LED生产面临的一个挑战是很难用硅制造它们,这意味着传感器必须与它所嵌入的设备分开制造。随着麻省理工学院电子学研究实验室的一项突破,这种情况可能会发生改变。在实验室里,研究人员能够制造出一种完全集成LED的硅芯片。
这些LED的亮度足以实现最先进的传感器和通信技术。麻省理工学院的发现可以为纳米级电子产品带来简化制造和提高性能。通常情况下,硅使得光源效果不佳。为了解决这个问题,电气工程师通常用其他材料制作LED。基于硅的LED研究人员解决问题的重点是特别设计的结,这是二极管的不同区域之间的接触,以提高亮度。该技术提高了效率,使LED能够在低电压下工作,同时产生足够的光,可通过5米长的光纤电缆传输信号。
由此,晶圆厂可以在生产LED的同时生产其他硅微电子元件,如晶体管和光子探测器。新的集成LED虽然并没有超越用于LED制造的传统III-V半导体,但它却很容易击败之前对硅基LED的尝试。研究人员看到有一天,LED技术可以直接建立在硅处理器上,不需要单独的制造过程。
责任编辑:tzh
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)