FRAM(铁电随机存取存储器)是被称为FeRAM。这种存储器采用铁电质膜用作电容器来存储数据。FRAM具有ROM(只读存储器)和RAM(随机存取器)的特点,在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。
FRAM技术和工作原理FRAM是运用铁电材料(PZT等)的铁电性(Ferro electricity)和铁电效应(Ferroelectric Effect)来进行非易失性数据存储又可以像RAM一样 *** 作。
(1)当一个电场被加到铁电晶体时,中心离子顺着电场的方向在晶体里移动,当离子移动时,它通过一个能量壁垒,从而引起电荷击穿。内部电路感应到电荷击穿并设置记忆体。
(2)移去电场后中心离子保持不动,记忆体的状态也得以保存。
(3) 材料本身的迟滞特性的两个稳定点代表0或1的极化值。
FRAM三大特点非易失性、高度写耐久性、高速读写是FRAM的三大主要优势。
FRAM与其他存储器的比较
FRAM与EEPROM相比的优势
FRAM有多快?如果我们写入2Mbit的数据,那么FRAM只要0.5s,Flash需要2.9s,而EEPROM则需要13.4s。
FRAM的特长及应用
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