该平台主要为从事磁性随机存储器MRAM、磁性传感器或自旋计算芯片的客户提供仿真工具。在产品研发过程中，能够有效的解决物理器件（工艺参数）、模拟电路（读写控制）以及数字电路需进行系统性模拟仿真的问题，从而实现产品设计和改进的过程能够保持高度一致性。帮助客户快速掌握器件的物理过程，为客户减少大量的产品研发成本和时间。
MRAM器件
功能一：磁性材料和磁矩运动研究
1. 解决磁性薄膜制造工艺中磁场干扰带来的问题
2. 研究磁性材料遇到器件尺寸厚度带来的影响
3. 优化器件在各向异性场和退磁场共同作用下的稳定性表现
4. 分析电流stt效应的强弱和磁矩翻转快慢（数据写入速度）
5. 研究温度噪声等对材料物理特性的影响
6. 蒙泰卡洛参数随机抽样
深度研究每一项参数对器件的影响，其中参数配置研究模块主要用于探究器件仿真时所需的磁材料参数，包括材料尺寸如厚度和宽度，磁性材料属性（磁化强度，衰减因子，各向异性），初始磁矩的方向，外加的磁场和电流STT作用等，对器件的磁矩矫顽力、驱动、翻转过程带来的各种影响。在满足工艺条件的基础上，能够快速的优化技术方案。
功能二：磁性器件综合仿真
1. 针对不同类型的MTJ器件可以进行自定义构造
2. 在动态变化的电流下研究器件的阻值（TMR）
3. 优化器件在读写 *** 作时驱动电路电流设计（提高速度和降低功耗）
方便快捷的构造复杂的器件模型。Mram等微纳尺度的磁性器件开发最大的困难在于工艺的稳定性和系统性的器件设计。而在系统性的器件设计中，最关键的问题莫过于器件物理性质、模拟电路仿真和数字电路设计三者之间的一致性关系。如果不能解决一致性问题，将导致产品的性能、速度、稳定性将受到严重影响，进而影响到良率和产品适用范围。为解决上述问题，由MTJsim提供的器件设计和动态电流配置功能，整合了从磁和电之间的相互作用，可以很好的对器件进行整体的模拟计算，从而能够保证三者的一致性。
器件模型
功能三：生成MTJ的Verilog-A模型（可用于SPICE/Cadence进行系统级验证）
1. 方便快捷的定义和生成MTJ模型，用于spice等仿真
2. 实现存储阵列等动态物理模型的仿真验证
工业标准化的建模，网表门级仿真。两端口双MTJ器件存储单元的读取、写入和维持 *** 作的仿真过程中，可有效验证控制电路的电流和电压信号，对改善器件的功耗和容错率可以带来很大的帮助，从而达到进一步提升产品的稳定性。
综合仿真和验证
优势一：首次实现数模混合的综合性仿真
优势二：采用时域动态模型，相比传统行为级模型精度提高20倍
优势三：仿真速度提高100倍
优势四：紧随行业动态，贴近市场需求
优势五：兼容和适用全球最前沿技术仿真要求
审核编辑：符乾江欢迎分享，转载请注明来源：内存溢出
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