恒忆与三星电子共同合作开发PCM

恒忆与三星电子共同合作开发PCM

恒忆 (Numonyx) 与三星电子 (Samsung Electronics Co., Ltd) 宣布将共同开发制定相变存储器 (Phase Change Memory，PCM) 产品的市场规格，此新一代存储技术可满足载有大量内容和数据平台的性能及功耗要求，从而帮助多功能手机及移动应用、嵌入式系统、高级运算装置的制造商应对设计挑战。制定针对PCM 产品的通用软硬件兼容标准，将有效简化设计流程并缩短产品开发时间，使制造商能在短时间内采用这两家公司推出的高性能、低功耗 PCM 存储产品。

相较于传统的 NOR 及 NAND 存储器，PCM 能以较低的功耗实现极快的读写速度，并且具备 在RAM中才可实现的位可变性 (bit alterability)。

恒忆总裁兼首席执行官 Brian Harrison 表示，恒忆与三星这两家存储业界领导厂商的共同合作，能够发挥导入新技术时业界所需的引导与厘清功能，对于 PCM 技术发展及整体存储市场都是重大的里程碑。共通规格可有效协助芯片组厂商及整个产业体系中的其他厂商达成产品标准化，并且有助催生新一代的存储技术，使手机 OEM、嵌入式系统、高级运算装置厂商和他们的客户从中受益。

三星电子移动存储技术规划与实施副总裁 （Vice president, mobile memory technology planning and enabling, Samsung Electronics ）SeiJin Kim 表示，恒忆与三星的共同合作使 PCM 技术以更安全、稳定的方式应用到移动产品的设计中。三星希望 PCM 将成为公司存储产品的新主力，并有助提升公司其他移动存储解决方案的性能，进一步提高三星在业界的领导地位。

恒忆与三星已开始针对支持 JEDEC LPDDR2 低功耗存储装置标准的移动、嵌入式及其他潜在运算应用制定共同标准，即 pin-to-pin 的软硬件兼容性。LPDDR2 标准可提供高级电源管理功能、非易失性存储 (NVM) 及易失性存储 (SDRAM) 的共享接口，以及各种容量与速度。

PCM 兼具 NAND 与 NOR 闪存以及其他 RAM 存储器的多项优点，能以RAM的速度读取数据，并通过减少在当今数字应用中的 RAM数量降低成本及功耗水平。

PCM具备“可执行”的特性，因此可将程序代码与数据分开，从而可靠地储存程序代码，特别适用于手机等数据处理量较大的应用。由于 PCM 装置的类 RAM 功能可逐位进行程序设计变更而不需擦除整段信息，使其相对于其他存储技术具备更快速的编程能力。

此共同标准计划将在 2009 年完成，两家公司预计将于 2010 年推出相应的装置上市。