Xilinx推出业界首款高性能DDR4内存解决方案

Xilinx推出业界首款高性能DDR4内存解决方案,第1张

  2014年3月11日,北京

  UltraScale器件中的新增DDR4内存接口可提供超过1Tb/s的存储带宽,能够满足视频成像与处理、流量管理和高性能计算等重要应用领域新一代前沿系统设计对海量数据流快速处理以及海量内存的需求。从DDR3 升级为DDR4后,应用的读取时延减少了30%,而且在相同数据速率下大幅降低了功耗。更富吸引力的是,从每秒1866 Mb的DDR3升级到每秒2400 Mb的DDR4后,客户不仅提升了30%的数据速率,同时还能削减20%的功耗。

  这些DDR4内存接口经过严格系统条件下(例如变化的电压和温度、系统抖动)高难度数据模式的测试,可确保为实际系统部署预留工作裕量。赛灵思的SelecTIO™接口符合JESD79-4 DDR4 SDRAM标准,有助于确保获得最大时序裕量。为保证最佳信号完整性,I/O技术还包括传输预加重、接收均衡、低抖动时钟和噪声隔离设计技术。

  赛灵思公司FPGA产品管理与市场营销高级总监Dave Myron指出;“赛灵思现已开始交付高性能DDR4接口,支持客户采用当今最先进的内存解决方案进行设计。而领先的PC制造商们在今年较晚时间才会刚刚开始低线速率产品的推出。”

  美光(Micron)公司DRAM市场营销副总裁Robert Feurle表示:“当今的客户不断要求使用更高的存储带宽支持更大规模数据密集型的应用,通过与赛灵思的强大合作,美光的DDR4内存技术和赛灵思的UltraScale器件相结合,致力于为我们的共同客户提供市场领先的解决方案。”

  供货进程

  支持DDR4内存接口的UltraScale器件现已发货

  关于赛灵思

  赛灵思是All Programmable器件、SoC和3D IC的全球领先供应商。赛灵思公司行业领先的产品与新一代设计环境以及 IP 核完美地整合在一起,可满足客户对可编程逻辑乃至可编程系统集成的广泛需求。

欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出

原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2461679.html

(0)
打赏 微信扫一扫 微信扫一扫 支付宝扫一扫 支付宝扫一扫
上一篇 2022-08-04
下一篇 2022-08-04

发表评论

登录后才能评论

评论列表(0条)

保存