的兴趣呢？点击此处“阅读原文”可了解更多哦~