存储芯片市场洗牌，谁将是最终赢家？

从去年下半年开始，固态硬盘、内存条、以及闪存卡等存储产品的价格就缓步增长，而在三星Note7接连自燃事件之后，固态硬盘、内存条的价格更是堪称疯涨。在去年第四季度，动态随机存取记忆体（DRAM）现货价持续攀高，DDR4 4Gb存储芯片最近的现货均价已达3.347美元，涨幅达18%，创18个月来新高。镁光公司的NAND Flash 64GB MLC颗粒涨幅超过25％。在京东商城上内存的价格相对于去年年中也普遍上涨了三分之一。

而存储芯片价格之所以持续攀升，除了国外大厂因为技术升级出现意外导致产能吃紧之外，中国存储芯片基本依赖进口也是存储芯片大幅涨价的原因。

存储芯片中比较常见的是NAND Flash和DRAM。NAND Flash闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，比如手机上16G/32G/64G的闪存和电脑上的固态硬盘用的就是NAND Flash。DRAM是动态随机存取存储器，只能将数据保持很短的时间，而且关机就会丢失数据，电脑上4G/8G/16G内存采用的就是DRAM。

目前，NAND Flash市场被三星与东芝联合的Toggle DDR阵营和英特尔与镁光为首的ONFI阵营把持，三星、东芝、闪迪、镁光、SK海力士等国外巨头占据80%以上的市场份额，其中三星是领头羊，市场份额约38%。

而在DRAM市场，三星、SK海力士、镁光占据了主要市场份额。在2016年第四季度，三星的市场占有率达47.5%，SK海力士的市场份额为27.3%，镁光的市场份额为19.4%。相比之下，市场份额排名4-6的台系厂商的市场份额就比较有限了，南亚科的市场份额为3.1%，邦华电子和力晶科技的市场份额分别为1.3%和0.8%。

可以看出存储芯片供应商被牢牢把持在少数几家厂商手中，而且有着赢者通吃的现象，这对处于市场份额占据优势地位的国际大厂非常有利，对于追赶者来说就很不利了。

技术升级和新产品瑕疵等因素助推价格持续上涨

在存储芯片市场被国外垄断的情况下，最大的影响就是相关产品上价格波动大，以京东商城上的内存条价格为例，在去年年中DDR4-2400 8GB的内存价格在300左右，但如今不少品牌的DDR4-2400 8GB的内存价格已经超过400元，像金士顿的 Fury系列DDR4-2400 8GB内存价格为479，而Savage系列 DDR4 2400 8G 内存价格为549。金士顿的DDR4-2400 16GB*2套装内存的价格更是高达1899元。虽然也有一些品牌的标价要便宜一点，但在京东自营店中都显示为缺货。

不仅京东上的内存条价格高昂，即便是某些电子产品大国的内存价格也在涨。根据日本媒体报道，在3月25日，日本秋叶原地区DDR4-2400 16GB*2套装内存的最低价格为25704日元（约合1600元人民币），而基本上多数店家的报价都在28000-29000日元之间，相当于去年夏天时的两倍。DDR4-24004GB*2套装内存的价格也在过去的一个月中创造了最高涨幅，平均价格升到了7234日元（约合450元人民币），涨幅达到了15%。

而造成这一情况的原因很大程度上是因为三星、镁光等国际大厂在升级技术后生产的新产品出现瑕疵而不得不召回。

据媒体报道，在三星和镁光将DRAM的制程升级到10+nm之后，三星的18nm DRAM和镁光的17nm DRAM都出现了瑕疵。根据PC整机厂的测试，三星的18nm DRAM装机后会导致系统出错及出现蓝屏当机情况，业界估算三星为此不得不回总数达10万条DRAM模组。但即便召回之后，重新出货的产品依然存在瑕疵，并导致PC整机厂的不良率攀升。

镁光在将25nm升级到17nm之后，也出现与三星类似情况的良率问题——镁光的17nm DRAM由于设计及制程上均与25nm DRAM有较大差异，目前的良率连一半都很难达到，为此镁光还要求客户暂停所有认证程序。

而三星和镁光恰恰是DRAM的主要供应商，而其产品存在瑕疵加剧了供应链吃紧情况，像南亚科今年前三季产能已被预订一空……在这种情形下，2017年内存条继续涨价已然是定局。