由负-12V电源获得3.3V输出的电路

图1电路，将-12V 电压升压到15.3V（相对于-12V 电压），进而得到3.3V 的电源电压，
输出电流可达300mA。Q2 将3.3V 电压转换成适当的电压（-10.75V）反馈给IC1 的FB 引脚，
PWM 升压控制器可提供1W 的输出功率，转换效率为83%。整个电路大约占6.25Cm2的线路板
尺寸，适用于依靠台式PC机电源供电，需要提供1W输出功率的应用，这种应用中，由于-12V
总线电压限制在1.2W以内，因此需要保证高于83%的转换效率。

通用的多电源总线，如VME、VXI 和PCI 总线，都可提供功率有限的3.3V、5V 和±12V
（或±24V）电源，如果在这些系统中添加设备（如插卡等），则需要额外的3.3V或5V电源，
这个电源通常由负载较轻的-12V电源提供。电路采用MAX668芯片。
由于限流电阻（RSENSE）将峰值电流限制在120mA，N 沟道MOSFET（Q1）可选用廉价的
逻辑电平驱动型场效应管，R1、R2 设置输出电压（3.3V 或5V）。IC1 平衡端（Pin5）的反馈
电压高于PGND引脚（Pin7）1.25V，因此：
VFB = -12V + 1.25V = - 10.75V
选择电阻R1后，可确定：
I2 = 1.25V / R1 = 1.25V / 12.1kΩ = 103μA
可由下式确定R2：
R2 = （VOUT - VBE）/ I2 =（3.3V - 0.7V）/ 103μA = 25.2 kΩ
图1 中，IC1 的开关频率允许通过外部电阻设置，频率范围为100kHz 至500kHz，有利
于RF、数据采集模块等产品的设计。当选择较高的开关频率时，能够保证较高的转换效率，
并可选用较小的电感和电容。为避免电流倒流，可在电路中增加一个与R1串联的二极管。