IDT72V3680芯片的内部结构介绍

IDT72V3680芯片的内部结构介绍,第1张

IDT72V3680属于IDT公司的高密度supersyncTMⅡ36位系列存储器IDT72V3640~3690中的一种,其存储结构为16,384×36。这一系列CMOS工艺的FIFO(先入先出)芯片具有极大的深度。

其基本功能特点如下:

  •   对读/写口都可进行灵活的总线宽度设置,可选择不同的输入/输出数据线宽度(可在36 in 36 out;36 in 18 out;36in 9 out;18 in 36 out;9in 36 out中选择);
  •   重传 *** 作延时很低且固定;
  •   首字的写入到读出的延时很低且固定;
  •   数据密度高达1Mbit;
  •    *** 作时钟可达166MHz;
  •   可选大/小字节排列格式;
  •   主复位方式可提供FIFO整体清零,部分复位只清掉存储数据,但保留可编程设置项;
  •   几乎空/满标志置位或无效 *** 作可选择同步或异步时间模式;
  •   具有两种时间工作模式,分别为IDT标准模式(采用IDT72V3680芯片的内部结构介绍,第2张IDT72V3680芯片的内部结构介绍,第3张标志位)和FWFT首字直传模式(采用IDT72V3680芯片的内部结构介绍,第4张标志位);
  •   读写 *** 作采用独立时钟,并可异步 *** 作;
  •   采用TQFP(128引脚)和PBGA(144引脚)两种封装形式,其中PBGA封装形式不仅可用JTAG口提供边界扫描功能,还可选择同步或者异步读写 *** 作(只对PBGA封装);
  •   与5V输入兼容;
  •   具有节电模式;
  •   管脚可与更高密度的芯片IDT72V36100和IDT72V36110兼容。

  IDT72V3680的内部结构框图如图1所示。

IDT72V3680芯片的内部结构介绍,第5张

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原文地址: http://outofmemory.cn/dianzi/2474833.html

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