单结晶体管具有负租特性,其工作原理和伏安特性见图1-31。
图1-31中电源电压UBB的正级接第二基极B2,负级接第一基极B1,发射极电压UE从零逐渐增大。当UG<ηUBB时,只有很小的反向电流通过E-B1.当UG=ηUBB+0.7(V)时,对应于封点电压Up,0.7V是等效硅二极管的正向导通压降。然后管子进入负阻区下降到古典电压UV(一般为2~3.5V)以后,管子进入饱和区。
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单结晶体管具有负租特性,其工作原理和伏安特性见图1-31。
图1-31中电源电压UBB的正级接第二基极B2,负级接第一基极B1,发射极电压UE从零逐渐增大。当UG<ηUBB时,只有很小的反向电流通过E-B1.当UG=ηUBB+0.7(V)时,对应于封点电压Up,0.7V是等效硅二极管的正向导通压降。然后管子进入负阻区下降到古典电压UV(一般为2~3.5V)以后,管子进入饱和区。
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