用于汽车D类音频系统的DirectFET2功率MOSFET系

　　新推出的 AUIRF7640S2、AUIRF7647S2 和 AUIRF7675M2 器件，拓展了 IR 适用于汽车 D类音频系统的 DirectFET2 功率 MOSFET 阵营，并利用低栅极电荷 (Qg) 作出优化，来改善总谐波失真 (THD) 和提高效率，而低二极管反向恢复电荷 (Qrr) 则进一步改善了总谐波失真，降低了电磁干扰 (EMI) 。

　　AUIRF7640S2 和 AUIRF7647S2 小罐器件的封装尺寸比 SO-8 小，更能够为没有散热片的 8Ω 负载提供每通道 100W 的功率，由此可以提供非常紧凑的 D 类解决方案，是节省多通道电路板空间的理想选择。AUIRF7675M2 中罐器件的封装尺寸比 DPak 小54% ，能够为没有散热片的 4Ω 负载提供每通道 250W 的功率，使其非常适合 D 类音频系统的亚低音输出级。

　　IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新款 DirectFET2 器件是对之前推出的 AUIRF7665S2 的补充，为设计师提供了适用 D 类音频系统不同功率等级的替代额定电压和导通电阻。”

　　正如所有的 DirectFET 产品一样，新器件提供了最小的热阻抗以及寄生电阻和电感，能够提供出色的功率密度和双面冷却效率。

　　新器件符合 AEC-Q101 标准，是在IR要求零缺陷的汽车质量理念下研制而成的，所采用的环保材料既不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。

　　产品规格

　　器件编号 封装 Vds 典型导通电阻 最大导通电阻 Rg(典型) 栅极电荷(典型)

　　AUIRF7640S2 DF2 小罐 60V 27mΩ 36mΩ 3.5Ω 7.3nC

　　AUIRF7647S2 DF2 小罐 100V 26mΩ 31mΩ 1.6Ω 14nC

　　AUIRF7675M2 DF2 中罐 150V 47mΩ 56mΩ 1.2Ω 21nC