nMOS晶体管与DS2714的配合使用

摘要：DS2714独立式NiMH电池充电器的数据资料中提供了一个使用pnp晶体管的应用电路，利用pnp晶体管对充电电流进行开、关控制。这种方式可能存在某些问题，因为充电控制引脚的电流吸收能力会限制流过pnp晶体管的充电电流。本篇应用笔记描述了在使用DS2714芯片时怎样用nMOS晶体管代替pnp晶体管，以此来避免这一问题。

概述DS2714数据资料中提供了一个使用pnp晶体管对充电电流进行开、关控制的应用电路，从元件数量来说这是最高效的配置，但并非对于任何应用都是最好的选择。因为VCHG是电流源，充电时电压会降到VCELL，当VCHG达到VCELL时就不能产生足够高的VGS电压使pMOS晶体管充分导通。使用pnp晶体管的缺陷在于IC必需吸收与充电电流成比例的电流(ib = β × ic)。根据充电速率，基极电流可能接近DS2714的极限。本应用笔记提供了一个利用反向器与nMOS晶体管相结合的电路，可以避免使用pnp晶体管带来的问题。

电路连接方式将CCx引脚的输出连接到反向器的输入端，然后把反向器输出连接到nMOS晶体管的栅极。nMOS的漏极应该连接到VCHG，nMOS的源极接到充电电池。因为CCx为开漏输出，所以在VCC与CCx之间需要一个上拉电阻。


图1. DS2714应用电路，图中利用nMOS晶体管代替了pnp晶体管。

晶体管选择必须谨慎选择nMOS晶体管，确保晶体管能够承受最大充电电流，并在工作电压范围内完全导通。反向器与DS2714使用相同电源供电，最低工作电压为4V。这意味着在理想状态下，当CCx动作时反向器输出电压为4V。当电池电压大于1.75V时，DS2714会停止充电。在这样的情况下，VGS(ON)电压为2.25V (4V - 1.75V)。为了确保晶体管完全导通，应选择开启电压小于2.25V的nMOS管。本实例中使用了IRF7530，因为它具有低开启电压VGS (1.2V)，能够允许较大的导通电流(5.4A)。