旺宏NOR快闪存储器 形塑超高省电应用与发展

旺宏NOR快闪存储器 形塑超高省电应用与发展,第1张

现今旺宏以完整的产品线,进一步推出超低电压的1.2V的SPI NOR快闪存储器,在制程技术与超低功率消耗产品在线开创一个全新的里程碑,为智能医疗与穿戴式装置的的应用向前迈出重要的一步。

旺宏电子产品营销处副处长黄盛绒(Donald Huang)博士接受这次专访,在旺宏发展1.2V低电压驱动的快闪存储器的制程技术,竖立新的里程碑时,探讨市场上对超低功率消耗应用的快速发展,并寄予厚望,他指出晶圆厂的逻辑线路制程已经大量采用40纳米以下的制程,核心电压一举朝向较低的0.9V以下电压推进,降低核心电压之举,连带让具备超低电压、超低功耗与小型封装特性的半导体解决方案,进一步推升智能医疗与穿戴式装置的新型态的应用,也让市场上的需求1.2V电压驱动的存储器装置的需求,成为下一波存储器市场的瞩目焦点。

新的制程维持高效能与低耗电的设计,帮助智能型应用与物联网技术的大量普及,举凡健康照护、穿戴式装置与行动联网装置在市场上几乎一呼百应,产品如雨后春笋般在市场上蔚为一股强大的发展趋势,为了延长这些以电池驱动的小巧精密电子装置的使用时间与续航力,以及更小体积电池的殷切需求,产业界开始使用新技术开发电池装置,包进比现今最先进技术的锂离子电池更多的电量,其驱动的电压也只有在1.5V以下而已,加上诸如DDR4的动态存储器也采用1.2V的驱动电压,低电压驱动的市场趋势非常的明显。

使用1.2V的低电压NOR快闪存储器,兼具成本与精简设计的优势

一旦直接使用1.2V的低电压NOR快闪存储器,可以省下其它元件的使用,或是让微控器MCU)的组合搭配更佳充裕与d性,同时立即反映在成本与线路设计的精简化的优势,旺宏1.2V的NOR快闪存储器的诞生可以直接搭配低电压驱动的MCU、DRAM传感器电子元件,有效扩大旺宏的快闪存储器的应用层面,补足在低电压驱动产品线的重要一块拼图。

Macronix推出MX25S系列的1.2V串行型NOR快闪存储器产品,采用标准串行型NOR快闪存储器接口,具低电压、超低功耗与小型封装特性,MX25S的产品工作电压范围从1.14V到1.3V,适用于任何超低耗电的应用,提供可携式产品持久的电池续航力,黄盛绒自豪的表示:「MX25S系列产品较标准串行型NOR快闪存储器可节省超过60%的电力消耗」。

MX25S系列产品为了彰显存储器能在超低待机状态的省电效能,一举将Deep Power Down电流降到0.007μA的超级省电模式,同时当需要从Deep Power Down模式唤醒时,只需要35μS的时间就可以完成,反应速度令人满意,而正常运行时,其主动电流最低可低到1.65mA,是目前业界的NOR快闪存储器产品中,最令人激赏的规格。

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